技術總結
高壓功率MOSFET包括第一導電型摻雜的半導體襯底；在半導體襯底中的第二導電型摻雜的源極和第二導電型摻雜的漏區；在半導體襯底上由第二導電型摻雜的一個或多個漏層，橫跨于體區與漏區之間；高壓功率MOSFET還包括絕緣層，絕緣層至少覆蓋體區和一個或多個漏層的部分區域；在絕緣層上的電壓控制層，構造電壓分布以耗盡其中的電荷載流子，進而增加開路狀態下的開路電壓，以及在通路狀態下積累電荷載流子，進而降低導通電阻。
技術研發人員：韋韜
受保護的技術使用者：珀爾微斯電子有限公司
文檔號碼：201610515426
技術研發日：2016.07.01
技術公布日：2016.11.23