太陽能電池單元及其制造方法與流程

技術特征：
1.一種太陽能電池單元的制造方法，該方法包括：a)提供襯底(100)，所述襯底(100)包括第一表面(101)和與該第一表面(101)相對的第二表面(102)；b)對所述第一表面(101)和第二表面(102)分別進行重摻雜，在所述第一表面(101)上形成第一摻雜區(110)以及在所述第二表面(102)上形成第二摻雜區(120)；c)從所述襯底的第一表面(101)和第二表面(102)形成至少兩個第一溝槽(300)以及至少一個第二溝槽(301)，其中每個所述第二溝槽(301)位于相鄰的兩個所述第一溝槽(300)之間，從而形成至少兩個基板(500)和至少一個基片構成的豎直基板陣列；d)對所述第一溝槽(300)和第二溝槽(301)的側壁分別進行重摻雜，在所述第一溝槽(300)的側壁形成第三摻雜區(130)以及在所述第二溝槽(301)的側壁形成第四摻雜區(140)，其中，在所述第一摻雜區(110)和所述第二摻雜區(120)的雜質類型相同的情況下：所述第三摻雜區(130)的雜質類型和第一摻雜區(110)以及第二摻雜區(120)的雜質類型相同，第四摻雜區(140)中的雜質類型和第一摻雜區(110)以及第二摻雜區(120)中的雜質類型相反，且第四摻雜區(140)的最高摻雜濃度比第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)的最高摻雜濃度低；或者在所述第一摻雜區(110)和所述第二摻雜區(120)的雜質類型相反的情況下：第三摻雜區(130)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相反，且第三摻雜區(130)中靠近第一溝槽(300)底部的區域的最高摻雜濃度比第二摻雜區(120)的最高摻雜濃度低，第四摻雜區(140)和第一摻雜區(110)中雜質的類型相反，且第四摻雜區(140)中靠近第二溝槽(301)底部的區域的最高摻雜濃度比第一摻雜區(110)的最高摻雜濃度低。2.根據權利要求1所述的制造方法，其中：所述襯底(100)的材料包括單晶Si、單晶Ge、或單晶SiGe，且所述第一表面(101)或第二表面(102)為{110}面或{112}面，且所述第一溝槽(300)和第二溝槽(301)的側壁為{111}面。3.根據權利要求1所述的制造方法，其中，對所述第一表面(101)和第二表面(102)進行雜質類型相同的重摻雜。4.根據權利要求1所述的制造方法，其中，對所述第一表面(101)和第二表面(102)進行雜質類型相反的重摻雜。5.根據權利要求1至4中任一項所述的制造方法，其中：所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)的最高摻雜濃度高于5×1019cm-3。6.根據權利要求1至4中任一項所述的制造方法，其中，在所述步驟b)之后并且在步驟c)之前還包括：e)在所述襯底(100)的第一表面(101)和第二表面(102)之上分別形成第一基片(200)和第二基片(210)。7.根據權利要求6所述的制造方法，其中，在所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相反的情況下：當所述第一摻雜區(110)中雜質的類型為N型、所述第二摻雜區(120)中雜質的類型為P型，則所述第一基片(200)中緊鄰襯底(100)的部分的材料為SiN、所述第二基片(210)的中緊鄰所述襯底(100)的材料為Al2O3；當所述第一摻雜區(110)中雜質的類型為P型、所述第二摻雜區(120)中雜質的類型為N型，則所述第一基片(200)中緊鄰襯底(100)的部分的材料為Al2O3、所述第二基片(210)中緊鄰所述襯底(100)的材料為SiN。8.根據權利要求6所述的制造方法，其中，在所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相同的情況下：當所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型均為N型，則所述第一基片(200)和第二基片(210)中緊鄰襯底(100)的部分的材料為SiN；當所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型均為P型，則所述第一基片(200)和第二基片(210)中緊鄰襯底(100)的部分的材料為Al2O3。9.一種太陽能電池單元，該太陽能電池單元，包括基板(500)，該基板(500)具有第三表面(501)和與該第三表面(501)相對的第四表面(502)，其中，在所述第三表面(501)和第四表面(502)上分別具有第三摻雜區(130)和第四摻雜區(140)，在與所述第三表面(501)和第四表面(502)相鄰的側表面上分別具有第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)，所述第三摻雜區(130)和第四摻雜區(140)中雜質的類型相反，且第三摻雜區(130)和第四摻雜區(140)的最高摻雜濃度比第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)的最高摻雜濃度低。10.根據權利要求9所述的太陽能電池單元，其中，所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相同。11.根據權利要求9所述的太陽能電池單元，其中，所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相反。12.根據權利要求9至11中任一項所述的太陽能電池單元，其中：所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)的表面摻雜濃度高于5×1019cm-3。13.根據權利要求9至11中任一項所述的太陽能電池單元，其中：在所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)的表面上存在第一基片(200)和第二基片(210)。14.根據權利要求13所述的太陽能電池單元，其中，在所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相同的情況下：當所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型均為N型，則所述第一基片(200)和第二基片(210)中緊鄰基板(500)的部分的材料為SiN；當所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型均為P型，則所述第一基片(200)和第二基片(210)中緊鄰基板(500)的部分的材料為Al2O3。15.根據權利要求13所述的太陽能電池單元，在所述第一摻雜區(110)和第二摻雜區(120)中雜質的類型相反的情況下：當所述第一摻雜區(110)中雜質的類型為N型、所述第二摻雜區(120)中雜質的類型為P型，則所述第一基片(200)中緊鄰所述基板(500)的材料為SiN、所述第二基片(210)中緊鄰基板(500)的部分的材料為Al2O3；當所述第一摻雜區(110)中雜質的類型為P型、所述第二摻雜區(120)中雜質的類型為N型，則所述第一基片(200)中緊鄰基板(500)的部分的材料為Al2O3、所述第二基片(210)中緊鄰所述基板(500)的材料為SiN。