TS-Ι的微孔孔容相比幾乎沒變，且均很小，表明模板劑堵塞了微孔 孔道，而且Au納米顆粒僅沉積于分子篩外表面。此外，由于Ti的等電點略大于7、硅的等電點 大致為2，當pH為7時，鈦硅分子篩表面Ti位帶正電，硅位帶負電，所以帶負電的氯金酸前驅 體吸引至Ti位附近。
[0078]該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨使用次數關系如圖1所示。
[0079] 實施例2
[0080]將Au納米顆粒沉積于分子篩外表面特定Ti位點
[0081 ] 取〇. 5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1置于燒杯中，在60 °C下加入40g水 攪拌100分鐘，隨后加入lOmLO. lmol/L的氯金酸溶液形成混合溶液I;將混合溶液I在室溫下 攪拌50分鐘并維持pH為7,將得到混合溶液離心，取出固體后洗滌、干燥后得到Au納米顆粒 僅沉積在鈦硅分子篩TS-1外表面Ti位附近的催化劑。
[0082] 對微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1和Au/TS-Ι催化劑進行犯物理吸附，如表1所 示。純載體TS-1的微孔孔容和Au/TS-Ι的微孔孔容相比雖然均較大，但是幾乎沒變，表明Au 納米顆粒并未進入分子篩的孔道。此外，由于Ti的等電點略大于7、硅的等電點大致為2,當 pH為7時，鈦硅分子篩表面Ti位帶正電，硅位帶負電，所以帶負電的氯金酸前驅體吸引至Ti 位附近。對Au/TS-Ι催化劑和實施例1中使用模板劑堵塞微孔的Au/TS-Ι催化劑進行ICP-AES 和XPS表征，匯總結果如表2所示。其中ICP-AES可以分析整個催化劑體相Au/Si摩爾比，而 XPS分析催化劑外表面Au/Si摩爾比，二者幾乎一致，且本實施例2中XPS確定的Au/Si摩爾比 與實施例1中樣品的數值近似，表明Au納米顆粒集中分布于分子篩外表面。
[0083] 該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨使用次數關系如圖1所示。
[0084] 實施例3
[0085] 將Au納米顆粒沉積于分子篩外表面特定Ti位點
[0086]取0.5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1置于燒杯中，在170°C條件下加入 20g葡萄糖攪拌120分鐘，隨后加入10mL0. lmol/L的氯金酸溶液形成混合溶液I;將混合溶液 I在室溫下攪拌60分鐘并維持pH為7,將得到混合溶液離心，取出固體后洗滌、干燥后得到Au 納米顆粒僅沉積在鈦硅分子篩TS-1外表面Ti位附近的催化劑。
[0087]對微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1和葡萄糖處理后的TS-1催化劑進行N2物理 吸附，如表1所示。純載體TS-1的微孔孔容和葡萄糖處理后的TS-1的微孔孔容相比差距較 大，主要為葡萄糖分子堵塞了孔道。此外，由于Ti的等電點略大于7、硅的等電點大致為2,當 pH為7時，鈦硅分子篩表面Ti位帶正電，硅位帶負電，所以帶負電的氯金酸前驅體吸引至Ti 位附近。對Au/TS-Ι催化劑和實施例1中使用模板劑堵塞微孔的Au/TS-Ι催化劑進行ICP-AES 和XPS表征，匯總結果如表2所示。其中ICP-AES可以分析整個催化劑體相Au/Si摩爾比，而 XPS分析催化劑外表面Au/Si摩爾比，二者幾乎一致，且本實施例2中XPS確定的Au/Si摩爾比 與實施例1中樣品的數值近似，表明Au納米顆粒集中分布于分子篩外表面。該催化劑上苯乙 烯環氧化的轉化率隨時間關系如圖1所示。
[0088] 該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨使用次數關系如圖1所示。
[0089] 實施例4
[0090]將Au納米顆粒沉積于分子篩內表面特定Ti位點
[0091] 取10mL 0. lmol/L的氯金酸溶液置于燒杯中，在28°C條件下調節pH為7并維持30分 鐘，得到絡合物溶液II，絡合物的尺寸小于分子篩TS-1的孔徑;將微孔內無堵孔劑的鈦硅分 子篩TS-1進行室溫下抽真空操作12小時，并取0.5g加入上述溶液中攪拌500分鐘，形成混合 溶液，其中，金絡合物的體積小于分子篩孔道體積;將得到混合溶液離心，取出固體后洗滌、 干燥后得到Au納米顆粒沉積在鈦硅分子篩TS-1內表面Ti位附近的催化劑。
[0092]對微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1和制作好的Au/TS-Ι催化劑進行N2物理吸 附，如表1所示。相比于純載體TS-1的微孔孔容，Au/TS-Ι的微孔孔容明顯降低，表明Au納米 顆粒進入分子篩的孔道。此外，由于Ti的等電點略大于7、硅的等電點大致為2,當pH為7時， 鈦硅分子篩表面Ti位帶正電，硅位帶負電，所以帶負電的氯金酸前驅體吸引至Ti位附近。對 Au/TS-Ι催化劑和實施例1中使用模板劑堵塞微孔的Au/TS-Ι催化劑進行XPS表征，如表2所 示。結果表明本實施例中XPS得到的Au/Si摩爾比遠小于Au顆粒負載于外表面的催化劑，說 明Au納米顆粒集中分布于分子篩內表面。該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨時間關系如 圖4所示。
[0093] 實施例5
[0094]將Au納米顆粒沉積于分子篩內表面特定Ti位點
[0095] 取10mL 0. lmol/L的氯金酸溶液置于燒杯中，在40°C條件下調節pH為7并維持30分 鐘，得到絡合物溶液II;加入〇. 5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1，攪拌60分鐘，形 成混合溶液，其中，金絡合物的體積小于分子篩孔道體積;將得到混合溶液離心，取出固體 后洗滌、干燥后得到Au納米顆粒沉積在鈦硅分子篩TS-1內表面Ti位附近的催化劑。
[0096] 結果表明，在適當溫度和攪拌時間下，Au顆粒可以分布于分子篩孔道中特定位點。 該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨時間關系如圖4所示。
[0097] 實施例6
[0098]將Au納米顆粒沉積于分子篩內表面特定Ti位點
[0099] 取10mL 0. lmol/L的氯金酸溶液置于燒杯中，在5°C條件下調節pH為7并維持30分 鐘，得到絡合物溶液Π ;加入0.5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1，在70°C下攪拌 800分鐘，形成混合溶液，其中，金絡合物的體積小于分子篩孔道體積;將得到混合溶液離 心，取出固體后洗滌、干燥后得到Au納米顆粒沉積在鈦硅分子篩TS-1內表面Ti位附近的催 化劑。
[0100] 結果表明，在適當溫度和攪拌時間下，Au顆粒可以分布于分子篩孔道中特定位點。 該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨時間關系如圖4所示。
[0101] 對比例1
[0102] 普通Au/TS-Ι催化劑制備
[0103] 取0.5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1置于燒杯中，加入50mL0. lmol/L的 氯金酸溶液形成混合溶液I;將混合溶液I在室溫下攪拌30分鐘并維持pH為7，將得到混合溶 液離心，取出固體后洗滌、干燥后得到Au納米顆粒沉積在鈦硅分子篩TS-1內及外表面Ti位 附近的催化劑。
[0104] 結果表明，普通的Au/TS-1催化劑，Au顆粒隨機分布于分子篩孔道內部和外部。該 催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨使用次數關系如圖2所示。
[0105] 對比例2
[0106] Au/TS-1催化劑制備
[0107]取〇.5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1置于燒杯中，加入40g水攪拌5分 鐘，隨后加入10mL0. lmol/L的氯金酸溶液形成混合溶液I;將混合溶液I在室溫下攪拌30分 鐘并維持pH為7.5，將得到混合溶液離心，取出固體后洗滌、干燥后得到Au納米顆粒沉積在 鈦硅分子篩TS-1內及外表面Ti位附近的催化劑。
[0108] 結果表明，與分子篩接觸的水分子時間較短時，無法起到堵孔劑作用，而使Au顆粒 無法僅沉積于分子篩外表面。該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨使用次數關系如圖2所 不。
[0109] 對比例3
[0110] Au/TS-1催化劑制備 取〇. 5g含有微孔內無堵孔劑的鈦硅分子篩TS-1置于燒杯中，加入0.2g水攪拌100 分鐘，隨后加入10mL0. lmol/L的氯金酸及40g水的混合溶液形成溶液I;將混合溶液I在室溫 下攪拌30分鐘并維持pH為7.5，將得到混合溶液離心，取出固體后洗滌、干燥后得到Au納米 顆粒僅沉積在鈦硅分子篩TS-1外表面Ti位附近的催化劑。
[0112] 結果表明，與分子篩接觸的水分子較少時，無法起到堵孔劑作用，而使Au顆粒無法 僅沉積于分子篩外表面。該催化劑上苯乙烯環氧化的轉化率隨使