技術特征：
技術總結
一種半導體裝置與其制造方法。該半導體裝置包含基板、多個三五族氮化物半導體層、源極、柵極、漏極以及摻雜層。三五族氮化物半導體層置于基板上，且二維電子氣通道形成于三五族氮化物半導體層中。源極、柵極與漏極置于三五族氮化物半導體層上。柵極位于源極與漏極之間，源極與漏極電性連接至二維電子氣通道，且自源極至漏極定義一水平方向。摻雜層置于柵極與三五族氮化物半導體層之間。摻雜層包含多個摻雜物，且摻雜物的濃度沿著水平方向變化。
技術研發人員：薛清全;彭柏瑾;廖文甲;陳世鵬
受保護的技術使用者：臺達電子工業股份有限公司
技術研發日：2016.07.22
技術公布日：2017.10.03