1.一種半導體器件，包括：
塊分隔器，包括半導體膜和多層絕緣膜，其中，多層絕緣膜圍繞半導體膜；
存儲塊層疊，通過塊分隔器彼此分開，每個存儲塊層疊包括交替地層疊的層間絕緣膜和導電圖案，其中，導電圖案耦接到存儲單元；以及
通道結構，穿過存儲塊層疊并且電耦接到存儲單元。
2.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：
隧道絕緣膜，分別圍繞通道結構；
數據儲存膜，分別圍繞隧道絕緣膜；以及
阻擋絕緣膜，分別圍繞數據儲存膜。
3.如權利要求2所述的半導體器件，
其中，多層絕緣膜包括第一膜、第二膜和第三膜的層疊，
其中，第一膜包括與隧道絕緣膜相同的材料，
其中，第二膜包括與數據儲存膜相同的材料，以及
其中，第三膜包括與阻擋絕緣膜相同的材料。
4.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，每個通道結構包括與塊分隔器的半導體膜相同的材料膜。
5.如權利要求1所述的半導體器件，其中，通道結構和塊分隔器中的每個包括：
核心絕緣膜；以及
蓋層導電膜，設置在核心絕緣膜上方。
6.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：
線分隔器，穿過每個存儲塊層疊，以將每個存儲塊層疊劃分為源極側層疊和漏極側層疊。
7.如權利要求6所述的半導體器件，
其中，塊分隔器具有比線分隔器更大數目的材料膜。
8.如權利要求6所述的半導體器件，
其中，線分隔器由單個絕緣材料制成。
9.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，每個存儲塊層疊被劃分成源極側層疊和漏極側層疊。
10.如權利要求9所述的半導體器件，還包括：
管柵，在源極側層疊和漏極側層疊之下；以及
管分割絕緣膜，設置在塊分隔器之下并將管柵劃分為子管柵。
11.如權利要求10所述的半導體器件，
其中，通道結構包括第一通道結構，以及
其中，第一通道結構包括：
第一管通道，形成在管柵中；
第一源極側柱，從第一管通道的第一端垂直地延伸到源極側層疊中；以及
第一漏極側柱，從第一管通道的第二端垂直地延伸到漏極側層疊中。
12.如權利要求11所述的半導體器件，
其中，通道結構包括第二通道結構，以及
其中，第二通道結構包括：
第二管通道，形成在管柵中，其中，第二管通道位于比第一管通道更高的水平處；
第二源極側柱，從第二管通道的第一端垂直地延伸到源極側層疊中；以及
第二漏極側柱，從第二管通道的第二端垂直地延伸到漏極側層疊中，
其中，第二源極側柱和第二漏極側柱兩者都設置在第一源極側柱和第一漏極側柱之間。
13.如權利要求1所述的半導體器件，
其中，塊分隔器的半導體膜在存儲單元的操作期間處于電浮置狀態。
14.一種制造半導體器件的方法，包括：
形成包括交替地層疊的第一材料膜和第二材料膜的第一垂直層疊，其中，第一垂直層疊通過第一保護圖案劃分為存儲塊并圍繞第二保護圖案；
在第一垂直層疊上形成包括交替地層疊的第三材料膜和第四材料膜的第二垂直層疊，其中，第二垂直層疊通過上塊狹縫劃分為存儲塊，其中，上塊狹縫垂直地穿過第二垂直層疊以暴露第一保護圖案，其中，上通道孔穿過第二垂直層疊以暴露第二保護圖案；
經由上塊狹縫和上通道孔除去第一保護圖案和第二保護圖案以分別形成第一空間和 第二空間；
填充上塊狹縫和第一空間以形成塊分隔器；以及
填充上通道孔和第二空間以形成通道結構，
其中，基本上同時執行填充上塊狹縫和第一空間的步驟以及填充上通道孔和第二空間的步驟。
15.如權利要求14所述的方法，其中，形成塊分隔器的步驟和形成通道結構的步驟包括：
在上通道孔、上塊狹縫、第一空間和第二空間中的每個的內側壁之上形成多層絕緣膜；以及
在多層絕緣膜之上形成半導體膜。
16.如權利要求15所述的方法，
其中，中空的中心形成在半導體膜的中心中，以及
其中，所述方法還包括在半導體膜的中空的中心中填充核心絕緣膜。
17.如權利要求16所述的方法，還包括：
在核心絕緣膜上方形成蓋層導電膜。
18.如權利要求14所述的方法，還包括：
形成穿過第一垂直層疊和第二垂直層疊的線分割狹縫，其中，第一材料膜至第四材料膜通過線分割狹縫暴露；
經由線分割狹縫除去第二材料膜和第四材料膜，以分別形成第三空間和第四空間；
在第三空間和第四空間中填充第五材料圖案；以及
用單個絕緣材料填充線分割狹縫。
19.如權利要求14所述的方法，還包括：
形成具有溝槽和耦接到溝槽的管通孔的管柵；以及
用犧牲材料填充溝槽和管通孔，
其中，形成通過第一保護圖案劃分并圍繞第二保護圖案的第一垂直堆疊的步驟包括：
在管柵上交替地層疊第一材料膜和第二材料膜；
形成下通道孔和下塊狹縫，其中，下通道孔垂直地穿過第一垂直層疊并連接到管通孔，其中，下塊狹縫垂直地穿過第一垂直層疊以將第一垂直層疊劃分為存儲塊；
經由下通道孔除去犧牲材料以暴露管通孔和溝槽；以及
形成第一保護圖案和第二保護圖案，其中，第一保護圖案填充下塊狹縫，其中，每個第二保護圖案填充下通道孔、管通孔和溝槽中的每個。
20.如權利要求19所述的方法，
其中，溝槽包括第一溝槽和第二溝槽，其中，第二溝槽設置在比第一溝槽更高的水平處，
其中，管通孔包括第一對和第二對，
其中，第一對包括第一源極側通道孔和第一漏極側通道孔，
其中，第二對包括第二源極側通道孔和第二漏極側通道孔，
其中，第一源極側通道孔和第一漏極側通道孔耦接到第一溝槽，
其中，第二源極側通道孔和第二漏極側通道孔耦接到第二溝槽，以及
其中，第二源極側通道孔和第二漏極側通道孔兩者都設置在第一源極側通道孔和第一漏極側通道孔之間。