減少eeprom的擦寫次數的方法及裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于信息技術領域，尤其涉及減少EEPROM的擦寫次數的方法及裝置。
【背景技術】
[0002]EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦除可編程只讀存儲器)主要用來存儲用戶的重要數據。在一些設備不慎斷電后，用戶往往希望設備能存儲斷電前的數據，而EEPROM正是能實現這項功能的重要芯片。
[0003]EEPROM可用擦寫次數是有限的，一般是10萬次左右。假設每天對EEPROM進行10次擦寫操作，則EEPROM的壽命是3年多。現有的對EEPROM進行擦除和寫入的方式主要有兩種:第一種方式是每隔預設時間對EEPROM進行擦寫操作；第二種方式是在存儲數據發生變化時對EEPROM進行擦寫操作。在第一種方式中，EEPROM的可用擦寫次數將很快被用完；在第二種方式中，EEPROM的壽命取決于用戶對設備的操作次數。
[0004]綜上，現有技術對EEPROM的擦寫操作較頻繁，導致EEPROM的壽命較短。
【發明內容】
[0005]鑒于此，本發明實施例提供了一種減少EEPROM的擦寫次數的方法及裝置，以解決現有技術對EEPROM的擦寫操作較頻繁，導致EEPROM的壽命較短的問題。
[0006]第一方面，本發明實施例提供了一種減少EEPROM的擦寫次數的方法，包括:
[0007]獲取電容充放電電路的充放電狀態；
[0008]當所述電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。
[0009]第二方面，本發明實施例提供了一種減少EEPROM的擦寫次數的裝置，包括:
[0010]充放電狀態獲取單元，用于獲取電容充放電電路的充放電狀態；
[0011]擦寫單元，用于當所述電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。
[0012]本發明實施例與現有技術相比存在的有益效果是:本發明實施例通過設置電容充放電電路，并持續獲取電容充放電電路的充放電狀態，當電容充放電電路處于放電狀態時，對EEPROM執行擦寫操作，由此僅在發生斷電時才對EEPROM執行擦寫操作，大大減少了EEPROM的擦寫次數，從而延長了 EEPROM的壽命。
【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0014]圖1是本發明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數的方法的實現流程圖；
[0015]圖2是本發明另一實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數的方法的實現流程圖；
[0016]圖3是本發明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數的裝置的結構框圖。
【具體實施方式】
[0017]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0018]圖1示出了本發明實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數的方法的實現流程圖，參照圖1:
[0019]在步驟S101中，獲取電容充放電電路的充放電狀態；
[0020]在步驟S102中，當電容充放電電路處于放電狀態時，對電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM執行擦寫操作。
[0021]在本發明實施例中，MCU(Microcontroller Unit，微控制單元)獲取電容充放電電路的充放電狀態。電容充放電電路的充放電狀態包括充電狀態和放電狀態。在設備斷電前，電容充放電電路處于充電狀態，當設備發生斷電時，電容充放電電路由充電狀態轉為放電狀態。當電容充放電電路由充電狀態轉為放電狀態時，MCU對EEPROM執行擦寫操作，以在電容放電的時間段內對EEPROM中發生改變的數據進行存儲。
[0022]優選地，在所述獲取電容充放電電路的充放電狀態之前，所述方法還包括:
[0023]設置與第一引腳連接的電容充放電電路。
[0024]在本發明實施例中，設置電容充放電電路，電容充放電電路通過第一引腳與MCU連接，MCU通過第二引腳與EEPROM連接。
[0025]優選地，所述獲取電容充放電電路的充放電狀態具體為:
[0026]通過第一引腳獲取電容充放電電路的充放電狀態。
[0027]在本發明實施例中，MCU通過第一引腳獲取電容充放電電路的充放電狀態，并在電容充放電電路處于放電狀態時，對EEPROM執行擦寫操作。
[0028]可選地，所述獲取電容充放電電路的充放電狀態包括:
[0029]若第一引腳輸出高電平，則判定電容充放電電路處于充電狀態；
[0030]若第一引腳輸出低電平，則判定電容充放電電路處于放電狀態。
[0031]作為本發明的一個實施例，當電容充放電電路處于充電狀態時，第一引腳輸出高電平；當電容充放電電路處于放電狀態時，第一引腳輸出低電平。在本發明實施例中，設置第一引腳為低電平有效，即當第一引腳輸出低電平時，觸發MCU對EEPROM執行擦寫操作。
[0032]圖2示出了本發明另一實施例提供的減少EEPROM的擦寫次數的方法的實現流程圖，參照圖2:
[0033]在步驟S201中，設置與第一引腳連接的電容充放電電路；
[0034]在步驟S202中，通過第一引腳獲取電容充放電電路的充放電狀態；
[0035]在步驟S203中，判斷第一引腳是否輸出低電平，若是，執行步驟S204 ;若否，執行步驟S205 ；
[0036]在步驟S204中，判定電容充放電電路處于放電狀態，并對EEPROM執行擦寫操作；
[0037]在步驟S205中，判定電容充放電電路處于充電狀態。
[0038]應理解，在本發明實施例中，上述各過程的序號的大小并不意味著執行順序的先后，各過程的執行順序應以其功能和內在邏輯確定，而不應對本發明實施例的實施過程構成任何限定。
[0039]本發明實施例通過設置電容充放電電路，并持續獲取電容充放電電路的充放電狀態，當電容充放電電路處于放電狀態時，對EEPROM執行擦寫操作，由此僅在發生斷電時才對EEPROM執行擦寫操作，大大減少了 EEPROM的擦寫次數，從而延長了 EEPROM的壽命。