064b。當閃存控制裝置100用來對第二儲存平面1064b執行一擦除循環操作時，第一閃存1062的第一緩沖器1062b就可用來暫存來自第二儲存平面1064b的多個有效數據。由于其操作是相似于上述有關于擦除/寫入第一儲存平面1062a的操作，故其詳細運作在此不另贅述。
[0049]再者，在此實施例中，由于第二緩沖器1064b的儲存容量是8KB，而來自第一儲存平面1062a的多筆有效數據并不一定可以填滿第二緩沖器1064b，因此暫存入第二緩沖器1064b也可以來自其他或多個儲存平面的有效數據。這樣，當來自多個儲存平面的有效數據填滿了第二緩沖器1064b時，控制器104才對沒有有效數據的一個或多個儲存平面執行擦除操作。接著，控制器104才會將暫存在第二緩沖器1064b內8KB的有效數據重新寫入一個儲存平面，例如第一儲存平面1062a。請參考圖2。圖2所示是依據本發明一種閃存控制系統200的一實施例示意圖。閃存控制系統200包含有一閃存控制裝置202以及一閃存芯片204。相似于圖1的閃存控制裝置100，本實施例的閃存控制裝置202也包含有一數據讀寫接口 206以及一控制器208。控制器208也包含有一定序器2082、一數據塊緩沖裝置2084、一主機接口 2086以及一糾錯編碼器2088。數據塊緩沖裝置2084也包含有一第一數據塊緩沖器2084a以及一第二數據塊緩沖器2084b。與第一實施例相比，本實施例的閃存芯片204包含有四個閃存，即一第一閃存2042、一第二閃存2044、一第三閃存2046以及一第四閃存2048。第一閃存2042包含有一第一儲存平面2042a以及一第一緩沖器2042b。第二閃存2044包含有一第二儲存平面2044a以及一第二緩沖器2044b。第三閃存2046包含有一第三儲存平面2046a以及一第三緩沖器2046b。第四閃存2048包含有一第四儲存平面2048a以及一第四緩沖器2048b。請注意，所述四個閃存也可以分別存在于四顆不同的閃存芯片。
[0050]在圖2的實施例中，舉例而言，若控制器208要對第一儲存平面2042a執行一擦除/寫入的操作，控制器208會先將第一儲存平面2042a內的多筆有效數據暫存到第二緩沖器2044b。若第一儲存平面2042a內的多筆有效數據不足8KB，則控制器208可以將第三儲存平面2046a以及/或第四儲存平面2048a內的多筆有效數據暫存到第二緩沖器2044b，一直到第二緩沖器2044b收集滿8KB的有效數據為止。當第二緩沖器2044b收集滿8KB的有效數據時，控制器208就會對第一儲存平面2042a執行一擦除的操作。在第一儲存平面2042a被擦除完之后，控制器208就會將暫存在第二緩沖器2044b的多筆有效數據重新寫入第一儲存平面2042a。請注意，在將有效數據暫存入第二緩沖器2044b的過程中，若第三儲存平面2046a以及第四儲存平面2048a中的有效數據也完全被暫存入第二緩沖器2044b中，則控制器208也可以對第三儲存平面2046a以及第四儲存平面2048a執行一擦除的操作，以使得第三儲存平面2046a以及第四儲存平面2048a的可儲存容量恢復為原來的8KB。這樣，經由上述操作，閃存芯片204內被無效數據所占據的空間以及閑置空間就可以被整理出來，以增加閃存芯片204內的可儲存空間。
[0051]請注意，本領域的技術人員在閱讀完圖1的閃存控制裝置100對閃存裝置106的擦除/寫入的操作之后，應可輕易了解閃存控制裝置202對閃存芯片204所執行的所述擦除/寫入的操作，故其詳細操作在此不另贅述。
[0052]簡言之，上述有關于閃存控制裝置100以及閃存控制裝置202的操作方法可簡化為圖3所示的流程圖。圖3所示是依據本發明一閃存控制方法300的一實施例示意圖。倘若大體上可達到相同的結果，則不需要一定照圖3所示的流程中的步驟順序來執行，且圖3所示的步驟不一定要連續執行，即其他步驟也可以插入其中。此外，以下流程圖是以閃存控制裝置100為例來說明本發明閃存控制方法300的技術特征。閃存控制方法300包含有下步驟:
[0053]步驟302:設置數據讀寫接口 102來耦接到第一閃存1062與第二閃存1064 ;
[0054]步驟304:通過數據讀寫接口 102來隨機地將第一儲存平面1062a內所儲存的所述多筆有效數據中的每一筆有效數據暫存到第二緩沖器1064b ;
[0055]步驟306:在第一儲存平面1062a內所有的有效數據都被暫存到第二緩沖器1064b之后，執行所述擦除循環來擦除第一儲存平面1062a ;
[0056]步驟308:在第一儲存平面1062a執行完所述擦除循環之后，將暫存于第二緩沖器1064b的所述多筆有效數據暫存在第一緩沖器1062b ;
[0057]步驟310:在第二緩沖器1064b內所有的有效數據都被暫存到第一緩沖器1062b之后，執行一寫入循環來將暫存到第一緩沖器1062b的所述多筆有效數據寫入第一儲存平面1062a內。
[0058]請注意，當第一儲存平面1062a內的所述多筆有效數據暫存到第二緩沖器1064b，以及當第二緩沖器1064b內的所述多筆有效數據重新寫入第一儲存平面1062a時，所述多筆有效數據不會經過一糾錯碼操作，因此本發明的閃存控制方法300具有更快的擦除/寫入的速度。此外，經由閃存控制方法300的操作，閃存裝置106內被無效數據所占據的空間以及閑置空間就可以被整理出來，以增加閃存裝置106內的可儲存空間。
[0059]綜上所述，本發明的閃存控制裝置100、202以及閃存控制方法300是利用閃存芯片內一儲存平面的一緩沖器來暫存來自一需要被擦除/寫入的儲存平面內的所有有效數據，而不是在閃存控制裝置100、202直接設置一顆大容量的緩沖器來暫存所述需要被擦除/寫入的儲存平面內的所有有效數據。這樣，所述有效數據就不需由一糾錯碼操作來處理，從而增加閃存控制裝置100、202的操作速度。此外，由于本發明的閃存控制裝置100、202內只需設置兩個小容量(例如1KB)的數據塊緩沖器就可以完成一擦除/寫入循環的操作，因此本發明也可以大幅降低一閃存控制器的制造成本。
[0060]以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種閃存控制裝置，其特征在于，包含有: 一數據讀寫接口，其設置來耦接到一第一閃存與一第二閃存，其中所述第一閃存包含有一第一儲存平面以及一第一緩沖器，所述第二閃存包含有一第二儲存平面以及一第二緩沖器；以及 一控制器，耦接到所述數據讀寫接口 ； 其中當所述數據讀寫接口耦接到所述第一閃存與所述第二閃存時，所述控制器用來通過所述數據讀寫接口來將所述第一儲存平面所儲存的多筆有效數據暫存到所述第二緩沖器，并且在所述第一儲存平面被執行一擦除循環之后，所述控制器還將暫存于所述第二緩沖器的所述多筆有效數據重新寫入所述第一儲存平面。2.如權利要求1所述的閃存控制裝置，其特征在于，所述控制器是用來通過所述數據讀寫接口來隨機地將所述第一儲存平面內所儲存的所述多筆有效數據中的每一筆有效數據暫存到所述第二緩沖器，當所述第一儲存平面內所有的有效數據都被暫存到所述第二緩沖器之后，所述控制器還執行所述擦除循環來擦除所述第一儲存平面，當所述控制器擦除所述第一儲存平面之后，所述控制器還將暫存于所述第二緩沖器的所述多筆有效數據重新寫入所述第一儲存平面。3.如權利要求1所述的閃存控制裝置，其特征在于，當所述控制器用來將所述第一儲存平面所儲存的所述多筆有效數據暫存到所述第二緩沖器時，所述控制器每一次只會從所述第一儲存平面中讀取出所述多筆有效數據中的一筆有效數據，以及當所述控制器將暫存于所述第二緩沖器的所述多筆有效數據重新寫入所述第一儲存平面時，所述