太陽能電池單元及其制造方法與流程

本發明涉及太陽能電池領域，尤其涉及一種太陽能電池單元及其制造方法。

背景技術：
近年來，由于能源短缺以及環境污染等問題，太陽能成為解決這些問題的方案之一，而隨著太陽能電池和半導體產業的迅速發展，太陽能電池廣泛應用于各個領域。如圖1所示，現有技術中的太陽能電池單元通常包括P型摻雜配置或者N型摻雜配置的基板10，在所述基板10的一個主表面上存在P+摻雜區20，而在所述基板10的另一個主表面上存在N+摻雜區30。在需要獲得較大輸出電壓的情況下，可以通過串聯上述多個太陽能電池單元來實現。在實際應用中，現有的太陽能電池單元存在以下的不足之處：(1)太陽能電池單元中的側表面(即連接太陽能電池單元的兩個主表面的表面)處的復合會引起光生載流子的損失，因此，需要對太陽能電池單元的側表面進行處理，減少表面區域的復合。通常處理是在具有N型摻雜的表面上沉積SiN，在具有P型摻雜的表面沉積Al2O3，以此來降低太陽能電池的表面區域復合。現有太陽能電池單元的側表面通常同時有N型摻雜區域和P型摻雜區域，這樣的結構就難以用單一處理來同時減少N型摻雜區域和P型摻雜區域表面復合；(2)太陽能電池單元的兩個電極通常分別從太陽能電池單元的進光面和背光面引出，位于進光面的電極會對光線進入太陽能電池單元內產生一定的遮擋，從而影響太陽能電池單元的進光效率和轉換效率；(3)多個太陽能電池單元通過串聯，可以增加輸出電壓，但是當其中一個太陽能電池單元被遮擋而無法照到光時，其它太陽能電池單元因光照產生的電壓將降在該太陽能電池單元，使該太陽能電池單元處于反向偏壓，由于太陽能電池單元的反向電流通常很小，這樣導致串聯的多個太陽能電池單元不能有效輸出電能，而且當反向偏壓大于該太陽能電池單元反向擊穿電壓時，會造成它受損。通常的解決方式是通過將旁路二極管與太陽能電池單元進行并聯，當某個太陽能電池單元因遮擋而無法照到光時，串聯的其它太陽能電池單元的電流可以通過與被遮光太陽能電池單元并聯的旁路二極管來繞過該不正常的太陽能電池單元，以此來保證串聯狀態下的其它太陽能電池單元可以正常輸出電能，同時加在被遮光太陽能電池單元上的反向偏壓被限制在旁路二極管的導通電壓范圍，從而避免反向擊穿損壞。然而，這種方式需要使用額外的旁路二極管，從而增加了電路的復雜性和成本。因此，亟需提出一種可以解決上述問題的太陽能電池單元及其制造方法。

技術實現要素：
本發明的目的是提供一種太陽能電池單元及其制造方法，使太陽能電池單元的側面具有單一摻雜類型，從而利于對太陽能電池單元的側面進行處理以降低表面區域的載流子復合，以及利于從太陽能電池的側面引出電極，提高進光效率。此外，本發明所提供的太陽能電池單元在反向偏壓時，反向電流比一般的太陽能電池單元反向電流大，等效于在反向時內置了旁路二極管，從而不需要額外的旁路二極管。根據本發明的一個方面，提供了一種太陽能電池單元的制造方法，該方法的步驟包括：a)提供襯底，所述襯底包括第一表面和與該第一表面相對的第二表面；b)對所述第一表面和第二表面分別進行重摻雜，在所述第一表面上形成第一摻雜區以及在所述第二表面上形成第二摻雜區；c)從所述襯底的第一表面和第二表面形成至少兩個第一溝槽以及至少一個第二溝槽，其中每個所述第二溝槽位于相鄰的兩個所述第一溝槽之間，從而形成至少兩個基板和至少一個基片構成的豎直基板陣列；d)對所述第一溝槽和第二溝槽的側壁分別進行重摻雜，在所述第一溝槽的側壁形成第三摻雜區以及在所述第二溝槽的側壁形成第四摻雜區，且保持所述第一摻雜區和第二摻雜區的表面摻雜類型不發生改變，從而形成豎直太陽能電池陣列，其中，所述第三摻雜區和第四摻雜區中雜質的類型相反。根據本發明的另一個方面，還提供了一種太陽能電池單元，該太陽能電池單元包括基板，該基板具有第三表面和與該第三表面相對的第四表面，其中，在所述第三表面和第四表面上分別具有第三摻雜區和第四摻雜區，在與所述第三表面和第四表面相鄰的側表面上分別具有第一摻雜區和第二摻雜區，所述第三摻雜區和第四摻雜區中雜質的類型相反，所述第一摻雜區和第二摻雜區的表面具有單一的摻雜類型。與現有技術相比，本發明具有以下優點：(1)與傳統太陽能電池單元的側面(即與太陽能電池單元長邊相連接的表面)具有兩種摻雜類型不同，本發明所提供的太陽能電池單元的側面具有單一的摻雜類型，即，太陽能電池單元的兩個側面中雜質的摻雜類型均為N型或者均為P型，又或者一個側面為N型而另一個側面為P型。因此，可以有效地降低對太陽能電池單元側面進行處理的難度；(2)由于太陽能電池單元的側面具有單一的摻雜類型，因此，便于從太陽能電池單元的側面引出電極，而無需像現有技術那樣從太陽能電池單元的進光面上引出電極，從而不會對太陽能電池的進光產生遮擋。因此，本發明所提供的太陽能電池單元具有較高的進光效率以及轉換效率；(3)當摻雜濃度滿足一定條件的時候，本發明所提供的太陽能電池單元其內部有部分區域為相對高摻雜n型區和相對高p型摻雜區緊鄰(也就是n+/p+區域)，這樣形成類似于齊納二極管結構，從而在反向偏壓時，當反向電壓超過一定值時，可以通過較大電流，不會發生反向擊穿損壞。當多個太陽能電池單元在串聯狀態下工作的時候，如果某個太陽能電池單元因無光照而無法正常工作，其內部的類似于齊納二極管結構區域(n+/p+區域)可以保證整個串聯電路保持導通狀態，仍然可以正常工作。附圖說明通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：圖1為現有技術中太陽能電池單元的剖面示意圖；圖2為根據本發明一個方面的太陽能電池單元的制造方法流程圖；圖3(a)和3(b)分別為本發明實施例所使用的襯底的俯視示意圖和剖面示意圖；圖4(a)至圖4(g)為根據本發明一個優選實施例的形成太陽能電池單元各個階段的剖面示意圖；以及圖5(a)至圖5(g)為根據本發明另一個優選實施例的形成太陽能電池單元各個階段的剖面示意圖。附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。具體實施方式下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能解釋為對本發明的限制。下文的公開提供了許多不同的實施例或例子用來實現本發明的不同結構。為了簡化本發明的公開，下文中對特定例子的部件和設置進行描述。當然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發明。此外，本發明可以在不同例子中重復參考數字和/或字母。這種重復是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實施例和/或設置之間的關系。此外，本發明提供了各種特定的工藝和材料的例子，但是本領域技術人員可以意識到其他工藝的可應用性和/或其他材料的使用。應當注意，在附圖中所圖示的部件不一定按比例繪制。本發明省略了對公知組件和處理技術及工藝的描述以避免不必要地限制本發明。另外，本文中提到的“表面區域”，指的是距離表面深度范圍在大約0到30nm的范圍內的區域。本文中提到的“表面摻雜”指的是表面區域的摻雜；相應的“表面摻雜類型”指的是表面區域的摻雜類型。文中提到的“重摻雜”，指的是摻雜的強度使得表面區域內的摻雜濃度至少高于1×1019cm-3。根據本發明的一個方面，提供了一種太陽能電池單元的制造方法，如圖2所示。下面，將結合圖3(a)和3(b)、圖4(a)至圖4(g)、以及圖5(a)至圖5(g)對圖2中示例說明的太陽能電池單元的制造方法進行具體的說明。圖3(a)和3(b)分別為本發明實施例所使用的襯底的俯視示意圖和剖面示意圖；圖4(a)至圖4(g)為根據本發明一個優選實施例的形成太陽能電池單元各個階段的剖面示意圖；以及圖5(a)至圖5(g)為根據本發明另一個優選實施例的形成太陽能電池單元各個階段的剖面示意圖。在步驟S101中，提供襯底100，所述襯底包括100第一表面101和與該第一表面101相對的第二表面102。具體地，如圖3(a)和圖3(b)所示，提供襯底100，其包括第一表面101以及與該第一表面101相對的第二表面102。所述襯底100的材料可以包括單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半導體或其組合。在本發明的一個優選實施例中，半導體襯底100包括單晶硅、單晶鍺或單晶鍺硅，優選地，第一表面101、第二表面102的晶向為{110}或{112}。所述襯底100的厚度優選小于1cm。所述襯底100可以具有N型或者P型摻雜。通常情況下，所述襯底100中雜質的摻雜濃度低于1×1017cm-3。在步驟S102中，對所述第一表面101和第二表面102分別進行重摻雜，在所述第一表面101上形成第一摻雜區110以及在所述第二表面102上形成第二摻雜區120。具體地，如圖4(a)和圖5(a)所示，通過離子注入、摻雜擴散或者原位摻雜的外延等方式，在襯底100的第一表面101形成第一摻雜區110以及在第二表面102上形成第二摻雜區120。取決于摻雜方式，襯底100的邊緣也可能被摻雜上。由于襯底邊緣摻雜與否并不影響后續工藝，因此，在圖4(a)和圖5(a)中并未對此進行體現。在一個實施例中，如圖4(a)所示，第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型相同，均為N型或者均為P型。其中優選的摻雜類型與襯底的摻雜類型相反：如果襯底摻雜類型為N型時，第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型為P型；如果襯底摻雜類型為P型時，第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型為N型；這樣第一摻雜區110和第二摻雜區120與襯底100形成PN結，幫助提高光照產生的少子載流子收集、減少少子載流子的復合，從而能提高太陽能電池效率。在另一個實施例中，如圖5(a)所示，第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型相反。如果第一摻雜區110中雜質類型為N型，則第二摻雜區120中雜質的類型為P型，如果第一摻雜區110中雜質類型為P型，則第二摻雜區120中雜質的類型為N型。對于上述兩個實施例，第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的最高摻雜濃度均顯著高于襯底100中雜質的摻雜濃度。例如，所述雜質的最高摻雜濃度大于5×1019cm-3。對于摻雜擴散或者原位摻雜的外延的摻雜方式，最高摻雜濃度的位置一般在表面區域。如果通過離子注入進行摻雜，優選通過選擇注入能量使得最高摻雜濃度的位置位于上面定義的表面區域中。在下文中，以最高摻雜濃度的位置位于表面區域中的情況來進行描述。優選地，如圖4(b)和圖5(b)所示，通過例如沉積等方式，在襯底100的第一表面101和第二表面102上分別形成第一基片200和第二基片210。第一基片200和/或第二基片210可以是單層結構，也可以是多層結構。基片材料的選擇需要考慮它們在后續襯底刻蝕形成深槽時的刻蝕阻擋效果。如果襯底材料為硅、鍺、硅鍺時，基片材料優選為包括氮化硅、氧化硅或其組合的材料層。當基片為多層結構時，可根據表面摻雜類型考慮減少載流子表面復合需要，適當地選擇基片中緊鄰襯底的部分(層)的材料。例如表面摻雜為N型，基片中緊鄰摻雜區的部分(層)其材料優選為SiN，如表面摻雜為P型，基片中緊鄰摻雜區的部分(層)其材料優選為Al2O3。如圖4(b)所示，在第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型相同的情況下，如果所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型均為N型，則所述第一基片200和第二基片210中緊鄰摻雜區的部分(層)其材料優選為SiN；如果所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型均為P型，則所述第一基片200和第二基片210中緊鄰摻雜區的部分(層)其材料優選為Al2O3。如圖5(b)所示，在第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型相反的情況下，如果第一摻雜區110中雜質的類型為N型、第二摻雜區120中雜質的類型為P型的情況下，則第一基片200中緊鄰第一摻雜區110的部分(層)其材料優選為SiN、第二基片210中緊鄰第二摻雜區120的部分(層)其材料優選為為Al2O3；如果第一摻雜區110中雜質的類型為P型、第二摻雜區120中雜質的類型為N型，則第一基片200中緊鄰第一摻雜區110的部分(層)其材料優選為Al2O3、第二基片210中緊鄰第二摻雜區120的部分(層)其材料優選為SiN。在步驟S103中，從所述襯底的第一表面101和第二表面102形成至少兩個第一溝槽300以及至少一個第二溝槽301，其中每個所述第二溝槽301位于相鄰的兩個所述第一溝槽300之間，從而形成至少兩個基板500和至少一個基片構成的豎直基板陣列。具體地，首先，如圖4(c)和圖5(c)所示，對所述第一基片200和第二基片210進行構圖(例如通過光刻加刻蝕)，在所述第一基片200上形成第一開口220、以及在第二基片210上形成第二開口230，暴露出后續步驟中在所述襯底100上待形成溝槽的位置，其中，第一開口220和第二開口230交錯排列。然后，如圖4(d)和圖5(d)所示，以構圖后的第一基片200和第二基片210為掩膜，對所述襯底100進行刻蝕，從所述襯底100的第一表面101上形成至少兩個第一溝槽300，從所述襯底100的第二表面102上形成至少一個第二溝槽301。所述第一溝槽300和第二溝槽301的開口方向相反，且每個所述第二溝槽301位于相鄰的兩個所述第一溝槽300之間，二者呈交錯排列，從而形成了至少兩個基板500和至少一個基片構成的豎直基板陣列。對于豎直基板陣列中的每個基板500來說，均具有第三表面501和與該第三表面501相對的第四表面502。在本實施例中，將所述第一溝槽300的側壁定義為基板500的第三表面501，將所述第二溝槽301的側壁定義為所述基板500的第四表面502。所述基板500的厚度范圍(即第三表面501和第四表面502之間的橫向距離)一般為10μm-200μm，但不局限在此范圍。在襯底100為單晶硅，第一表面101、第二表面102的晶向為{110}或{112}的實施例中，利用濕法刻蝕形成所述第一溝槽300和第二溝槽301。即，通過控制開口方向使得第一溝槽300和第二溝槽301的側壁晶向為{111}，并將所述襯底100放置在例如氫氧化鉀(KOH)、四甲基氫氧化銨(TMAH)或乙二胺-鄰苯二酚(EDP)等溶劑中進行腐蝕，由于{111}面腐蝕速度最慢，腐蝕基本為垂直往襯底里進行，從而形成大致垂直溝槽。通過控制溶劑的濃度以及腐蝕的時間，可以控制所述第一溝槽300和第二溝槽301的深度。對于表面具有第一基片200和第二基片210的襯底100，第一溝槽300和第二溝槽301的深度可以等于襯底100的厚度，也就是說，相鄰的兩個基板500通過第一基片200或第二基片210進行連接；對于表面不具有第一基片200和第二基片210的襯底100，第一溝槽300和第二溝槽301的深度小于襯底100的厚度，也就是說，溝槽底部未被刻蝕的襯底100部分作為基片連接相鄰的兩個基板500。在其他實施例中，也可以采用干法刻蝕、或者是濕法腐蝕和干法刻蝕的組合形成所述第一溝槽300和第二溝槽301。在步驟S104中，對所述第一溝槽300和第二溝槽301的側壁分別進行重摻雜，在所述第一溝槽300的側壁形成第三摻雜區130以及在所述第二溝槽301的側壁形成第四摻雜區140，且保持所述第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面摻雜類型不發生改變，從而形成豎直太陽能電池陣列，其中，所述第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的類型相反。具體地，如圖4(e)和圖5(e)所示，首先，對第二溝槽301進行保護，僅暴露第一溝槽300，在公知技術中有很多實現這個的方法，例如用物體遮擋襯底的第二表面(比如用硅片、石英片、或者托盤)，或者先單面在第二溝槽301上沉積一保護膜(二氧化硅或者氮化硅)等等。接著，對襯底100進行半導體摻雜雜質擴散，在所述第一溝槽300的側壁(即基板500的第三表面501)形成第三摻雜區130，摻雜的方式可以是氣態源摻雜擴散、原位摻雜的外延生長等方法。如圖4(e)所示，第三摻雜區130中的雜質類型和第一摻雜區110以及第二摻雜區120中的雜質類型相同。如圖5(e)所示，第三摻雜區130和第二摻雜區120中雜質的類型相反，且第三摻雜區130中靠近第一溝槽300底部的區域的最高摻雜濃度比第二摻雜區120的最高摻雜濃度低，以此來保持第二摻雜區120的表面摻雜類型不發生改變。第三摻雜區130中靠近第一溝槽300底部的區域與第二摻雜區120形成PN結(如圖中虛線圈起的區域)，該PN結性能與第三摻雜區130中靠近第一溝槽300底部的區域的摻雜濃度和第二摻雜區120的摻雜濃度有關。比如，若需要該PN結反向電流大，可以提高第三摻雜區130中靠近第一溝槽300底部的區域的摻雜濃度和/或第二摻雜區120的摻雜濃度。在摻雜過程中，由于摻雜雜質進入第一溝槽300底部要難一些，所以通常第三摻雜區130中靠近第一溝槽300底部的摻雜濃度比靠近第一溝槽300上部的摻雜濃度要低，它們之間的摻雜濃度差別可以通過用調節摻雜工藝參數實現，比如在氣態源摻雜擴散時，可以通過調節擴散時氣壓、溫度。然后，如圖4(f)和圖5(f)所示，利用相同的方式，在所述第二溝槽301的側壁(即基板500的第四表面502)形成第四摻雜區140，從而形成了豎直太陽能電池陣列。如圖4(f)所示，第四摻雜區140中的雜質類型和第一摻雜區110以及第二摻雜區120中的雜質類型相反，且第四摻雜區140的最高摻雜濃度比第一摻雜區110和第二摻雜區120的最高摻雜濃度低，以此來保持第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面摻雜類型均不發生改變。第四摻雜區140中靠近第二溝槽301底部的區域與第一摻雜區110形成PN結(如圖中虛線圈起的區域)，該PN結性能與第四摻雜區140中靠近第二溝槽301底部的區域的摻雜濃度和第一摻雜區110的摻雜濃度有關。比如，若需要該PN結反向電流大，可以提高第四摻雜區140中靠近第二溝槽301底部的區域的摻雜濃度和/或第一摻雜區110的摻雜濃度。第四摻雜區140中靠近第二溝槽301開口處的區域與第二摻雜區120分別形成PN結(如圖中虛線圈起的區域)，該PN結性能與第四摻雜區140中靠近第二溝槽301開口處的區域的摻雜濃度和第二摻雜區120的摻雜濃度有關。比如，若需要該PN結反向電流大，可以提高第四摻雜區140中靠近第二溝槽301開口處的區域的摻雜濃度和/或第二摻雜區120的摻雜濃度。如圖5(f)所示中，第四摻雜區140和第一摻雜區110中雜質的類型相反，且第四摻雜區140中靠近第二溝槽301底部的區域的最高摻雜濃度比第一摻雜區110的最高摻雜濃度低，以此來保持第一摻雜區110的表面摻雜類型不發生改變。第四摻雜區140中靠近第二溝槽301底部的區域與第一摻雜區110形成PN結(如圖中虛線圈起的區域)，該PN結性能與第四摻雜區140中靠近第二溝槽301底部的區域的摻雜濃度和第一摻雜區110的摻雜濃度有關。比如，若需要該PN結反向電流大，可以提高第四摻雜區140中靠近溝槽底部的區域的摻雜濃度和/或第一摻雜區110的摻雜濃度。通過上述描述可知，第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的類型相反，即，如果所述第三摻雜區130中雜質的類型為N型，則所述第四摻雜區140中雜質的類型為P型；如果所述第三摻雜區130中雜質的類型為P型，則所述第四摻雜區140中雜質的類型為N型。第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的最高摻雜濃度高于襯底100中雜質的摻雜濃度，但低于第一摻雜區110和第二摻雜區120中的最高摻雜濃度。最后，例如可以用激光束或其它切割方法切掉襯底100的邊緣，將所述豎直太陽能電池陣列與所述襯底100進行分離，將所述平面太陽能電池陣列分割為獨立的多個太陽能電池單元，如圖4(g)和圖5(g)所示。對于豎直太陽能電池陣列還可以有其他處理方式，本發明在這方面不做限制。本發明所提供的上述制造方法，具有以下優點：(1)與傳統太陽能電池單元的側面(即與太陽能電池單元長邊相連接的表面)具有兩種摻雜類型不同，根據本發明所提供的制造方法所形成的太陽能電池單元的側面具有單一的摻雜類型，即，太陽能電池單元的兩個側面中雜質的摻雜類型均為N型或者均為P型，又或者一個側面為N型而另一個側面為P型。因此，可以有效地降低對太陽能電池單元側面進行鈍化處理的難度；(2)由于太陽能電池單元的側面具有單一的摻雜類型，因此，便于從太陽能電池單元的側面引出電極，而無需從太陽能電池單元的進光面上引出電極。如此一來，不會對太陽能電池的進光產生遮擋，從而可以提高太陽能電池單元的進光效率，進而提高太陽能電池單元的轉換效率；(3)在形成第一摻雜區110和第二摻雜區120、以及第三摻雜區130和第四摻雜區140的時候，通過控制雜質的摻雜濃度，可以在太陽能電池單元的內部形成類似于齊納二極管結構區域(n+/p+區域)，從而在反向偏壓時，當反向電壓超過一定值時，可以通過較大電流，不會發生反向擊穿損壞。當多個太陽能電池單元在串聯狀態下工作的時候，如果某個太陽能電池單元因無光照而無法正常工作，其內部的類似于齊納二極管結構區域(n+/p+區域)可以保證整個串聯電路保持導通狀態，仍然可以正常工作。如圖4(g)所示，在第一摻雜區110(主要是虛線圈起的區域)的摻雜濃度與第四摻雜區140的摻雜濃度滿足一定的條件情況下，第一摻雜區110與第四摻雜區140交界面附近區域所形成的PN結即為類似于齊納二極管結構(n+/p+區域)；同樣地，在第二摻雜區120(主要是虛線圈起的區域)的摻雜濃度與第四摻雜區140的摻雜濃度滿足一定的條件情況下，第二摻雜區120與第四摻雜區140交界面附近區域所形成的PN結也為類似于齊納二極管結構(n+/p+區域)。在本實施例中，太陽能電池單元基板500的摻雜濃度低于1017cm-3。第一摻雜區110、第二摻雜區120和第三摻雜區130中雜質的類型相同，第四摻雜區140中雜質的類型與上述三個摻雜區中雜質的類型相反。其中，第一摻雜區110和第二摻雜區120的最高摻雜濃度高于5×1019cm-3(摻雜后，第一摻雜區110和第二摻雜區120的方塊電阻一般低于70Ω)、第三摻雜區130和第四摻雜區140的最高摻雜濃度一般高于1019cm-3，但是低于第一摻雜區110和第二摻雜區120的最高摻雜濃度(摻雜后，第三摻雜區130和第四摻雜區140的方塊電阻一般高于200Ω)，從而使得第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面具有單一的摻雜類型。在這種情況下，鄰近第四表面的第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面區域，雖然有相反類型摻雜造成補償，但是其本來的摻雜類型沒有變化，從而第一摻雜區110和第二摻雜區120可以與第四摻雜區140一起構成了內置的類似于齊納二極管結構(n+/p+區域)(虛線圈起的區域)。如圖5(g)所示，在第一摻雜區110(主要是虛線圈起的區域)的摻雜濃度與第四摻雜區140的摻雜濃度滿足一定的條件情況下，第一摻雜區110與第四摻雜區140交界面附近區域所形成的PN結即為類似于齊納二極管結構(n+/p+區域)；同樣地，在第二摻雜區120(主要是虛線圈起的區域)的摻雜濃度與第三摻雜區130的摻雜濃度滿足一定的條件情況下，第二摻雜區120與第三摻雜區130交界面附近區域所形成的PN結也為類似于齊納二極管結構(n+/p+區域)。在本實施例中，太陽能電池單元基板500的摻雜濃度低于1017cm-3，第一摻雜區110和第三摻雜區130中雜質的類型相同，第二摻雜區120和第四摻雜區140中雜質的類型相同，且與上述兩個摻雜區中雜質的類型相反。第一摻雜區110和第二摻雜區120的最高摻雜濃度高于5×1019cm-3(摻雜后，第一摻雜區110和第二摻雜區120的方塊電阻一般低于70Ω)、第三摻雜區130和第四摻雜區140的最高摻雜濃度一般高于1019cm-3，但是低于第一摻雜區110和第二摻雜區120的最高摻雜濃度(摻雜后，第三摻雜區130和第四摻雜區140的方塊電阻一般高于200Ω)，從而使得第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面具有單一的摻雜類型。在這種情況下，第一摻雜區110和第二摻雜區120中被虛線所圈起的區域，雖然有相反類型摻雜造成補償，但是其本來的摻雜類型沒有變化，從而分別可以與第三摻雜區130和第四摻雜區140構成了內置的類似于齊納二極管結構(n+/p+區域)。需要說明的是，本領域的技術人員應該可以理解，第一摻雜區110和第二摻雜區120、以及第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的摻雜濃度并不限于上述數值范圍，其具體數值可以根據實際需求進行相應地調整。根據本發明的另一個方面，還提供了一種太陽能電池單元。請參考圖4(g)和圖5(g)，該太陽能電池單元包括基板500，該基板500具有第三表面501和與該第三表面501相對的第四表面502。其中，所述基板500的材料包括單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半導體、或其任意組合。所述基板500可以具有P型或者N型摻雜。在本實施例中，所述基板500中雜質的摻雜濃度低于1017cm-3。在所述第三表面501和第四表面502上分別具有第四摻雜區140和第三摻雜區130，其中，所述第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的類型相反。如果所述第三摻雜區130中的雜質為N型，則所述第四摻雜區140中的雜質為P型，反之亦然。所述第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的最高摻雜濃度高于所述基板500中雜質的摻雜濃度。在本實施例中，所述第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的最高摻雜濃度一般高于1019cm-3。在與所述第三表面501和第四表面502相鄰的側表面上分別具有第一摻雜區110和第二摻雜區120，其中，所述第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面具有單一的摻雜類型。在一個實施例中，如圖4(g)所示，所述第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面摻雜類型相同，均為N型或者均為P型。在另一個實施例中，如圖5(g)所示，所述第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面摻雜類型相反。即，如果所述第一摻雜區110的表面摻雜類型為N型，則所述第二摻雜區120的表面摻雜類型為P型；如果所述第一摻雜區110的表面摻雜類型為P型，則所述第二摻雜區120的表面摻雜類型為N型。優選地，所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的最高摻雜濃度高于第三摻雜區130和第四摻雜區140中雜質的最高摻雜濃度。優選地，所述基板500的第三表面501和第四表面502之間的距離范圍為10μm-200μm。優選地，在所述第一摻雜區110和第二摻雜區120的表面上存在第一基片200和第二基片210。第一基片200和/或第二基片210可以是單層結構，也可以是多層結構。在襯底100的材料為硅、鍺、硅鍺時，第一基片200和/或第二基片210優選為氮化硅、氧化硅或其組合的材料層。其中，在所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型相反的情況下：如果所述第一摻雜區110中雜質的類型為N型、所述第二摻雜區120中雜質的類型為P型，則所述第一基片200中緊鄰第一摻雜區110的部分(層)其材料優選為SiN、所述第二基片210中緊鄰第二摻雜區120的部分(層)其材料優選為Al2O3；如果所述第一摻雜區110中雜質的類型為P型、所述第二摻雜區120中雜質的類型為N型，則所述第一基片200中緊鄰第一摻雜區110的部分(層)其材料優選為Al2O3、所述第二基片210中緊鄰第二摻雜區120的部分(層)其材料優選為SiN。在所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型相同的情況下：如果所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型均為N型，則所述第一基片200和第二基片210中緊鄰摻雜區的部分(層)其材料優選為SiN；如果所述第一摻雜區110和第二摻雜區120中雜質的類型均為P型，則所述第一基片200和第二基片210中緊鄰摻雜區的部分(層)其材料優選為Al2O3。與傳統的太陽能電池單元相比，本發明提供的太陽能電池單元具有以下優點：(1)與傳統太陽能電池單元的側面(即與太陽能電池單元長邊相連接的表面)具有兩種摻雜類型不同，本發明所提供的太陽能電池單元的側面具有單一的摻雜類型，即，太陽能電池單元的兩個側面中雜質的摻雜類型均為N型或者均為P型，又或者一個側面為N型而另一個側面為P型。因此，可以有效地降低對太陽能電池單元側面進行鈍化處理的難度；(2)由于太陽能電池單元的側面具有單一的摻雜類型，因此，便于從太陽能電池單元的側面引出電極，而無需像現有技術那樣從太陽能電池單元的進光面上引出電極，從而不會對太陽能電池的進光產生遮擋。因此，本發明所提供的太陽能電池單元具有較高的進光效率以及轉換效率；(3)對于本發明所提供的太陽能電池單元，當其第一摻雜區和第二摻雜區、以及第三摻雜區和第四摻雜區的摻雜濃度滿足一定條件的時候，在太陽能電池單元的內部可以形成類似于齊納二極管結構區域(n+/p+區域)，從而在反向偏壓時，當反向電壓超過一定值時，可以通過較大電流，不會發生反向擊穿損壞。在多個太陽能電池單元在串聯狀態下工作的時候，如果某個太陽能電池單元因無光照而無法正常工作，其內部的類似于齊納二極管結構區域(n+/p+區域)可以保證整個串聯電路保持導通狀態，仍然可以正常工作。雖然關于示例實施例及其優點已經詳細說明，應當理解在不脫離本發明的精神和所附權利要求限定的保護范圍的情況下，可以對這些實施例進行各種變化、替換和修改。對于其他例子，本領域的普通技術人員應當容易理解在保持本發明保護范圍內的同時，工藝步驟的次序可以變化。此外，本發明的應用范圍不局限于說明書中描述的特定實施例的工藝、機構、制造、物質組成、手段、方法及步驟。從本發明的公開內容，作為本領域的普通技術人員將容易地理解，對于目前已存在或者以后即將開發出的工藝、機構、制造、物質組成、手段、方法或步驟，其中它們執行與本發明描述的對應實施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結果，依照本發明可以對它們進行應用。因此，本發明所附權利要求旨在將這些工藝、機構、制造、物質組成、手段、方法或步驟包含在其保護范圍內。