[0040]圖3示出了本發明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數的裝置的結構框圖，該裝置可以用于運行圖1或圖2所示的減少EEPROM的擦寫次數的方法。為了便于說明，僅示出了與本發明實施例相關的部分。
[0041 ] 參照圖3，該裝置包括:
[0042]充放電狀態獲取單元31，用于獲取電容充放電電路的充放電狀態；
[0043]擦寫單元32，用于當所述電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。
[0044]優選地，所述裝置還包括:
[0045]電容充放電電路設置單元33，用于設置與第一引腳連接的所述電容充放電電路。
[0046]優選地，所述充放電狀態獲取單元31具體用于:
[0047]通過所述第一引腳獲取所述電容充放電電路的充放電狀態。
[0048]可選地，所述充放電狀態獲取單元31具體用于:
[0049]若所述第一引腳輸出高電平，則判定所述電容充放電電路處于充電狀態；
[0050]若所述第一引腳輸出低電平，則判定所述電容充放電電路處于所述放電狀態。
[0051 ] 本發明實施例通過設置電容充放電電路，并持續獲取電容充放電電路的充放電狀態，當電容充放電電路處于放電狀態時，對EEPROM執行擦寫操作，由此僅在發生斷電時才對EEPROM執行擦寫操作，大大減少了 EEPROM的擦寫次數，從而延長了 EEPROM的壽命。
[0052]本領域普通技術人員可以意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、或者計算機軟件和電子硬件的結合來實現。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執行，取決于技術方案的特定應用和設計約束條件。專業技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現所描述的功能，但是這種實現不應認為超出本發明的范圍。
[0053]所屬領域的技術人員可以清楚地了解到，為描述的方便和簡潔，上述描述的裝置和單元的具體工作過程，可以參考前述方法實施例中的對應過程，在此不再贅述。
[0054]在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的裝置和方法，可以通過其它的方式實現。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現時可以有另外的劃分方式，例如多個單元可以結合或者可以集成到另一個系統，或一些特征可以忽略，或不執行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機械或其它的形式。
[0055]所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網絡單元上。可以根據實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現本實施例方案的目的。
[0056]另外，在本發明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。
[0057]所述功能如果以軟件功能單元的形式實現并作為獨立的產品銷售或使用時，可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質中。基于這樣的理解，本發明的技術方案本質上或者說對現有技術做出貢獻的部分或者該技術方案的部分可以以軟件產品的形式體現出來，該計算機軟件產品存儲在一個存儲介質中，包括若干指令用以使得一臺計算機設備(可以是個人計算機，服務器，或者網絡設備等)執行本發明各個實施例所述方法的全部或部分步驟。而前述的存儲介質包括:U盤、移動硬盤、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。
[0058]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應所述以權利要求的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種減少EEPROM的擦寫次數的方法，其特征在于，包括: 獲取電容充放電電路的充放電狀態； 當所述電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述獲取電容充放電電路的充放電狀態之前，所述方法還包括: 設置與第一引腳連接的所述電容充放電電路。3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述獲取電容充放電電路的充放電狀態具體為: 通過所述第一引腳獲取所述電容充放電電路的充放電狀態。4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述獲取電容充放電電路的充放電狀態包括: 若所述第一引腳輸出高電平，則判定所述電容充放電電路處于充電狀態； 若所述第一引腳輸出低電平，則判定所述電容充放電電路處于所述放電狀態。5.一種減少EEPROM的擦寫次數的裝置，其特征在于，包括: 充放電狀態獲取單元，用于獲取電容充放電電路的充放電狀態； 擦寫單元，用于當所述電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。6.如權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括: 電容充放電電路設置單元，用于設置與第一引腳連接的所述電容充放電電路。7.如權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述充放電狀態獲取單元具體用于: 通過所述第一引腳獲取所述電容充放電電路的充放電狀態。8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述充放電狀態獲取單元具體用于: 若所述第一引腳輸出高電平，則判定所述電容充放電電路處于充電狀態； 若所述第一引腳輸出低電平，則判定所述電容充放電電路處于所述放電狀態。
【專利摘要】本發明適用于信息技術領域，提供了減少EEPROM的擦寫次數的方法及裝置。該減少EEPROM的擦寫次數的方法包括：獲取電容充放電電路的充放電狀態；當所述電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。本發明通過設置電容充放電電路，并持續獲取電容充放電電路的充放電狀態，當電容充放電電路處于放電狀態時，對EEPROM執行擦寫操作，由此僅在發生斷電時才對EEPROM執行擦寫操作，大大減少了EEPROM的擦寫次數，從而延長了EEPROM的壽命。
【IPC分類】G11C16/14
【公開號】CN105280231
【申請號】CN201510438240
【發明人】陳志杰, 柯忠乘
【申請人】深圳市振邦智能科技有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年7月23日