1.一種二極管元件，其特征在于：
一基板；
一磊晶層，設置于所述基板上，其中所述磊晶層定義一主動區及一鄰近所述主動區的終止區；
一溝槽式柵極結構，位于所述主動區；
一肖特基二極管結構，位于所述主動區；以及
一終端結構，位于所述終止區，其中所述終端結構包括：
一終端溝槽，形成于所述磊晶層中，其中所述終端溝槽的內壁面包括一靠近所述主動區的第一側壁面及一與所述第一側壁面相對并遠離所述主動區的第二側壁面；
一終端絕緣層，順形地覆蓋于所述終端溝槽的內壁面；
一第一間隙壁，位于所述終端溝槽內，并疊設于所述終端絕緣層上，其中所述第一間隙壁緊靠所述第一側壁面；
一第二間隙壁，位于所述終端溝槽內，并疊設于所述終端絕緣層上，其中所述第二間隙壁緊靠所述第二側壁面；及
一第一摻雜區，位于所述終端溝槽下方的磊晶層內，其中所述第一摻雜區與所述磊晶層具有相反的導電型。
2.如權利要求1所述的二極管元件，其中所述終端絕緣層具有一位于所述終端溝槽底部的一底部氧化層，其中靠近所述第一側壁面或所述第二側壁面的所述底部氧化層的厚度小于位于終端溝槽的中央的底部氧化層的厚度。
3.如權利要求1所述的二極管元件，其中所述終端絕緣層具有一位于所述終端溝槽底部的一底部氧化層，其中所述底部氧化層的厚度由中間朝兩端的方向漸減。
4.如權利要求1所述的二極管元件，其中所述終端絕緣層具有一位于所述終端溝槽底部的一底部氧化層，其中所述底部氧化層的下表面為曲面。
5.如權利要求2、3或4所述的二極管元件，其中所述第一接觸墊與所述底部氧化層的重疊長度至少大于所述終端溝槽寬度的1/5。
6.如權利要求1所述的二極管元件，其中所述第一間隙壁包括一第一半導體層及形成于所述第一半導體層表面的一第一絕緣層，其中所述第一絕緣層位于所述第一半導體層的部分表面。
7.如權利要求1所述的二極管元件，其中所述第二間隙壁包括一第二半導體層及形成于所述第二半導體層表面的一第二絕緣層，其中所述第二氧化層完全覆蓋所述第二半導體層的表面。
8.如權利要求1所述的二極管元件，其中所述溝槽式柵極結構包括：
至少一溝槽，其中所述溝槽形成于所述磊晶層中；
一柵極介電層，順形地形成于所述溝槽的內壁面；以及
一導電層，填滿所述溝槽，并通過所述柵極介電層與所述磊晶層電性絕緣。
9.如權利要求8所述的二極管元件，其中所述溝槽的寬度小于所述終端溝槽的寬度，且所述溝槽的深度小于所述中端溝槽的深度。
10.如權利要求8所述的二極管元件，其中所述肖特基二極管結構包括：
一平臺，所述平臺由形成于所述磊晶層內的所述溝槽所定義；
一第二摻雜區，形成于所述平臺的頂部區域，其中所述第二摻雜區與所述磊晶層具有相反的導電型；以及
一金屬層，形成于所述磊晶層上，其中所述金屬層電性連接于所述導電層，并接觸所述平臺的頂面，以形成肖特基接觸。
11.如權利要求10所述的二極管元件，其中所述金屬層選自由鈦、鉑、鎢、鎳、鉻、鉬、錫及其金屬硅化物所組成的群組其中的一種。
12.如權利要求1所述的二極管元件，還包括；
一第一接觸墊，形成于所述肖特基二極管結構與所述溝槽式柵極結構上，其中所述第一接觸墊由所述主動區延伸至所述終止區，并覆蓋于所述第一間隙壁與部分所述終端絕緣層；
一第二接觸墊，設置于所述基板的背面。
13.一種二極管元件的制造方法，其特征在于：
提供一基板；
形成一磊晶層于所述基板上，其中所述磊晶層定義一主動區以及一位于所述主動區外圍的終止區；
執行一蝕刻步驟，以在所述磊晶層中形成一位于所述主動區的溝槽及一位于所述終止區的終端溝槽，其中所述終端溝槽的寬度大于所述溝槽的寬度，且所述溝槽于所述主動區中定義出至少一平臺，其中所述終端溝槽的內壁面包括一底表面、一第一側壁面及一與所述第一側壁面相對的第二側壁面；
執行一第一摻雜步驟于所述磊晶層，以在所述終端溝槽下方的所述磊晶層中形成一摻雜區，其中所述摻雜區與所述磊晶層具有相反的導電型；
執行一第一熱氧化工藝，以形成一介電層，以覆蓋所述溝槽的內壁面，所述平臺的頂面以及所述終端溝槽的內壁面；
形成一柵極于溝槽內，并在終端溝槽的第一側壁面與第二側壁面上分別形成一第一側壁間隔結構及一第二側壁間隔結構；
形成一硬質掩膜層覆蓋所述主動區，以及部分第一側壁間隔結構；
執行一第二熱氧化工藝，以在所述終端溝槽底部形成一底部氧化層，并擴大摻雜區的范圍而形成一第一摻雜區，其中所述底部氧化層的厚度由中間朝兩端的方向遞減；
移除所述硬質掩膜層以及位于所述平臺頂面上的部分所述介電層，以分別于所述溝槽與所述終端溝槽中形成一柵極介電層及一終端絕緣層；以及
形成一金屬層于所述主動區，其中所述金屬層電性連接所述柵極，并接觸所述平臺的頂面，以形成肖特基接觸。
14.如權利要求13所述的二極管元件的制造方法，還包括：
在執行所述蝕刻步驟之前，形成一遮罩圖案層于所述磊晶層上；
在執行所述蝕刻步驟之后，形成一氧化層，以填滿所述溝槽，并覆蓋所述第一側壁面與所述第二側壁面，其中所述氧化層暴露所述終端溝槽的所述底表面；
在執行所述第一摻雜步驟時，通過所述氧化層及所述遮罩圖案層，對鄰近所述底表面的磊晶層進行摻雜，以形成所述摻雜區；以及
在形成所述介電層之前，移除所述氧化層及所述遮罩圖案層。
15.如權利要求13所述的二極管元件的制造方法，其中在執行所述第二熱氧化工藝之后，所述部分第一側壁間隔結構與部分第二側壁間隔結構的表面被氧化，而分別形成一第一間隙壁與一第二間隙壁。
16.如權利要求13所述的二極管元件的制造方法，其中所述金屬層選自由鈦、鉑、鎢、鎳、鉻、鉬、錫及其金屬硅化物所組成的群組其中的一種。
17.如權利要求13所述的二極管元件的制造方法，還包括：
形成一第一接觸墊于所述金屬層上，并且所述第一接觸墊電性連接于所述金屬層；以及
形成一第二接觸墊于所述基板的背面。
18.如權利要求17所述的二極管元件的制造方法，其中所述第一接觸墊由所述主動區延伸至所述終止區，并覆蓋于所述第一間隙壁與部分所述底部氧化層。
19.如權利要求13所述的二極管元件的制造方法，還包括：
執行一第二摻雜步驟，以在所述平臺頂部形成一第二摻雜區，其中所述第二摻雜區與所述磊晶層具有相反的導電型。