1.一種用于真空處理系統(tǒng)的粒子去除裝置，所述真空處理系統(tǒng)用于處理支撐在載體上的基板，所述粒子去除裝置包含：
基體，所述基體具有凹槽，其中所述凹槽配置成使得所述載體的部分可被移動(dòng)通過(guò)所述凹槽；以及
刷，所述刷設(shè)在所述凹槽中，并且所述刷配置為當(dāng)移動(dòng)所述載體的所述部分移動(dòng)通過(guò)所述凹槽時(shí)與所述載體的所述部分接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的粒子去除裝置，進(jìn)一步包含：
一個(gè)或多個(gè)氣體出口，所述一個(gè)或多個(gè)氣體出口配置為當(dāng)移動(dòng)所述載體的所述部分通過(guò)所述凹槽時(shí)，將氣體引導(dǎo)到所述載體的所述部分上。
3.如權(quán)利要求1至2中的任一項(xiàng)所述的粒子去除裝置，進(jìn)一步包含：
吸入端口，所述吸入端口與在所述凹槽中的開(kāi)口流體地連通且配置為連接至泵。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的粒子去除裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)氣體出口設(shè)在所述基體的上部中，所述一個(gè)或多個(gè)氣體出口特別配置為將氣體向下引導(dǎo)到所述凹槽的下部中。
5.如權(quán)利要求4所述的粒子去除裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)氣體出口包括第一氣體出口布置和第二氣體出口布置，其中所述第一氣體出口布置設(shè)在所述基體的第一側(cè)上，并且所述第二氣體出口布置設(shè)在所述基體與所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)上。
6.如權(quán)利要求3至5中的任一項(xiàng)所述的粒子去除裝置，其中所述凹槽中的所述開(kāi)口在所述刷下方。
7.如權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的粒子去除裝置，進(jìn)一步包含：
進(jìn)一步的凹槽，所述進(jìn)一步的凹槽配置成使得進(jìn)一步的載體的部分可被移動(dòng)通過(guò)所述凹槽；以及
進(jìn)一步的刷，所述進(jìn)一步的刷設(shè)在所述進(jìn)一步的凹槽中，其中粒子捕集器配置為用于捕集在雙軌道傳輸系統(tǒng)中傳輸?shù)妮d體的粒子。
8.如權(quán)利要求7所述的粒子去除裝置，其中所述進(jìn)一步的凹槽設(shè)在所述基體中。
9.一種用于真空處理系統(tǒng)的加載鎖定腔室，所述真空處理系統(tǒng)用于處理支撐在載體上的基板，所述加載鎖定腔室包含：
多個(gè)加載鎖定壁，所述多個(gè)加載鎖定壁形成加載鎖定腔室容積；
入口，所述入口配置為用于鎖定進(jìn)入所述加載鎖定腔室的所述載體，其中所述入口設(shè)在所述加載鎖定壁的入口壁處；
真空生成裝置，所述真空生成裝置用于對(duì)所述加載鎖定腔室抽真空；以及
用于真空處理系統(tǒng)的粒子去除裝置，所述真空處理系統(tǒng)用于處理支撐在載體上的基板，其中所述粒子去除裝置包含：
基體，所述基體具有凹槽，其中所述凹槽配置成使得所述載體的部分可被移動(dòng)通過(guò)所述凹槽；以及
刷，所述刷設(shè)在所述凹槽中且配置為當(dāng)移動(dòng)所述載體的所述部分移動(dòng)通過(guò)所述凹槽時(shí)與所述載體的所述部分接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的加載鎖定腔室，進(jìn)一步包含：
第一真空密封閥，所述第一真空密封閥在所述入口處；
出口，所述出口配置為用于在所述加載鎖定壁的出口壁處將所述載體轉(zhuǎn)移出所述加載鎖定腔室；以及
第二真空密封閥，所述第二真空密封閥在供所述基板離開(kāi)所述加載鎖定腔室的所述出口處。
11.一種用于處理基板的真空處理系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含：
真空處理腔室，所述真空處理腔室適用于處理所述基板；以及
如權(quán)利要求9至10中的任一項(xiàng)所述的加載鎖定腔室，所述加載鎖定腔室配置為用于將所述基板從大氣條件轉(zhuǎn)移到所述真空處理腔室中。
12.如權(quán)利要求11所述的真空處理系統(tǒng)，進(jìn)一步包含如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的第二粒子去除裝置，其中所述第二粒子去除裝置包含具有在約1.0E-8mbar*l/(s*cm2)與約1.0E-6mbar*l/(s*cm2)之間的對(duì)于1小時(shí)(1h)的釋氣值的材料，并且其中所述第二粒子去除裝置設(shè)在所述加載鎖定腔室中，設(shè)在所述真空處理腔室中或設(shè)在所述真空處理系統(tǒng)的進(jìn)一步的真空腔室中。
13.如權(quán)利要求11至12中的任一項(xiàng)所述的真空處理系統(tǒng)，其中所述真空處理腔室中的真空是具有在約10-7毫巴與約10-5毫巴之間的范圍中的壓力的超高真空。
14.一種在真空處理系統(tǒng)中清潔載體的方法，所述方法包含以下步驟：
將所述載體鎖定到所述真空處理系統(tǒng)的加載鎖定腔室中；以及
當(dāng)所述載體被鎖定到所述加載鎖定腔室中時(shí)，利用刷來(lái)清潔所述載體的部分。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，所述方法進(jìn)一步包含以下步驟：
當(dāng)所述載體被鎖定到所述加載鎖定腔室中時(shí)，將氣流引導(dǎo)到所述載體的所述部分上；以及
真空清潔從所述載體的所述部分去除的粒子。