1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在絕緣層上形成使所述絕緣層的一部分露出的氧化物半導體層；
對從所述氧化物半導體層露出的所述絕緣層進行使用了含有氯的氣體的等離子處理；
將所述露出的所述絕緣層的表層的氯雜質除去。
2.如權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
通過使用含有氟的氣體的第1蝕刻處理，將所述氯雜質除去。
3.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
通過對所述露出的所述絕緣層的半蝕刻，將所述氯雜質除去。
4.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述含有氟的氣體包括CF4以及CHF3。
5.如權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述等離子處理是使用含有氯的氣體的第2蝕刻處理。
6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述絕緣層上以及所述氧化物半導體層上形成導電層；
通過所述第2蝕刻處理對所述導電層進行蝕刻，從而所述氧化物半導體層的一部分以及所述絕緣層的一部分露出。
7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
形成柵極電極；
所述絕緣層形成在所述柵極電極上。
8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，
對表面露出的絕緣層，進行使用了含有氯的氣體的等離子處理；
將所述露出的絕緣層的表層的氯雜質除去；
在所述露出的絕緣層上形成氧化物半導體層。
9.如權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
通過使用含有氟的氣體的第1蝕刻處理，將所述氯雜質除去。
10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
通過對所述露出的絕緣層的半蝕刻，將所述氯雜質除去。
11.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述含有氟的氣體包括CF4以及CHF3。
12.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
所述等離子處理是使用含有氯的氣體的第2蝕刻處理。
13.如權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述絕緣層上形成導電層；
通過所述第2蝕刻處理對所述導電層進行蝕刻，從而所述絕緣層的一部分露出。
14.如權利要求13所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
在所述氧化物半導體層上形成柵極絕緣層；
柵極電極形成在所述柵極絕緣層上。
15.一種半導體裝置，其特征在于，具有：
柵極電極；
所述柵極電極上的柵極絕緣層；
氧化物半導體層，隔著所述柵極絕緣層而與所述柵極電極對置；以及
所述氧化物半導體層上的源極電極·漏極電極，所述源極電極·漏極電極與所述氧化物半導體層連接；
從所述氧化物半導體層以及所述源極電極·漏極電極露出的區域的所述柵極絕緣層的膜厚比所述氧化物半導體層下的所述柵極絕緣層的膜厚以及所述源極電極·漏極電極下的所述柵極絕緣層的膜厚薄。
16.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，
所述氧化物半導體層下的所述柵極絕緣層的膜厚與所述源極電極·漏極電極下的所述柵極絕緣層的膜厚是相同的膜厚。