技術總結
一種絕緣柵雙極型晶體管器件結構，頂部包括有源原胞和虛擬原胞，有源原胞由兩個相鄰的有源溝槽及其相鄰半導體層組成，有源原胞的左右兩邊都是虛擬原胞，虛擬原胞包含虛擬溝槽，虛擬原胞以虛擬溝槽為邊界，所有溝槽都至少穿透部分CS層和部分N-漂移層；器件頂部包括三種P型基區，第一種P型基區位于有源原胞區域內，但不存在于兩個有源溝槽之間，上面還設有N+發射區和P+接觸區，并通過介質層中的窗口和金屬發射極相連接；第二種P型基區位于有源原胞區域內的兩個有源溝槽之間，并且都是電位懸空的；第三種P型基區位于虛擬原胞區域內。
技術研發人員：李宇柱
受保護的技術使用者：常州中明半導體技術有限公司
文檔號碼：201510477924
技術研發日：2015.08.06
技術公布日：2017.02.22