低電壓檢測電路、含其的非易失性存儲裝置及其操作方法
【專利說明】低電壓檢測電路、含其的非易失性存儲裝置及其操作方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年12月18日向韓國知識產權局提交的申請號為10-2014-0183348的韓國專利申請的優先權，其全部公開內容通過引用整體合并于此。
技術領域
[0003]各種實施例總體而言涉及半導體集成裝置，更具體地，涉及低電壓檢測電路、包括該低電壓檢測電路的非易失性存儲裝置及其操作方法。
【背景技術】
[0004]作為非易失性存儲裝置的示例，可以提到快閃存儲裝置。快閃存儲裝置在操作期間需要高電壓。出于此目的，快閃存儲裝置通過提升外部電壓來產生高電壓。
[0005]例如，對于諸如編程操作和擦除操作的操作，快閃存儲裝置應當對字線施加大約1V到大約20V的高電壓。如果沒有供應具有必需電平的電壓，則不能保證正常的操作。
[0006]因此，為了保持用于電路的操作所必需的目標電壓電平，半導體裝置需要被設計為能夠監控外部電壓、內部電壓等以及能夠處理電壓變化。
【發明內容】
[0007]在一個實施例中，低電壓檢測電路可以包括:第一檢測塊，被配置為根據參考電壓來檢測外部電壓的電平，并輸出預檢測信號。低電壓檢測電路也可以包括:第二檢測塊，被配置為在預檢測信號的電平被檢測為開始電平時無論預檢測信號的電平如何變化都產生具有開始電平的低電壓檢測信號。
[0008]在一個實施例中，非易失性存儲裝置可以包括:存儲區，包括多個非易失性存儲單元。非易失性存儲裝置也可以包括:低電壓檢測電路，被配置為通過被施加外部電壓來控制對存儲區的訪問，以及被配置為在外部電壓的電平被檢測為開始電平時無論外部電壓的電平如何變化都產生具有開始電平的低電壓檢測信號。
[0009]在一個實施例中，包括有由控制器控制的存儲區的非易失性存儲裝置的操作方法包括:通過控制器，在外部電壓被供應時比較參考電壓與外部電壓，并輸出預檢測信號。該操作方法也可以包括:通過控制器，在預檢測信號的電平被檢測為開始電平時無論預檢測信號的電平如何變化都產生具有開始電平的低電壓檢測信號。
【附圖說明】
[0010]圖1是圖示根據一個實施例的低電壓檢測電路的例示的配置圖。
[0011]圖2是圖示根據一個實施例的第一檢測塊的例示的配置圖。
[0012]圖3是圖示根據一個實施例的第一檢測塊的例示的電路圖。
[0013]圖4是圖示根據一個實施例的第一檢測塊的例示的電路圖。
[0014]圖5是圖示根據一個實施例的第二檢測塊的例示的電路圖。
[0015]圖6是圖示根據一個實施例的第二檢測塊的例示的電路圖。
[0016]圖7是用來輔助解釋外部電壓的供應電平的波形圖的例示。
[0017]圖8是用來輔助解釋根據基于一個實施例的外部電壓的變化的檢測信號的輸出的波形圖的例示。
[0018]圖9是用來輔助解釋根據基于一個實施例的外部電壓的變化的檢測信號的輸出的波形圖的例示。
[0019]圖10是圖示根據一個實施例的非易失性存儲裝置的例示的配置圖。
[0020]圖11是圖示根據一個實施例的電子系統的例示的配置圖。
【具體實施方式】
[0021]在下文中，將參照附圖而通過各種實施例來描述低電壓檢測電路、包括該低電壓檢測電路的非易失性存儲裝置及其操作方法。
[0022]參見圖1，描述了圖示根據一個實施例的低電壓檢測電路的例示的配置圖。
[0023]圖1中示出的低電壓檢測電路10可以包括:第一檢測塊110和第二檢測塊120。
[0024]第一檢測塊110可以被配置為響應于使能信號EN_N而基于參考電壓VREF來檢測外部電壓VCCE的電平。第一檢測塊110也可以輸出預檢測信號DET_PRE。
[0025]第二檢測塊120可以被配置為通過被供應預檢測信號DET_PRE而被驅動。第二檢測塊120也可以基于預檢測信號DET_PRE的電平來輸出低電壓檢測信號DET。在一個實施例中，第二檢測塊120可以被配置為:在預檢測信號DET_PRE的電平被檢測為第一電平之后，無論預檢測信號DET_PRE的電平如何變化都產生具有第一電平的低電壓檢測信號DET。例如，在外部電壓VCCE的電平比參考電壓VREF低的情況下預檢測信號DET_PRE可以被檢測為第一電平。在一個實施例中，可以將參考電壓VREF設置為閾值低電壓LVCC的電平。
[0026]如果外部電壓VCCE的電平下降到等于或者低于閾值低電壓LVCC的電平，則低電壓檢測電路10可以輸出第一電平的預檢測信號DET_PRE。而且，低電壓檢測電路10可以在預檢測信號DET_PRE被檢測為第一電平之后將低電壓檢測信號DET保持在第一電平。
[0027]外部電壓VCCE可以由于各種原因而變化。就此而言，可能出現外部電壓VCCE在閾值低電壓LVCC的電平附近以輕微的水平上下波動的現象，所述閾值低電壓LVCC充當用于檢測外部電壓VCCE是否已經下降的參照。在這種情形下，如果外部電壓VCCE的電平上升到輕微高于閾值低電壓LVCC，則預檢測信號DET_PRE可以被輸出為與第一電平互補的第二電平。此外，如果外部電壓VCCE的電平下降到輕微低于閾值低電壓LVCC，則預檢測信號DET_PRE可以被輸出為第一電平。相應地，在外部電壓VCCE的電平在閾值低電壓LVCC的附近波動的情況下，預檢測信號DET_PRE的電平可以反復地變化為第一電平和第二電平。
[0028]第二檢測塊120可以被配置為穩定可以以此方式波動的預檢測信號DET_PRE的電平。例如，在外部電壓VCCE的電平下降到等于或低于閾值低電壓LVCC且預檢測信號DET_PRE被輸出為第一電平之后，低電壓檢測信號DET可以被固定為第一電平。
[0029]第二檢測塊120可以被配置為包括:放電單元122和輸出單元124。
[0030]放電單元122可以被配置為根據預檢測信號DET_PRE來確定輸出單元124的輸入節點的電勢電平。例如，放電單元122可以被配置為在預檢測信號DET_PRE被輸出為第一電平的情況下將輸出單元124的輸入節點放電。
[0031]輸出單元124可以被配置為基于放電單元122是否被驅動來將輸入節點的電勢電平反相。輸出單元124也可以產生低電壓檢測信號DET。
[0032]例如，如果預檢測信號DET_PRE被檢測為第一電平，則放電單元122可以被驅動以及將輸出單元124的輸入節點放電。然后輸出單元124可以將輸入節點的電勢電平反相，并產生低電壓檢測信號DET作為第一電平。
[0033]在一個實施例中，在低電壓檢測電路10的初始操作中，可以將輸出單元124的輸入節點的電勢電平設置為第二電平。其后，可以基于外部電壓VCCE的電平來確定低電壓檢測信號DET的電平。
[0034]參見圖2，描述了圖示根據一個實施例的第一檢測塊的例示的配置圖。
[0035]在圖2中，第一檢測塊20可以被配置為包括:電壓劃分單元210和比較單元220。
[0036]電壓劃分單元210可以被配置為根據使能信號EN_N來從外部電壓VCCE產生分電壓 VDIV0
[0037]比較單元220可以被配置為比較分電壓VDIV與具有預