鰭式場效應管的形成方法與流程

技術特征：
1.一種鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底上具有若干分立的鰭部，相鄰鰭部之間具有隔離結構，所述隔離結構的表面低于鰭部的頂部表面；形成覆蓋所述鰭部以及隔離結構的犧牲層；對所述犧牲層進行離子注入，在所述犧牲層中形成離子摻雜層；采用化學機械研磨工藝平坦化所述犧牲層，以離子摻雜層作為停止層；刻蝕以離子摻雜層作為停止層平坦化后剩余的犧牲層，形成橫跨所述鰭部頂部和側壁表面的偽柵；其中前述過程包括方案a或方案b，方案a，所述犧牲層的材料為多晶硅時，所述離子注入的雜質離子為鍺離子、硅離子和碳離子中的一種，形成的離子摻雜層為非晶層，非晶層的密度和硬度都明顯低于多晶硅的密度和硬度，化學機械研磨所述犧牲層時，當檢測到研磨的速率發生變化時，停止研磨的進行；方案b，所述犧牲層的材料為多晶硅或無定形硅時，所述離子注入的雜質離子為氧離子、氮離子、砷離子、硼離子和銻離子中的一種，化學機械研磨所述犧牲層時，當檢測到研磨液中雜質離子的濃度變化時，停止研磨的進行。2.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度大于等于600納米。3.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，當檢測到研磨的速率發生變化時，停止研磨的進行的過程包括：化學機械研磨所述犧牲層時，當檢測到研磨速率從一定的速率逐漸增大，達到最大值后再逐漸減小時，停止研磨的進行。4.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，當檢測到研磨液中雜質離子的濃度變化時，停止研磨的進行的過程包括：化學機械研磨所述犧牲層時，當檢測到研磨液中的雜質離子的濃度先逐漸增大，達到最大值后再逐漸減小時，停止研磨的進行。5.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的能量為1～20Kev，劑量大于等于1E15/cm2。6.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述犧牲層表面形成填充材料層，以填充犧牲層表面形成的凹陷，對所述犧牲層和填充材料層進行離子注入，在犧牲層中形成離子摻雜層。7.如權利要求6所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為30～200納米。8.如權利要求6所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的雜質離子為鍺離子、硅離子、碳離子、氧離子、氮離子、砷離子、硼離子或銻離子。9.如權利要求8所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述離子注入的能量為1～40Kev，劑量大于等于1E15/cm2。10.如權利要求6所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述填充材料層為無定形碳。11.如權利要求6所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述填充材料層的厚度為200～400納米。12.如權利要求6所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述填充材料層的形成工藝為可流動性化學氣相沉積。13.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述化學機械研磨工藝采用的研磨液的主體成分為膠體氧化硅，稀釋劑為氫氧化鈉，膠體氧化硅的質量百分含量為10％～20％，研磨液的PH值為10～13。14.如權利要求1所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，還包括：形成覆蓋所述鰭部和偽柵的介質層；平坦化所述介質層，暴露出偽柵的頂部表面；去除所述偽柵，形成凹槽；在凹槽中填充滿金屬，形成金屬柵極。15.如權利要求14所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在凹槽中填充金屬之前，在凹槽的側壁和底部表面形成高K柵介質層，在高K柵介質層上形成功能層。16.如權利要求14所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，在所述金屬柵極兩側的鰭部內形成鰭式場效應管的源/漏區。17.如權利要求16所述的鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，所述源/漏區為嵌入式源漏區。