1.改善光伏器件的性能的方法，其包括通過配體交換修飾所述器件的半導體納米晶體的表面能級。
2.權利要求1的方法，其中所述配體包括硫醇。
3.權利要求1的方法，其中所述配體包括胺。
4.權利要求1的方法，其中所述配體包括鹵化物。
5.權利要求1的方法，其中所述半導體納米晶體包括硫化鉛。
6.權利要求1的方法，其中所述配體包括苯硫酚(BT)、1,2-苯二硫酚、1,3-苯二硫酚、1,4-苯二硫酚、1,2-乙烷二硫醇或3-巰基丙酸。
7.權利要求1的方法，其中所述配體包括1,2-乙二胺或硫氰酸銨。
8.權利要求1的方法，其中所述配體包括碘化四丁基銨、溴化四丁基銨、氯化四丁基銨或氟化四丁基銨。
9.具有改善的性能的光伏器件，其包括：
第一電極；
與第一電極接觸的第一電荷傳輸層；
第二電極；
與第二電極接觸的第二電荷傳輸層；和
多個半導體納米晶體，其通過權利要求1-8任一項的方法制造且設置在所述第一電荷傳輸層和所述第二電荷傳輸層之間，其中通過配體交換修飾所述多個半導體納米晶體的表面。
10.權利要求9的光伏器件，其中所述半導體納米晶體包括硫化鉛。
11.權利要求9的光伏器件，其中所述配體包括硫醇。
12.權利要求9的光伏器件，其中所述配體包括胺。
13.權利要求9的光伏器件，其中所述配體包括鹵化物。
14.權利要求9的光伏器件，其中所述配體包括苯硫酚(BT)、1,2-苯二硫酚、1,3-苯二硫酚、1,4-苯二硫酚、1,2-乙烷二硫醇或3-巰基丙酸。
15.權利要求9的光伏器件，其中所述配體包括1,2-乙二胺或硫氰酸銨。
16.權利要求9的光伏器件，其中所述配體包括碘化四丁基銨、溴化四丁基銨、氯化四丁基銨或氟化四丁基銨。
17.半導體納米晶體，其包括通過配體交換修飾的表面，其中所述修飾通過權利要求1-8任一項的方法改善了包括所述半導體納米晶體的光伏器件的性能。
18.權利要求17的半導體納米晶體，其中所述配體包括硫醇。
19.權利要求17的半導體納米晶體，其中所述配體包括胺。
20.權利要求17的半導體納米晶體，其中所述配體包括鹵化物。
21.權利要求17的半導體納米晶體，其中所述配體包括苯硫酚(BT)、1,2-苯二硫酚、1,3-苯二硫酚、1,4-苯二硫酚、1,2-乙烷二硫醇或3-巰基丙酸。
22.權利要求17的半導體納米晶體，其中所述配體包括1,2-乙二胺或硫氰酸銨。
23.權利要求17的半導體納米晶體，其中所述配體包括碘化四丁基銨、溴化四丁基銨、氯化四丁基銨或氟化四丁基銨。