電子設備、超聲波指紋識別裝置及其制造方法與流程

本申請涉及超聲波指紋識別技術領域，尤其是涉及一種電子設備、超聲波指紋識別裝置及其制造方法。

背景技術：

在超聲波指紋識別技術中，超聲波指紋識別裝置的主要功能是將激勵信號轉化為超聲波并朝垂直指紋的方向定向發射，同時接收指紋反射回的超聲波，并將其轉化為相應的電信號。因此，超聲波指紋識別裝置的設計非常關鍵。

在超聲波指紋識別裝置的設計中，壓電材料的制備同樣是一項關鍵點。目前所選用的壓電材料一般為aln、鋯鈦酸鉛壓電陶瓷(piezoelectricceramictransducer，簡稱pzt)或有機壓電材料聚氟乙烯(pvf)等。相對而言，pzt具有良好的發送效率(即具有良好的壓電效應)，但pzt的接收效率(即具有良好的逆壓電效應)較小。而aln和pvf等材料具有更好的接收效率，但發送效率卻不如pzt。

在現有的超聲波指紋識別裝置的制造技術中，一般根據實際應用場景，從中選擇一種壓電材料來完成超聲波指紋識別裝置的設計。比如對于一些發送和接收設備分離的應用情況，可以選擇pzt做為發送敏感元件，而選擇aln或pvf做為接收敏感元。

然而，在超聲波指紋識別技術中，超聲波指紋識別裝置則需要同時具有發送和接收功能。因此，目前采用單獨一種的壓電材料的超聲波指紋識別裝置的方案，往往容易造成回路效率(回路效率＝發送效率×接收效率)偏低，從而制約了超聲波指紋識別裝置的識別靈敏度。

技術實現要素：

本申請實施例的目的在于提供一種電子設備、超聲波指紋識別裝置及其制造方法，以提高超聲波指紋識別裝置的回路效率，從而提高超聲波指紋識別裝置的識別靈敏度。

為達到上述目的，一方面，本申請實施例提供了一種超聲波指紋識別裝置的制造方法，包括：

在基底層頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波發射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置優選的，在所述基底層頂部形成第一壓電層的工藝包括淀積工藝。

優選的，所述在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，包括：

對所述第一壓電層進行圖形化，以形成第一接觸溝槽；

通過淀積工藝在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極，并在所述第一接觸溝槽內形成第一導電部件。

優選的，在所述基底層頂部形成第二壓電層的工藝包括淀積工藝。

優選的，在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極的工藝包括淀積工藝。

優選的，所述在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，包括：

將形成所述第二平面電極后所得到的結構垂直翻轉；

圖形化所述基底層，以形成諧振空腔；

在所述諧振空腔內形成導電層；

圖形化所述導電層，以形成彼此絕緣隔離的第三平面電極和第二導電部件；所述第二導電部件的一端與所述第一導電部件電性連接，所述第二導電部件的另一端用于與所述半導體器件的發射電極電性連接；所述第三平面電極用于與所述半導體器件的接收電極電性連接。

優選的，所述集成的工藝包括晶圓鍵合工藝。

優選的，還包括：

在所述第二平面電極頂部形成鈍化保護層。

優選的，所述圖形化通過刻蝕工藝實現。

另一方面，本申請實施例還提供了一種通過上述方法制造的超聲波指紋識別裝置。

再一方面，本申請實施例還提供了配置有上述超聲波指紋識別裝置的電子設備。

優選的，所述電子設備包括移動終端。

再一方面，本申請實施例還提供一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現以下步驟：

在基底層頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波發射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。

本申請實施例的超聲波指紋識別裝置中包括三個平面電極和間隔位于其間的兩個壓電層；第一平面電極、第二壓電層和第二平面電極用于實現超聲波發射；第三平面電極、第一壓電層、第二壓電層和第二平面電極用于實現超聲波接收；由于第二壓電層具有特定壓電應變常數，在實現超聲波發射時，可以提高超聲波發射效率；對應的，由于第一壓電層具有特定壓電電壓常數，在實現超聲波接收時，可以提高超聲波接收效率，從而使得本申請實施例的超聲波指紋識別裝置可具有較高的回路效率，進而有利于提高超聲波指紋識別裝置的靈敏度。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。在附圖中：

圖1為本申請一實施例中超聲波指紋識別裝置的制造方法流程圖；

圖2為本申請一實施例所提供的基底的結構示意圖；

圖3為本申請一實施例在基底層頂部形成第一壓電層后的結構示意圖；

圖4為本申請一實施例中的第一壓電層在圖形化后的結構示意圖；

圖5為本申請一實施例在圖形化后的第一壓電層頂部形成第一平面電極后的結構示意圖；

圖6為本申請一實施例在第一平面電極頂部形成第二壓電層后的結構示意圖；

圖7為本申請一實施例在第二壓電層頂部形成第二平面電極后的結構示意圖；

圖8為本申請一實施例在第二平面電極頂部形成鈍化保護層后的結構示意圖；

圖9為在將圖8所示的結構垂直翻轉并對基底進行圖形化后形成的結構示意圖；

圖10為本申請一實施例在將圖9所示結構進行淀積后形成的結構示意圖；

圖11為本申請一實施例在將圖10所示結構中的導電層進行圖形化后形成的結構示意圖；

圖12為本申請一實施例在將圖11所示結構垂直翻轉并與配合的半導體器件集成后形成的超聲波指紋識別裝置的結構示意圖；

圖13為本申請一實施例的電子設備的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本申請中的技術方案，下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本申請保護的范圍。

基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本申請保護的范圍。例如在下面描述中，在第一部件上方形成第二部件，可以包括第一部件和第二部件以直接接觸方式形成的實施例，還可以包括第一部件和第二部件以非直接接觸方式(即第一部件和第二部件之間還可以包括額外的部件)形成的實施例等。

而且，為了便于描述，本申請一些實施例可以使用諸如“在…上方”、“在…之下”、“頂部”、“下方”等空間相對術語，以描述如實施例各附圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件之間的關系。應當理解的是，除了附圖中描述的方位之外，空間相對術語還旨在包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如若附圖中的裝置被翻轉，則被描述為“在”其他元件或部件“下方”或“之下”的元件或部件，隨后將被定位為“在”其他元件或部件“上方”或“之上”。

此外，除非上下文清楚地另有指示，本申請下述實施例使用的“一”、“一個”、“該”、“所述”等看似單數形式的術語，也可以包括復數形式。還需要說明的是，本申請下述實施例使用的術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，意在指定所述特征、整體、步驟、操作、元件、部件等的存在，但不排除一種或多種其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件等的存在或添加。

雖然下文描述的操作流程包括以特定順序出現的多個操作，但是，應當清楚了解，各個操作流程是以有助于理解本申請所述的實施例的方式，依次被描述為多個分立操作的。然而，描述的順序不應被解釋為暗示這些操作必須是順序相關的。具體而言，這些操作可以不必要以呈現的順序被執行，例如這些過程還可以包括更多或更少的操作。

參考圖1所示，本申請實施例的超聲波指紋識別裝置的制造方法可以包括以下步驟：

s101、在基底層頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層。

在本申請一些實施例中，如圖2所示，所述基底層101可用作制造超聲波指紋識別裝置的基材，并且同時還可以起到底部支撐的作用。

在本申請一些實施例中，所述基底層101的材質例如可以為單晶硅、多晶硅、或非晶態結構的硅或鍺的元素半導體材料。在本申請另一些實施例中，所述基底層101的材質也可以為碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦等化合物半導體材料，在本申請其他一些實施例中，所述基底層101的材質還可以為諸如sige或gaasp等合金半導體材料。

在本申請一些實施例中，如圖3所示，可通過淀積工藝在基底層101頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層102，在本申請一些示例性實施例中，根據需要所述淀積工藝例如可以為化學氣相淀積(cvd)、物理氣相淀積(pvd)、電鍍、蒸發(例如分子束外延等)或旋涂等。此外，下文提及的淀積或淀積工藝亦可以參考本部分的描述，以免贅述。

在本申請一些實施例中，所述具有特定壓電應變常數是指所述第一壓電層102的壓電應變常數可以較大(具體的，其壓電應變常數可不低于一個指定閾值)，以提高超聲波指紋識別裝置的發射效率。有鑒于此，在本申請一些示例性實施例中，所述第一壓電層102可選擇諸如pzt等具有較大壓電應變常數的壓電材料。

s102、在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極。

在本申請一些實施例中，所述在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極可以包括：

首先，如圖4所示，對所述第一壓電層102進行圖形化，以形成第一接觸溝槽103。

其次，如圖5所示，可通過例如淀積等工藝在所述第一壓電層102頂部形成第一平面電極104，并在所述第一接觸溝槽103內形成第一導電部件104’。

本申請一些實施例中，所述的圖形化例如可以通過刻蝕工藝實現。在本申請一些示例性實施例中，所述的刻蝕工藝可以為任何適合的濕法刻蝕或干法刻蝕等刻蝕工藝，例如光刻、x射線刻蝕、電子束刻蝕或離子束刻蝕等。此外，下文提及的圖形化或圖形化工藝亦可以參考本部分的描述，以免贅述。

在本申請一些實施例中，所述第一平面電極104的材質可以為諸如金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、金屬氧化物或導電碳等導電材料。在本申請一些示例性實施例中，所述第一平面電極104的材質具體可以為al、cu、ag、au、ni、co、tial、tin或tan等。

s103、在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數的第二壓電層。

在本申請一些實施例中，如圖6所示，可通過淀積工藝在第一平面電極104頂部形成第二壓電層102’。

在本申請一些實施例中，所述具有特定壓電電壓常數是指所述第二壓電層102’的壓電電壓常數可以較大(具體的，其壓電電壓常數可不低于一個設定閾值)，以提高超聲波指紋識別裝置的接收效率。有鑒于此，在本申請一些示例性實施例中，所述第二壓電層102’可選擇諸如aln等具有較大壓電電壓常數的壓電材料。

s104、在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極。

在本申請一些實施例中，如圖7所示，可通過淀積工藝在第二壓電層102’頂部形成第二平面電極105。

在本申請一些實施例中，所述第二平面電極105的材質可以為諸如金屬、金屬硅化物、金屬氮化物、金屬氧化物或導電碳等導電材料。在本申請一些示例性實施例中，所述第二平面電極105的材質具體可以為al、cu、ag、au、ni、co、tial、tin或tan等。

在本申請另一些實施例中，如圖8所示，還可以通過淀積等工藝在所述第二平面電極105頂部形成鈍化保護層106。在本申請一些實施例中，所述鈍化保護層106的材料例如可以為氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、低k介電材料、其他合適的材料或他們的組合。

s105、在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極相互配合可用于實現超聲波發射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極相互配合可用于實現超聲波接收。

在本申請一些實施例中，所述超聲波接收是指接收發射出的超聲波在遇到障礙物(例如手指)反射回來的反射波。

在本申請一些實施例中，在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，可以包括：

首先，將形成所述第二平面電極后所得到的結構垂直翻轉，以便于后續可方便的對所述基底層進行圖形化。

其次，如圖9所示，圖形化所述基底層101，以形成諧振空腔107。

其次，結合圖10所示，在所述諧振空腔107內形成導電層108；在本申請一些實施例中，可通過淀積工藝在所述基底層101內形成所述導電層108。

然后，結合圖11所示，圖形化所述導電層108，以形成彼此絕緣隔離的第三平面電極109和第二導電部件110；所述第二導電部件110的一端與所述第一導電部件104’電性連接，所述第二導電部件110的另一端用于與所述半導體器件的發射電極電性連接；所述第三平面電極109用于與所述半導體器件的接收電極電性連接。

為了便于理解本申請實例原理及其效果，下面作進一步解釋說明：

對于超聲波發射，假設etx為超聲波元件的發送效率，vtx為驅動電壓幅度，utx為產生的超聲波幅度；則有：etx＝utx/vtx。

在忽略超聲波路徑的衰減因子的情況下(因為對于不同方案，此衰減因子一般是恒定值)，對于返回的超聲波接收，假設erx為超聲波元件的接收效率，vrx為接收信號幅度；則有：erx＝vrx/utx。

超聲波元件的回路效率eloop可以定義為：eloop＝vrx/vtx＝etx*erx。

以pzt和aln分別作為單一壓電材料的超聲波元件為例，其發送效率和接收效率對應為：

etx_pzt＝5*etx_norm，erx_pzt＝erx_norm；

etx_aln＝etx_norm，erx_aln＝10*erx_norm；

其中，etx_norm為發送效率歸一化值，erx_norm接收效率歸一化值。

由于歸一化回路效率為eloop_norm＝etx_norm*erx_norm，則：

如果采用以pzt為單一壓電材料的超聲波元件，則其回路效率為5倍的歸一化回路效率：eloop_pzt＝etx_pzt*erx_pzt＝5*eloop_norm；

而如果采用以aln為單一壓電材料的超聲波元件，則其回路效率為10倍的歸一化回路效率：eloop_aln＝etx_aln*erx_aln＝10*eloop_norm；

而采用本申請實施例將所述第一平面電極104、所述第二壓電層102’和所述第二平面電極105用于實現超聲波發射。即在發射時，將可將所述第一平面電極104接入dc電平，將所述第二平面電極105接入交流驅動信號，所述第二壓電層102’作為發射層，利用壓電效應將所述交流驅動信號轉化為超聲波，而所述第三平面電極109和所述第一壓電層102則不參與實現超聲波發射，具體可通過選擇性的將所述第三平面電極109懸空，或將所述第三平面電極109接入與所述第一平面電極104接入相同的電平信號(例如接入dc電平)來實現。則此時超聲波元件的超聲波發送效率為：

etx_our＝etx_pzt＝5*etx_norm；

而采用本申請實施例將所述第三平面電極109、所述第一壓電層102、所述第二壓電層102’和所述第二平面電極105用于實現超聲波接收。即在接收時，所述第一壓電層102和所述第二壓電層102’均利用逆壓電效應，將反射回來的超聲波轉化為電壓信號，產生的電壓信號同相疊加，此時所述第一壓電層102和所述第二壓電層102’共同作為將反射回來的超聲波轉化為電壓信號的接收層，所述第三平面電極109和所述第二平面電極105用于采集所述接收層輸出的電壓信號。在本申請示例性實施例中，例如可將所述第二平面電極105接入dc電平，而將所述第三平面電極109連接接收電極(即與所述第一器件與配合的半導體器件的接收電極)；而所述第一平面電極104則不參與實現超聲波接收，具體可通過選擇性的將所述第一平面電極104懸空來實現。則此時超聲波元件超聲波接收效率為：

erx_our＝erx_aln+erx_pzt＝11*erx_norm；

在此情況下，本申請實施例的超聲波指紋識別裝置的歸一化回路效率為：

eloop_our＝etx_our*erx_our＝55*eloop_norm；

由此可見，本申請實施例的超聲波指紋識別裝置的回路效率遠遠大于使用單一材料做為超聲波元件的回路效率，從而提高了超聲波指紋識別裝置的識別靈敏度，具體表現為使超聲波指紋識別裝置具有更強的介質穿透力和更好的指紋成像能力。

當然，在本申請一些實施例中，位于所述第二壓電層102’和所述第一壓電層102之間的所述第一平面電極104還可以兼做過渡層，以起到應力過渡和組合離子擴散的作用，從而有利于保證兩個壓電層各自特性的完整性。為達到該目的，所述第一平面電極104所用材料的晶格尺寸，應介于所述第二壓電層102’所用材料的晶格尺寸以及所述第一壓電層102所用壓電材料的晶格尺寸之間。

s106、將所述第一器件與配合的半導體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。

在本申請一些實施例中，如圖12所示，可以采用晶圓鍵合等任何合適的集成工藝將所述第一器件10與配合的半導體器件20進行集成，從而形成超聲波指紋識別裝置。在本申請一些示例性實施例中，所述半導體器件例如可以為用于信號處理的cmos芯片等。

在本申請一些實施例中，超聲波指紋識別裝置可以配置于任何適合的電子設備中，以達到通過指紋識別來實現身份識別的目的。

在本申請一些實施例中，一種典型的電子設備為智能電話(一種移動終端)，例如圖13所示。在該圖中，智能電話200上配置有本申請實施例的超聲波指紋識別裝置201，當用戶用手指位于超聲波指紋識別裝置201上(可以為手指與超聲波指紋識別裝置201直接接觸，也可以為手指靠近超聲波指紋識別裝置201上方，但不與之接觸)時，超聲波指紋識別裝置201所發射出的超聲波遇到手指后發生反射，由于指紋具有凸起的紋峭和凹陷的紋峪，這樣反射回來超聲波就會攜帶有手指的指紋信息；而反射回來的超聲波反過來會作用于超聲波指紋識別裝置201的壓電傳感部件，從而使之產生相應的攜帶有指紋信息的電信號，這些攜帶有指紋信息的電信號被傳輸至智能電話200內的處理裝置202(處理裝置202可以為特定的處理軟件、硬件或軟件和硬件的結合)，處理裝置202在獲得采集到的指紋信息后，將其與預先存儲于智能電話200內的特定指紋信息進行對比匹配，如果采集到的指紋信息與特定指紋信息一致，則通過身份識別。否則，身份識別失敗。

在本申請一些示例性實施例中，所述電子設備還可以為個人計算機、膝上型計算機、蜂窩電話、相機電話、個人數字助理(pda)、媒體播放器、導航設備、游戲控制臺、平板計算機或可穿戴設備等等。在本申請其他一些示例性實施例中，所述電子設備還可以為安防門禁電子系統、汽車無鑰進入電子系統或汽車無鑰啟動電子系統等等。

本申請還可以提供一種計算機存儲介質，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現以下步驟：

在基底層頂部形成具有特定壓電應變常數的第一壓電層；

在所述第一壓電層頂部形成第一平面電極；

在所述第一平面電極頂部形成具有特定壓電電壓常數的第二壓電層；

在所述第二壓電層頂部形成第二平面電極；

在所述基底層上形成諧振空腔，并在所述諧振空腔內形成第三平面電極，以形成第一器件；所述第一平面電極、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波發射；所述第三平面電極、所述第一壓電層、所述第二壓電層和所述第二平面電極用于實現超聲波接收；

將所述第一器件與配合的半導體器件進行集成，以形成超聲波指紋識別裝置。

本領域內的技術人員應明白，本發明的實施例可提供為方法、系統、或計算機程序產品。本發明可采用在一個或多個其中包含有計算機可用程序代碼的計算機可用存儲介質(包括但不限于磁盤存儲器、cd-rom、光學存儲器等)上實施的計算機程序產品的形式。

本發明是參照根據本發明實施例的方法、裝置來描述的。應理解可由計算機程序指令實現流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結合。可提供這些計算機程序指令到通用計算機、專用計算機、嵌入式處理機或其他可編程數據處理設備的處理器以產生一個機器，使得通過計算機或其他可編程數據處理設備的處理器執行的指令產生用于實現在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的裝置。

這些計算機程序指令也可存儲在能引導計算機或其他可編程數據處理設備以特定方式工作的計算機可讀存儲器中，使得存儲在該計算機可讀存儲器中的指令產生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實現在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能。

這些計算機程序指令也可裝載到計算機或其他可編程數據處理設備上，使得在計算機或其他可編程設備上執行一系列操作步驟以產生計算機實現的處理，從而在計算機或其他可編程設備上執行的指令提供用于實現在流程圖一個流程或多個流程和/或方框圖一個方框或多個方框中指定的功能的步驟。

在一個典型的配置中，計算設備包括一個或多個處理器(cpu)、輸入/輸出接口、網絡接口和內存。

內存可能包括計算機可讀介質中的非永久性存儲器，隨機存取存儲器(ram)和/或非易失性內存等形式，如只讀存儲器(rom)或閃存(flashram)。內存是計算機可讀介質的示例。

計算機可讀介質包括永久性和非永久性、可移動和非可移動媒體可以由任何方法或技術來實現信息存儲。信息可以是計算機可讀指令、數據結構、程序的模塊或其他數據。計算機的存儲介質的例子包括，但不限于相變內存(pram)、靜態隨機存取存儲器(sram)、動態隨機存取存儲器(dram)、其他類型的隨機存取存儲器(ram)、只讀存儲器(rom)、電可擦除可編程只讀存儲器(eeprom)、快閃記憶體或其他內存技術、只讀光盤只讀存儲器(cd-rom)、數字多功能光盤(dvd)或其他光學存儲、磁盒式磁帶，磁帶磁磁盤存儲或其他磁性存儲設備或任何其他非傳輸介質，可用于存儲可以被計算設備訪問的信息。按照本文中的界定，計算機可讀介質不包括暫存電腦可讀媒體(transitorymedia)，如調制的數據信號和載波。

本申請可以在由計算機執行的計算機可執行指令的一般上下文中描述，例如程序模塊。一般地，程序模塊包括執行特定任務或實現特定抽象數據類型的例程、程序、對象、組件、數據結構等等。也可以在分布式計算環境中實踐本申請，在這些分布式計算環境中，由通過通信網絡而被連接的遠程處理設備來執行任務。在分布式計算環境中，程序模塊可以位于包括存儲設備在內的本地和遠程計算機存儲介質中。

本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處。尤其，對于裝置實施例而言，由于其基本相似于方法實施例，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法實施例的部分說明即可。

以上所述僅為本申請的實施例而已，并不用于限制本申請。對于本領域技術人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原理之內所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本申請的權利要求范圍之內。