技術總結
本發明公開了一種MOSFET，源區和所述漏區具有非對稱的結構：漏區的橫向結深大于所述源區的橫向結深，漏區的縱向結深大于源區的縱向結深；通過增加漏區的橫向結深和縱向結深來提高器件的擊穿電壓，通過減少源區的橫向結深和縱向結深來減少器件的橫向尺寸；柵介質層具有非對稱的結構：柵介質層包括橫向連接的第一柵介質段和第二柵介質段；第一柵介質段的厚度大于第二柵介質段的厚度；通過增加第一柵介質段的厚度減少器件的GIDL效應，通過減少第二柵介質段的厚度增加器件的驅動電流。本發明還公開了一種MOSFET的制造方法。本發明能提高器件的擊穿電壓同時降低器件尺寸，能減小GIDL效應同時提高器件的電流驅動能力。
技術研發人員：陳瑜
受保護的技術使用者：上海華虹宏力半導體制造有限公司
文檔號碼：201610566545
技術研發日：2016.07.19
技術公布日：2016.12.07