基板溫度監測裝置、干刻設備及基板溫度監測方法與流程

本發明涉及干法刻蝕技術領域，尤其涉及一種基板溫度監測裝置、干刻設備及基板溫度監測方法。

背景技術：

干法刻蝕(Dry Etch)工藝是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)領域中不可或缺的工藝，干法刻蝕工藝的主要作用是去除基板上薄膜的一部分，以在薄膜中形成所需要的圖形。進行干法刻蝕工藝所使用的干刻設備主要包括：刻蝕腔室，如圖1所示，刻蝕腔室的下部設置有用于放置基板2的基臺4，基臺4的上表面具有多個凸起狀的下部電極1，刻蝕腔室的上部設置有上部電極。刻蝕時，將基板2放置于刻蝕腔室內的基臺4上，利用下部電極1支撐基板2，向刻蝕腔室內通入刻蝕氣體，并分別向下部電極1和上部電極通入射頻電壓，使下部電極1與上部電極之間產生放電現象，將刻蝕氣體電離，形成反應離子和等離子體，反應離子和等離子體在下部電極1與上部電極之間所形成的電場的作用下高速運動至基板2表面，不斷轟擊基板2表面上的物質，并與基板2上未被光刻膠覆蓋的薄膜發生反應生成揮發性物質，從而實現對薄膜特定區域的刻蝕。

上述干法刻蝕過程中存在如下問題：如圖2所示，下部電極1在剛開始使用時其頂端的表面是粗糙不平的，此時下部電極1的頂端與基板2是點接觸，下部電極1頂端的導熱性能一般，基板2上的熱量散失較少，因此基板2上對應下部電極1頂端的區域(下面將該區域稱為接觸區域)與其周邊的非對應下部電極1頂端的區域(下面將該區域稱為非接觸區域)的溫度相差不大。如圖3所示，隨著下部電極1的使用，刻蝕過程中所生成的揮發性物質5在刻蝕腔室內部沉積，下部電極1粗糙不平的頂端逐漸被揮發性物質5所覆蓋而逐漸變光滑，此時下部電極1與基板2是面接觸，下部電極1頂端的導熱性能變好，基板2上接觸區域的熱量經下部電極1頂端散失，造成接觸區域的溫度降低，因此基板2上接觸區域與其周邊的非接觸區域的溫度相差很大，這造成基板2上接觸區域與其周邊的非接觸區域上的膜層的質量不一致，從而膜層的電性能不一致，宏觀表現為陣列基板上出現印花狀的斑點姆拉(Mura)。

針對上述由于基板2上不同區域存在溫度差異所引起的姆拉現象，目前主要的應對方法是每隔一定的時間對下部電極進行清潔，對于使用時間較長的電極進行更換。這種應對方法雖然能夠在一定程度上減輕上述姆拉現象，但是由于不同產品的特性不同，加之產線工藝的穩定性不同，因此對下部電極進行清潔或更換的時間不容易把握，如果清潔或更換的周期較短，則會造成工作效率的下降和生產成本的不必要浪費，而如果清潔或更換的周期較長，則又無法有效減輕上述姆拉現象。

技術實現要素：

本發明提供一種基板溫度監測裝置、干刻設備及基板溫度監測方法，以有效減輕或避免由于基板上不同區域存在溫度差異所引起的姆拉現象，同時不會引起工作效率的下降和生產成本的不必要浪費。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

本發明的第一方面提供了一種基板溫度監測裝置，包括：安裝于刻蝕設備的刻蝕腔室內部的溫度感測模塊，所述溫度感測模塊用于實時感測刻蝕時所述刻蝕腔室內的基板上各區域的溫度；與所述溫度感測模塊相連的差值計算模塊，所述差值計算模塊用于根據所述溫度感測模塊所感測到的基板上各區域的溫度，計算所述基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值；其中，所述接觸區域為刻蝕時所述基板上對應所述刻蝕腔室內的下部電極的區域，所述非接觸區域為刻蝕時所述基板上非對應所述下部電極的區域。

本發明所提供的基板溫度監測裝置能夠在刻蝕時實時感測刻蝕腔室內的基板上各區域的溫度，并計算得到基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值，從而使得工作人員能夠實時了解刻蝕時基板上的溫度分布情況，便于工作人員根據該溫度分布情況及時采取相應的補救措施，例如，當了解到基板上多處接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值較大時，可及時對下部電極進行清潔或更換。由于對基板上的溫度分布情況的監測是實時監測，因此及時、有效的減輕或避免了由于基板上不同區域存在溫度差異所引起的姆拉現象，并且能夠準確把握對下部電極進行清潔或更換的時間，不會引起工作效率的下降和生產成本的不必要浪費。

本發明的第二方面提供了一種干刻設備，包括：刻蝕腔室，及設置于所述刻蝕腔室內的多個下部電極，所述干刻設備還包括如本發明的第一方面所述的基板溫度監測裝置。

本發明所提供的干刻設備的有益效果與本發明所提供的基板溫度監測裝置的有益效果相同，此處不再贅述。

本發明的第三方面提供了一種基板溫度監測方法，包括：實時感測刻蝕時刻蝕腔室內的基板上各區域的溫度；根據所感測到的基板上各區域的溫度，計算所述基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值；其中，所述接觸區域為刻蝕時所述基板上對應所述刻蝕腔室內的下部電極的區域，所述非接觸區域為刻蝕時所述基板上非對應所述下部電極的區域。

本發明所提供的基板溫度監測方法的有益效果與本發明所提供的基板溫度監測裝置的有益效果相同，此處不再贅述。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為刻蝕時基板放置在基臺上的俯視圖；

圖2為下部電極在剛開始使用時的狀態圖；

圖3為下部電極在使用一段時間之后的狀態圖；

圖4為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置的結構示意圖一；

圖5為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置的結構示意圖二；

圖6為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置的結構示意圖三；

圖7為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置中差值比較模塊的電路結構圖；

圖8為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置中溫度補償控制模塊的電路結構圖一；

圖9為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置中溫度補償控制模塊的電路結構圖二；

圖10為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置的結構示意圖四；

圖11為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置的結構示意圖五；

圖12為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置中差值放大模塊的電路結構圖；

圖13為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置中加熱裝置的結構圖；

圖14為本發明實施例一所提供的基板溫度監測裝置中溫度感測模塊的結構示意圖；

圖15為本發明實施例二所提供的干刻設備的結構圖；

圖16為本發明實施例三所提供的基板溫度方法的流程圖一；

圖17為本發明實施例三所提供的基板溫度方法的流程圖二。

附圖標記說明：

1-下部電極； 2-基板；

3-基板溫度監測裝置； 31-溫度感測模塊；

311-紅外溫度傳感器； 312-圖像繪制單元；

313-圖像處理單元； 32-差值計算模塊；

33-差值比較模塊； 331-窗口比較器；

34-統計模塊； 35-溫度補償控制模塊；

36-加熱裝置； 37-差值放大模塊；

4-基臺； 5-揮發性物質；

6-刻蝕腔室； 7-上部電極；

A1-第一比較器； A2-第二比較器；

RP1-第一變阻器； RP2-第二變阻器；

R1-第一電阻； R2-第二電阻；

R3-第三電阻； R4-第四電阻；

GC-邏輯與單元； D1-第一二極管；

D2-第二二極管； A1′-第一放大器；

M1-第一開關管； M2-第二開關管；

M3-第三開關管； C1-第一電容；

R5-第五電阻； R6-第六電阻；

A2′-第二放大器； C2-第二電容；

R7-第七電阻； R8-第八電阻；

B1-接觸區域； B2-非接觸區域。

具體實施方式

為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動的前提下所獲得的所有其它實施例，均屬于本發明保護的范圍。

實施例一

如圖4所示，本實施例提供了一種基板溫度監測裝置3，該基板溫度監測裝置3包括溫度感測模塊31和差值計算模塊32，其中，溫度感測模塊31安裝于刻蝕設備的刻蝕腔室內部，用于實時感測刻蝕時刻蝕腔室內的基板上各區域的溫度；差值計算模塊32用于根據溫度感測模塊31所感測到的基板上各區域的溫度，計算基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值。

需要說明的是，本實施例中所述的“接觸區域”是指刻蝕時基板上對應刻蝕腔室內的下部電極的區域，也即刻蝕時基板上與下部電極相接觸的區域；本實施例中所述的“非接觸區域”是指刻蝕時基板上沒有對應下部電極的區域，也即刻蝕時基板上沒有與下部電極相接觸的區域，也即刻蝕時基板上處接觸區域以外的區域。

利用本實施例所提供的基板溫度監測裝置3，能夠得到在刻蝕時基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值，從而使得工作人員能夠實時了解刻蝕時基板上的溫度分布情況，便于工作人員根據該溫度分布情況分析刻蝕腔室內下部電極的清潔程度，進而及時采取相應的補救措施。例如，當了解到基板上多處接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值較大時，說明此時基板與下部電極的接觸多為面接觸，基板上接觸區域的熱量相對于非接觸區域的熱量通過下部電極被大量導走，這說明下部電極上沉積的揮發性物質較多較厚，需要及時對下部電極進行清潔或更換。在上述技術方案中，由于對基板上的溫度分布情況的監測是實時監測，因此對下部電極進行清潔或更換的時間的把握較及時、準確，從而及時、有效的減輕或避免了由于基板上不同區域存在溫度差異所引起的姆拉現象，并且不會引起由于對下部電極清潔或更換的周期較短所造成的工作效率的下降和生產成本的不必要浪費。

為了更加及時、有效的消除由于基板上不同區域存在溫度差異所引起的姆拉現象，可在監測到基板上某一或某些接觸區域的溫度與其周邊非接觸區域的溫度差異較大時，也可理解為是在基板上某一或某些接觸區域的溫度較低時，對相應的接觸區域進行溫度補償，以提高相應的接觸區域的溫度，縮小其與周邊非接觸區域的溫度差異。基于上述發明思想，下面示例性地提出兩種實現方案。

方案一：如圖5所示，可在基板溫度監測裝置3中增設加熱裝置36、差值比較模塊33、統計模塊34和溫度補償控制模塊35，其中，加熱裝置36設置于各下部電極內部；差值比較模塊33與差值計算模塊32相連，用于將差值計算模塊32計算得到的各差值分別與差值閾值進行比較，并生成差值比較結果；統計模塊34與差值比較模塊33相連，用于根據差值比較模塊33所生成的差值比較結果，統計所述差值大于所述差值閾值的接觸區域的數量，并在所統計的數量大于數量閾值時生成溫度補償控制信號；溫度補償控制模塊35與統計模塊34相連，溫度補償控制模塊35還與加熱裝置36相連，溫度補償控制模塊35用于在統計模塊34所生成的溫度補償控制信號的控制下，控制所述差值大于所述差值閾值的接觸區域所對應的下部電極中的加熱裝置對相應下部電極進行加熱。

通過在基板溫度監測裝置3中增設上述幾個部件，實現了在基板上某些接觸區域的溫度與其周邊非接觸區域的溫度差異超出溫度閾值，且溫度差異超出溫度閾值的接觸區域的數量超出數量閾值時，利用設置在下部電極內部的加熱裝置36對相應的下部電極進行加熱，從而基板上相應的接觸區域(即溫度差異超出溫度閾值的接觸區域)的溫度得到補償，縮小了這些接觸區域的溫度與其周邊非接觸區域的溫度差異，提高了基板上各區域的溫度均勻性，進而更加徹底地消除姆拉現象。

在方案一中，所述“溫度閾值”可根據實際對產品質量的把控標準設定，例如，若實際對產品質量的要求較嚴格，則可將溫度閾值設置的較小一些，這樣可進一步提高基板上各區域的溫度均勻性，從而進一步消除姆拉現象，提高產品質量。所述“數量閾值”小于刻蝕腔室內所包括的下部電極的總數，所述“數量閾值”可根據對產線生產效率的要求設定，例如，若要求較高的生產效率，則可將數量閾值設置的大一些，這樣可在姆拉現象符合要求的前提下，盡量減少加熱下部電極的次數和時間，提高生產效率。

方案二：如圖6所示，可在基板溫度監測裝置3中增設加熱裝置36、差值比較模塊33和溫度補償控制模塊35，其中，加熱裝置36設置于各下部電極內部；差值比較模塊33與差值計算模塊32相連，用于將差值計算模塊32計算得到的各差值分別與差值閾值進行比較，并在所述差值大于所述差值閾值時生成溫度補償控制信號；溫度補償控制模塊35與差值比較模塊33相連，溫度補償控制模塊35還與加熱裝置36相連，溫度補償控制模塊35用于在差值比較模塊33所生成的溫度補償控制信號的控制下，控制所述差值大于所述差值閾值的接觸區域所對應的下部電極中的加熱裝置對相應下部電極進行加熱。

通過在基板溫度監測裝置3中增設上述幾個部件，實現了在基板上某一或某些接觸區域的溫度與其周邊非接觸區域的溫度差異超出溫度閾值時，利用設置在下部電極內部的加布裝置36對相應的下部電極進行加熱，從而基板上相應的接觸區域(即溫度差異超出溫度閾值的接觸區域)的溫度得到補償，縮小了相應接觸區域的溫度與其周邊非接觸區域的溫度差異，提高了基板上各區域的溫度均勻性，進而更加徹底地消除姆拉現象。

在方案二中，所述“溫度閾值”可根據實際對產品質量的把控標準設定，例如，若實際對產品質量的要求較嚴格，則可將溫度閾值設置的較小一些，這樣可進一步提高基板上各區域的溫度均勻性，從而進一步消除姆拉現象，提高產品質量。

在方案一和方案二中，如圖7所示，差值比較模塊33優選的可包括窗口比較器331，該窗口比較器331的第一輸入端與差值計算模塊32相連，接收差值計算模塊32發送的差值信號，該差值信號攜帶基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值信息；窗口比較器331的第二輸入端與用于提供差值閾值信號的差值閾值信號端相連。在方案一中，窗口比較器331的輸出端與統計模塊34相連，窗口比較器331通過將所接收的差值信號和差值閾值信號進行比較，生成差值比較結果，然后將該差值比較結果作為輸出信號輸出給統計模塊34；在方案二中，窗口比較器331的輸出端與溫度補償控制模塊35相連，窗口比較器331通過將所接收的差值信號和差值閾值信號進行比較，生成溫度補償控制信號，然后將該溫度補償控制信號作為輸出信號輸出給溫度補償控制模塊35。

具體的，請再次參見圖7，窗口比較器331可包括：第一比較器A1、第二比較器A2、第一變阻器RP1、第二變阻器RP2、第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、邏輯與單元GC、第一二極管D1和第二二極管D2，各部件之間的連接關系為：第一比較器A1的第一輸入端連接至窗口比較器331的第一輸入端；第二比較器A2的第一輸入端連接至窗口比較器331的第一輸入端；第一變阻器RP1的可變端與第一比較器A1的第二輸入端相連，第一變阻器RP1的第一固定端連接至窗口比較器331的第二輸入端；第二變阻器RP2的可變端與第二比較器A2的第二輸入端相連，第二變阻器RP2的第一固定端與第一變阻器RP1的第二固定端相連；第一電阻R1連接于第一比較器A1的第一輸入端與窗口比較器331的第一輸入端之間；第二電阻R2連接于第一比較器A1的第二輸入端與第一變阻器RP1的可變端之間；第三電阻連接于第二比較器A2的第一輸入端與窗口比較器331的第一輸入端之間；第四電阻R4連接于第二比較器A2的第二輸入端與第二變阻器RP2的可變端之間；邏輯與單元GC的輸入端與第一比較器A1的輸出端相連且與第二比較器A2的輸出端相連，邏輯與單元GC的輸出端連接至窗口比較器331的輸出端；第一二極管D1的陰極端連接于邏輯與單元GC的輸出端與窗口比較器331的輸出端之間；第二二極管D2的陽極端與第一二極管D1的陽極端相連。

上述窗口比較器331的工作過程為：當差值信號和差值閾值信號輸入時，第一比較器A1和第二比較器A2均對差值信號和差值閾值信號的大小進行比較，比較結果輸入給邏輯與單元GC，只有在第一比較器A1的比較結果為差值信號大于差值閾值信號，且第二比較器A1的比較結果為差值信號大于差值閾值信號時，邏輯與單元GC有輸出信號的輸出。

在方案一和方案二中，如圖8所示，溫度補償控制模塊35優選的可包括：第一開關管M1、第一放大器A1′、第一電容C1、第五電阻R5和第六電阻R6，各部件之間的連接關系為：第一開關管M1的控制端接收溫度補償控制信號，第一開關管M1的輸入端與用于提供電源信號的電源信號端相連；第一放大器A1′的供電端與第一開關管M1的輸出端相連，第一放大器A1′的第一輸入端與溫度感測模塊31相連，第一放大器A1′的第二輸入端接地，第一放大器A1′的輸出端與加熱裝置36相連；第一電容C1連接于溫度感測模塊31與第一放大器A1′的第一輸入端之間；第五電阻R5連接于第一電容C1與第一放大器A1′的第一輸入端之間；第六電阻R6并聯于第一放大器A1′的第一輸入端與第一放大器A1′的輸出端。

上述溫度補償控制模塊35的工作過程為：當溫度補償控制信號輸入時，第一開關管M1打開，電源信號端所提供的電源信號輸入至第一放大器A1′的供電端，為第一放大器A1′供電，從而第一放大器A1′開始工作，第一放大器A1′從溫度感測模塊31中獲取溫度感測模塊31所感測到的基板上各區域的溫度信息，該基板上各區域的溫度信息作為補償前基板溫度信號輸入至第一放大器A1′的第一輸入端，經過第一放大器A1′的信號放大作用，補償前基板溫度信號被放大，放大后的溫度信號作為補償后基板溫度信號輸出至加熱裝置36，來控制加熱裝置36對下部電極進行加熱，從而實現對基板上接觸區域溫度的補償。需要說明的是，在此過程中，溫度信號放大的倍數k1，即溫度補償的倍數k1，取決于第五電阻R5與第六電阻R6的比值：k1＝R6/R5。

基于圖8所示出的溫度補償控制模塊35的電路結構，為了使所輸出的補償后基板溫度信號穩定，防止電路負載過大所導致的補償后基板溫度信號衰減，如圖9所示，可在溫度補償控制模塊35中增設第二開關管M2和第三開關管M3，其中，第二開關管M2的控制端與第一放大器A1′的輸出端相連，第二開關管M2的輸入端與高溫度使能信號端相連，第二開關管M2的輸出端與加熱裝置36相連；第三開關管M3的控制端與第一放大器A1′的輸出端相連，第三開關管M3的輸入端與低溫度使能信號端相連，第三開關管M3的輸出端與加熱裝置36相連。高溫度使能信號端能夠提供一高溫度使能信號，低溫度使能信號端能夠提供一低溫度使能信號，高溫度使能信號大于低溫度使能信號。

在方案二和方案三中，在差值比較模塊33對差值計算模塊32計算得到的各差值分別與差值閾值進行比較之前，為了便于差值比較模塊33的比較，提高差值比較模塊33比較的準確度，如圖10和圖11所示，可在差值計算模塊32與差值比較模塊33之間設置一差值放大模塊37，利用該差值放大模塊37對差值計算模塊32計算得到的各差值進行信號放大，放大之后的信號再進入差值比較模塊33中與差值閾值進行比較，從而可提高比較的準確度。

差值放大模塊37的結構可為：包括第二放大器A2′、第二電容C2、第七電阻R7和第八電阻R8，其中，第二放大器A2′的第一輸入端與差值計算模塊32相連，第二放大器A2′的第二輸入端接地，第二放大器A2′的輸出端與差值比較模塊33相連；第二電容C2連接于差值計算模塊32與第二放大器A2′的第一輸入端之間；第七電阻R7連接于第二電容C2與第二放大器A2′的第一輸入端之間；第八電阻R8并聯于第二放大器A2′的第一輸入端與第二放大器A2′的輸出端。

上述差值放大模塊37的工作過程為：當差值計算模塊32輸出基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值后，該溫度的差值作為放大前溫度差值信號輸入至差值放大模塊37的第二放大器A2′中，經過第二放大器A2′的信號放大作用，放大前溫度差值信號被放大，作為放大后溫度差值信號輸出至差值比較模塊33中，該放大后溫度差值信號仍然攜帶有基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值信息。需要說明的是，在此過程中，溫度差值信號放大的倍數k2，取決于第七電阻R7與第八電阻R8的比值：k2＝R8/R7。

在方案二和方案三中，設置于下部電極內的加熱裝置36可以有多種實現形式，較為優選的是，如圖13所示，加熱裝置36可為電阻絲，當電阻絲加熱時，下部電極1的溫度升高，從而下部電極1所對應的基板2的接觸區域B1的溫度升高，接觸區域B1的溫度得到補償，接觸區域B1與其周邊的非接觸區域B2之間的溫度差異得以縮小甚至消除。

如圖14所示，在本實施例所提供的基板溫度監測裝置3中，其溫度感測模塊31優選的可包括：多個紅外溫度傳感器311、圖像繪制單元312和圖像處理單元313，其中，紅外溫度傳感器311安裝于刻蝕腔室的內壁的上部，以能夠準確感測基板上各區域的溫度的為準；圖像繪制單元312與各紅外溫度傳感器311相連，圖像繪制單元312用于根據紅外溫度傳感器311的感測結果，繪制基板的溫度分布圖，在該溫度分布圖中，可用顏色的深淺代表基板平面上溫度的高低，顏色越深則代表溫度越低，顏色越淺則代表溫度越高，此外還可采用不同的顏色來區分低溫區域和高溫區域，例如：采用藍色表示低溫區域，采用紅色表示高溫區域；圖像處理單元313與圖像繪制單元312相連，圖像處理單元313用于將基板的溫度分布圖的圖像信號轉化為表征基板上各區域的溫度的數字信號，以便于后續對基板上各區域的溫度信息進行計算、放大、比較、補償等處理。

實施例二

基于實施例一，本實施例提供了一種干刻設備，如圖15所示，該干刻設備包括：刻蝕腔室6，設置于刻蝕腔室6內部下方的基臺4，設置于基臺4上的多個下部電極1，設置于刻蝕腔室6上方的上部電極7，及如實施例一中所述的基板溫度監測裝置。

在圖15中僅示例性地示出了基板溫度監測裝置中的部分部件：安裝于刻蝕腔室6的內壁的上部的多個紅外溫度傳感器311，及設置于各下部電極1內部的加熱裝置36，其中，紅外溫度傳感器311用于實時感測刻蝕時基板2上各區域的溫度，加熱裝置36用于對基板2上的接觸區域進行溫度補償。本實施例中的干刻設備所采用的基板溫度監測裝置也可采用其它的結構和部件。

本實施例所提供的干刻設備包括基板溫度監測裝置，該基板溫度監測裝置能夠使工作人員實時了解刻蝕時基板2上的溫度分布情況，從而當了解到基板上多處接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值較大時，可及時對下部電極進行清潔或更換，及時、有效的減輕或避免了由于基板上不同區域存在溫度差異所引起的姆拉現象，并且能夠準確把握對下部電極進行清潔或更換的時間，不會引起工作效率的下降和生產成本的不必要浪費。

實施例三

本實施例提供了一種基板溫度監測方法，該基板溫度監測方法包括以下步驟：

實時感測刻蝕時刻蝕腔室內的基板上各區域的溫度；

根據所感測到的基板上各區域的溫度，計算所述基板上各接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度的差值；

其中，所述接觸區域為刻蝕時所述基板上對應所述刻蝕腔室內的下部電極的區域，所述非接觸區域為刻蝕時所述基板上非對應所述下部電極的區域。

本實施例所提供的基板溫度監測方法的有益效果與實施例一所提供的基板溫度監測裝置的有益效果相同，此處不再贅述。

作為一個優選方案，如圖16所示，上述基板溫度監測方法還可包括以下步驟：將計算得到的各差值分別與差值閾值進行比較，統計所述差值大于所述差值閾值的接觸區域的數量，在所統計的數量大于數量閾值時，對所述差值大于所述差值閾值的接觸區域所對應的下部電極進行加熱。

作為另外一個優選方案，如圖17所示，上述基板溫度監測方法還可包括以下步驟：將計算得到的各差值分別與差值閾值進行比較，對所述差值大于所述差值閾值的接觸區域所對應的下部電極進行加熱。

在上述兩個優選方案中，通過對基板上某一或某些溫度較低的接觸區域所對應的下部電極進行加熱，實現在溫度較低的接觸區域的溫度補償，從而縮小可溫度較低的接觸區域與其周邊非接觸區域的溫度差異，更加徹底地消除了姆拉現象。

以上所述僅為本發明的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。