粒子去除裝置及其操作方法與流程

實(shí)施例關(guān)于清潔在真空處理系統(tǒng)處或在真空處理系統(tǒng)內(nèi)的載體。實(shí)施例特別關(guān)于一種粒子去除裝置、加載鎖定腔室和真空處理系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

基板常在例如在真空涂覆工廠中、在高真空條件下、以5×10^-4hPa(百帕)到0.5hPa范圍內(nèi)的壓力進(jìn)行涂覆。為了增加工廠生產(chǎn)率并避免針對(duì)每個(gè)基板、特別是對(duì)于高真空區(qū)段(high-vacuum section)必須對(duì)對(duì)整個(gè)安裝體抽真空，將加載與卸載鎖定裝置(load and unload locks)用于基板。

例如，在平板顯示器的生產(chǎn)中，來自于處理系統(tǒng)的機(jī)械組件和來自工藝本身這兩者的粒子是良率減損的主要因素。因此，在過去幾年中，對(duì)于真空工藝期間更少的污染的期望增加。污染可能例如發(fā)生在以下情況下：如果處理系統(tǒng)的腔室沒有適當(dāng)?shù)爻橹琳婵眨蝗绻麄鬏斚到y(tǒng)或工藝系統(tǒng)內(nèi)的組件在工藝期間產(chǎn)生粒子；如果待處理的基板將粒子引入到被抽真空的工藝系統(tǒng)內(nèi)，等等。因此，在操作期間，在沉積系統(tǒng)中具有多種可能的粒子污染源，這影響了產(chǎn)品質(zhì)量。

在工藝系統(tǒng)中清潔并更換組件以及連續(xù)的真空泵送是減少產(chǎn)品的污染風(fēng)險(xiǎn)的一種方法。然而，如上文所述，必須以盡可能快且高效的方式來執(zhí)行此過程。清潔和更換流程需要用于維護(hù)的時(shí)間，所述用于維護(hù)的時(shí)間隨后無法用作生產(chǎn)時(shí)間。

鑒于上述說明，提供一種改善的粒子去除裝置、一種改善的加載鎖定腔室、一種改善的真空處理系統(tǒng)以及一種在真空處理系統(tǒng)中清潔載體的改善方法是有益的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種用于真空處理系統(tǒng)的粒子去除裝置，所述真空處理系統(tǒng)用于處理支撐在載體上的基板。粒子去除裝置包括：基體，所述基體具有凹槽，其中所述凹槽是配置成使得載體的部分可被移動(dòng)通過所述凹槽；以及刷，所述刷設(shè)在所述凹槽中，并且配置為當(dāng)移動(dòng)所述載體的部分通過所述凹槽時(shí)與所述載體的部分接觸。

根據(jù)另一實(shí)施例，提供一種用于真空處理系統(tǒng)的加載鎖定腔室，所述真空處理系統(tǒng)用于處理支撐在載體上的基板。加載鎖定腔室包括：加載鎖定壁，形成加載鎖定腔室容積；入口，配置為用于鎖定進(jìn)入所述加載鎖定腔室的載體，其中所述入口設(shè)在所述加載鎖定壁的入口壁處；真空生成裝置，用于對(duì)所述加載鎖定腔室抽真空；以及粒子去除裝置，鄰近于加載鎖定腔室的入口壁處的入口。粒子去除裝置包括：基體，具有凹槽，其中凹槽配置成使得載體的部分可被移動(dòng)通過所述凹槽；以及刷，設(shè)在所述凹槽中，并且配置為當(dāng)移動(dòng)所述載體的部分通過凹槽時(shí)與所述載體的部分接觸。

根據(jù)又一實(shí)施例，提供一種用于處理基板的真空處理系統(tǒng)。所述系統(tǒng)包括：真空處理腔室，所述真空處理腔室適用于處理所述基板；以及加載鎖定腔室，所述加載鎖定腔室配置為用于將所述基板從大氣條件轉(zhuǎn)移至所述真空處理腔室中。所述加載鎖定腔室包括：加載鎖定壁，形成加載鎖定腔室容積；入口，配置為用于鎖定進(jìn)入所述加載鎖定腔室的載體，其中所述入口設(shè)在所述加載鎖定壁的入口壁處；真空生成裝置，用于對(duì)所述加載鎖定腔室抽真空；以及粒子去除裝置，鄰近于所述加載鎖定腔室的所述入口壁上的所述入口。所述粒子去除裝置包括：基體，具有凹槽，其中所述凹槽配置成使得所述載體的部分可被移動(dòng)通過所述凹槽；以及刷，設(shè)在所述凹槽中，并且配置為當(dāng)移動(dòng)所述載體的所述部分通過所述凹槽時(shí)與所述載體的所述部分接觸。

根據(jù)本發(fā)明的更進(jìn)一步的實(shí)施例，提供一種在真空處理系統(tǒng)中清潔載體的方法。所述方法包括以下步驟：將所述載體鎖定到所述真空處理系統(tǒng)的加載鎖定腔室；以及當(dāng)所述載體被鎖定到所述加載鎖定腔室時(shí)，利用刷清潔所述載體的部分。

附圖說明

因此，為了可詳細(xì)地理解本發(fā)明的上述特征的方式，可通過參考實(shí)施例進(jìn)行對(duì)上文簡要概述的本發(fā)明的具體描述。所附圖式關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例，并且在下文中描述：

圖1示出根據(jù)本文所述實(shí)施例的、包括粒子去除裝置的真空處理系統(tǒng)的部分；

圖2A示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例且具有用于清潔載體的刷的粒子去除裝置的示意圖；

圖2B示出根據(jù)本文所述實(shí)施例且具有用于清潔載體的一刷、多個(gè)氣體噴嘴和吸入端口的進(jìn)一步的粒子去除裝置的示意圖；

圖3和圖4示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的加載鎖定腔室和粒子去除裝置的相應(yīng)部分；

圖5A和圖5B示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的粒子去除裝置的示意圖；以及

圖6示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的、具有加載鎖定腔室的處理系統(tǒng)。

為了便于理解，在可能的情況下，已使用相同的參考編號(hào)來指定各圖所共有的相同的元件。構(gòu)想了在一個(gè)實(shí)施例中公開的元件是可有益地被利用于其他實(shí)施例而無需特別指明。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參考各種實(shí)施例，在附圖中闡釋實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)示例。一般而言，僅描述相對(duì)于各個(gè)實(shí)施例的差異。此外，闡釋或描述為一個(gè)實(shí)施例的部分的特征可用于其他實(shí)施例或可結(jié)合其他實(shí)施例，從而產(chǎn)生更進(jìn)一步的實(shí)施例。說明書旨在包括此類修改和變型。

根據(jù)本文所述實(shí)施例，提供粒子捕集器或粒子去除裝置。例如，所述粒子捕集器或所述粒子去除裝置包括基體和刷。所述刷可以在真空處理系統(tǒng)處或或在真空處理系統(tǒng)內(nèi)清潔載體。例如，所述刷可以是真空刷，即，結(jié)合吸入端口的刷，所述吸入端口用于對(duì)利用所述刷從所述載體清潔掉的粒子進(jìn)行真空清潔。所述粒子捕集器或所述粒子去除裝置是可以是有益的以提供有效的方法來防止粒子到達(dá)基板(例如，在其上制造平板顯示器的基板)。

根據(jù)典型的實(shí)現(xiàn)方式，在物理氣相沉積(PVD)工具(諸如，來自應(yīng)用材料公司的AKT Pivot和NewAristo)上，基板載體在傳輸系統(tǒng)上移動(dòng)，其中在滾軸布置(arrangement)上移動(dòng)載體的桿。在系統(tǒng)操作期間，粒子是累積在所述基板載體的所述桿上。累積的粒子由所述基板載體的所述桿傳輸通過所述系統(tǒng)，并且在所述系統(tǒng)中循環(huán)。最終，這些粒子可能到達(dá)平板基板，要么由于例如對(duì)真空腔室(諸如，加載鎖定腔室)的排空和泵送期間的氣流型態(tài)，要么由于靜電和/或動(dòng)態(tài)效應(yīng)。

鑒于上述情況，粒子捕集器或粒子去除裝置可有益地適用于至少利用刷，特別是利用刷、真空吸入布置和/或用于提供清潔氣流的氣體出口(例如，氣體噴嘴)來清潔載體的桿。一種用于防止粒子到達(dá)面板的高效的方法是捕集或去除這些粒子。

圖1示出連接至處理腔室124的加載鎖定腔室122的實(shí)施例。例如在加載鎖定腔室122的入口壁處提供粒子捕集器或粒子去除裝置200。加載鎖定腔室122可包括真空生成裝置125，諸如，泵。在圖1中所示的實(shí)施例中，基板在加載鎖定腔室122和處理腔室124中是基本上豎直地取向的?？衫斫獾氖牵Q直取向的基板在處理系統(tǒng)中可以具有距豎直(即，90°)取向的一些偏離，以便為利用幾度的傾斜(即，基板可以具有從垂直方向起的±20°或更小(例如，±10°或更小)的偏離)來允許穩(wěn)定的傳輸或減少基板的粒子污染(如果以略微面朝下的方式傾斜)。

根據(jù)一些實(shí)施例，如本文所述的加載鎖定腔室可適用于大面積基板。根據(jù)一些實(shí)施例，大面積基板或相應(yīng)的載體可具有至少0.67平方米(m2)的尺寸，其中所述載體具有多個(gè)基板。典型地，所述尺寸可約為0.67平方米(m²)(0.73米×0.92米-4.5代(GEN))或更高代；更典型地，可約為2平方米(m²)至9平方米(m²)或甚至高達(dá)12平方米(m²)。典型地，基板或載體(為所述基板和載體提供了根據(jù)本文所述的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、系統(tǒng)、腔室、閘門和閥的基板或載體)是本文中所述的大面積基板。例如，大面積基板或載體可以是第4.5代，其對(duì)應(yīng)于約0.67平方米(m²)(0.73米×0.92米)的基板；第5代，其對(duì)應(yīng)于約1.4平方米(m²)(1.1米×1.3米)的基板；第7.5代，其對(duì)應(yīng)于約4.29平方米(m²)(1.95米×2.2米)的基板；第8.5代，其對(duì)應(yīng)于約5.7平方米(m2)(2.2米×2.5米)的基板；或甚至是第10代，其對(duì)應(yīng)于約8.7平方米(m2)(2.85米×3.05米)的基板。甚至更高世代(generation)(諸如，第11代和第12代)和對(duì)應(yīng)的基板面積可類似地實(shí)現(xiàn)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，此系統(tǒng)是可配置為用于TFT(薄膜晶體管)制造(例如，利用靜態(tài)沉積)，或配置成用于彩色濾光器制造(例如，利用動(dòng)態(tài)沉積)。

根據(jù)一些實(shí)施例，如本文所述的加載鎖定腔室、所述加載鎖定腔室的組件(諸如，基板支撐件或追蹤系統(tǒng)、狹縫閥或閘門)或如本文所述的處理腔室可適用于搬運(yùn)多個(gè)基板?；蹇砂úＡЩ寤蛴伤芰喜牧现瞥傻幕?即，例如用于顯示器的制造的基板)。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，本文所述的實(shí)施例是可被用于顯示器制造，例如，PVD(物理氣相沉積)工藝，即，用于顯示器市場的在大面積基板上的濺射沉積。

如上文所述，加載鎖定腔室可包括真空生成裝置(諸如，真空泵)，并且可適用于例如通過在入口腔室壁與出口腔室壁處提供相應(yīng)的真空密封閥來維持加載鎖定腔室內(nèi)的真空。根據(jù)一些實(shí)施例，如本文所述的加載鎖定腔室適用于提供小于1mbar(毫巴)的真空。在一些實(shí)施例中，加載鎖定腔室適用于提供以下真空：典型地在約0.01mbar與約1mbar之間，更典型地在約0.1mbar至1毫巴mbar之間。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，如本文所述的真空處理腔室是可適用為高真空腔室。例如，處理腔室可包括用于在處理腔室中生成并維持真空的相應(yīng)的真空泵、密封件、閥和閘門。在一些實(shí)施例中，處理腔室適用于提供低于約10^-3mbar的真空。在一些示例中，處理腔室適用于提供具有以下壓力的真空：典型地在約10^-12mbar與約10^-3mbar之間，更典型地在約10^-9mbar與約10^-5mbar之間。

如圖1中所示，首先通過真空密封閥、在加載鎖定腔室122中提供由載體支撐的基板。根據(jù)一些實(shí)施例，當(dāng)載體進(jìn)入局部腔室122時(shí)，此載體在粒子去除裝置200上方經(jīng)過。因此，當(dāng)載體進(jìn)入加載鎖定腔室122之前，附著于載體或載體的部分(例如，載體的桿)的粒子被去除。

在加載鎖定腔室122的入口壁處的真空密封閥可被關(guān)閉，以將加載鎖定腔室122從大氣壓力抽真空至較低的壓力以用于真空處理系統(tǒng)的操作。在對(duì)加載鎖定腔室122抽真空之后，在加載鎖定腔室的出口壁處的真空密封閥便可被打開，使得基板可被轉(zhuǎn)移到真空處理腔室124中。例如，可在真空處理腔室124中提供多個(gè)陰極113。

圖2A示出粒子去除裝置200，所述粒子去除裝置可用于闡釋本文所述的進(jìn)一步的實(shí)施例。粒子去除裝置200包括基體210和刷220。例如，基體210具有凹槽，例如，在基體210的上側(cè)的凹槽。在基體210的凹槽中提供刷220。當(dāng)載體的部分(例如，載體的桿)被移動(dòng)通過基體210的凹槽時(shí)，可由刷220來刷洗桿。

根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，如圖2B中所示，附加地可提供氣體出口布置或氣體噴嘴布置。例如，氣體噴嘴布置可包括第一組一個(gè)或多個(gè)氣體出口或氣體噴嘴231以及第二組一個(gè)或多個(gè)氣體出口或氣體噴嘴233。氣體噴嘴連接至導(dǎo)管，例如，在所述導(dǎo)管中可引入空氣、干燥空氣、壓縮干燥空氣或配置為用于清潔載體的部分的另一氣體。

可例如在基體的左手側(cè)提供第一組一個(gè)或多個(gè)氣體出口或氣體噴嘴231，并且可例如在基體的右手側(cè)提供第二組一個(gè)或多個(gè)氣體出口或氣體噴嘴233，使得將氣體向下吹入基體210的凹槽中和/或吹入凹槽的下部。被移動(dòng)通過基體210的凹槽的載體的部分(諸如，載體的桿)暴露于來自氣體出口布置或氣體噴嘴布置的氣流。暴露于氣流可附加地地去除附著于載體的此部分(諸如，載體的桿)的粒子。根據(jù)一些實(shí)施例，一個(gè)或多個(gè)氣體噴嘴組中的一組或這兩組的一個(gè)或多個(gè)氣體噴嘴可包括用于將氣體噴氣引導(dǎo)在載體的部分(例如，載體的桿)上的噴嘴出口。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，可提供真空布置或吸入布置240。吸入端口241與凹槽中的開口流體地連通。吸入端口241連接至導(dǎo)管243。吸入端口241與導(dǎo)管243流體地連通。導(dǎo)管243可連接至泵。從載體的部分釋放的粒子可由吸入布置240真空清除。吸入布置240是有益的，使得粒子不聚積在粒子去除裝置內(nèi)和/或由吸入布置(例如，類似于真空清潔器)去除更進(jìn)一步的粒子。

圖3示出安裝至局部腔室的入口壁的粒子去除裝置200。刷220安裝在基體210中，例如，安裝在基體210的凹槽中。根據(jù)一些實(shí)施例，基體中的凹槽可具有凹陷形狀(例如，具有彎曲部)，使得載體的桿可以穿過基體210的凹槽。如圖3中所示，在基體的一側(cè)上(例如，在基體的上部中和/或在凹槽的一側(cè)上)提供第一組一個(gè)或多個(gè)氣體出口或氣體噴嘴231。在基體的相對(duì)側(cè)上(例如，在基體的上部中和/或在凹槽的相對(duì)側(cè)上)提供第二組一個(gè)或多個(gè)氣體出口或氣體噴嘴232。圖3進(jìn)一步示出導(dǎo)管243的部分，所述部分可連接至吸入布置的泵。

圖4示出加載鎖定腔室的部分。加載鎖定腔室具有設(shè)有開口492的入口壁422。開口492可利用真空密封閥來關(guān)閉。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，真空密封閥可選自由以下各項(xiàng)組成的組：狹縫閥、閘閥(sluice valve)和門閥(gate valve)。載體40被插入在開口492中。如圖可見，載體40包括桿42，所述桿42移動(dòng)通過在基體210中的凹槽。粒子去除裝置200利用支撐件410而裝配至入口壁422。在基體處提供第一組一個(gè)或多個(gè)氣體噴嘴231和第二組一個(gè)或多個(gè)氣體噴嘴233以將空氣或另一氣體吹到載體40的桿42上。在基體210的凹槽中的刷進(jìn)一步從載體40的桿42上去除粒子。通過刷和/或氣體出口布置或氣體噴嘴布置的氣流被去除的粒子利用吸入布置而從粒子去除裝置200中去除，其中泵連接至導(dǎo)管243。

圖5A示出根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的粒子去除裝置200的剖面圖。基體210具有凹槽。在凹槽內(nèi)提供刷220，使得刷220可與載體40的桿42接觸。根據(jù)本文所述的實(shí)施例的任選的修改，可在基體的一個(gè)凹槽中提供一個(gè)或多個(gè)刷，例如，一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)刷。所述刷刷去附著至載體40的桿42的粒子以清潔載體40。氣體噴嘴布置包括第一組一個(gè)或多個(gè)氣體噴嘴231以及第二組一個(gè)或多個(gè)氣體噴嘴233。氣體噴嘴布置進(jìn)一步從桿42上去除粒子。可通過導(dǎo)管243從帶電的粒子去除裝置200去除已從載體或載體40的桿42去除的粒子，所述導(dǎo)管243可連接至泵?？捎砂ㄎ攵丝?、導(dǎo)管和/或泵的吸入布置去除這些粒子。

圖5B示出可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例?；w具有第一凹槽，在所述第一凹槽中提供第一刷220。另外，基體具有第二凹槽，在所述第二凹槽中提供第二刷220。第一凹槽和第二凹槽或相應(yīng)的刷彼此間隔開，使得可移動(dòng)在雙軌道傳輸系統(tǒng)上移動(dòng)的載體通過相應(yīng)的凹槽。例如，在圖5B中，在右側(cè)的刷可關(guān)聯(lián)于載體進(jìn)入加載鎖定腔室的入口，其中在左側(cè)的刷可關(guān)聯(lián)于載體移出加載鎖定腔室的出口。在開口內(nèi)提供刷，所述開口基本上是圓形的。所述開口是被供為吸入布置的多個(gè)吸入開口。由刷從載體的桿上去除的粒子可落入開口，并且可借助于泵、通過導(dǎo)管而被去除。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，可沿在基體中的細(xì)長插件移動(dòng)刷和開口，所述細(xì)長插件被提供為導(dǎo)管的部分，所述導(dǎo)管是吸入布置的部分。開口和刷可被移動(dòng)至更靠近加載鎖定腔室的入口壁的位置，以用于雙軌道傳輸系統(tǒng)的入口軌道。開口和刷可在細(xì)長插件內(nèi)移動(dòng)至更遠(yuǎn)離加載鎖定腔室的入口壁的位置，以用于雙軌道傳輸系統(tǒng)的出口軌道。

鑒于上述情況，為了能夠防止累積的粒子污染PVD工具，可提供根據(jù)本文所述的實(shí)施例的載體桿清潔器，所述載體桿清潔器可放置在真空處理系統(tǒng)的進(jìn)入口處。根據(jù)一些實(shí)施例，可提供噴嘴布置，即，在載體桿的頂部供應(yīng)氣流的空氣噴淋(air shower)或氣體噴淋。例如，多個(gè)噴嘴在載體桿上吹動(dòng)氣體或空氣以去除累積的粒子。根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的一些實(shí)施例，空氣流動(dòng)方向或氣體流動(dòng)方向可基本上垂直于載體桿的軸(與載體桿的軸呈80°至100°)。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，可提供吸入布置，即，吸入端口。例如，吸入端口可以在載體桿下方。被噴嘴布置或被空氣噴淋移離的粒子被那個(gè)吸入端口(例如，真空端口)拽離。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的更進(jìn)一步的實(shí)施例，可在空氣噴淋與吸入端口之間提供刷。沒有被噴嘴布置(即，空氣噴淋)的氣流去除的累積粒子被刷捕集。在載體在真空處理系統(tǒng)內(nèi)的轉(zhuǎn)移或移動(dòng)期間，刷摩擦載體桿。根據(jù)一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式，可在基體的凹槽中提供一個(gè)或多個(gè)刷。例如，刷可具有抗靜電材料，以允許對(duì)從桿上被去除的粒子的更好的追蹤(tracking)。

圖6示出根據(jù)本文所述的實(shí)施例的處理系統(tǒng)100。處理系統(tǒng)包括第一真空腔室101、第二真空腔室102、第三真空腔室103和第四真空腔室121。真空腔室可以是沉積腔室或其他處理腔室，其中在這些腔室內(nèi)生成真空。在圖6中，可看見加載鎖定腔室122，加載鎖定腔室122提供從處理系統(tǒng)的外部的大氣條件至在處理系統(tǒng)的腔室內(nèi)的真空條件的過渡。加載鎖定腔室122可以是如前文詳述的加載鎖定腔室，并且可例如在加載鎖定腔室的入口壁處包括粒子去除裝置。可根據(jù)本文所述的實(shí)施例中的任一實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)粒子去除裝置200。根據(jù)本文所述的實(shí)施例，加載鎖定腔室122和真空腔室101、102、103和121由傳輸系統(tǒng)經(jīng)由直線型傳輸路徑而連接。

加載鎖定腔室122連接至進(jìn)一步的真空腔室121，例如，轉(zhuǎn)移腔室。轉(zhuǎn)移腔室連接至另一真空腔室101，例如，沉積腔室。如在圖6中所示且根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)施例，可在轉(zhuǎn)移腔室中替代地或附加地提供進(jìn)一步的粒子去除裝置600，使得載體或載體的部分(例如，載體的桿)在進(jìn)入沉積腔室之前被清潔。如在圖6中所示的粒子去除裝置600是可由諸如PEEK、不銹鋼或其他材料之類的材料制成，所述具有足夠低的釋氣性(outgassing)，以允許在真空處理系統(tǒng)內(nèi)的真空條件下進(jìn)行操作。根據(jù)更進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)方式，可在其他真空腔室中的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)(例如，在真空旋轉(zhuǎn)模塊150中)提供進(jìn)一步的真空去除裝置600。

根據(jù)本文所述的實(shí)施例，傳輸系統(tǒng)可包括含有若干傳輸軌道161、163、164的雙軌道傳輸系統(tǒng)。在圖6中所見示例中，傳輸系統(tǒng)進(jìn)一步包括旋轉(zhuǎn)模塊150，以允許基板沿傳輸路徑的的旋轉(zhuǎn)。例如，可著在基板處理系統(tǒng)100中的多個(gè)直線型傳輸路徑傳輸?shù)湫偷赜糜陲@示器制造的大面積基板。典型地，由傳輸軌道161和163提供直線型傳輸路徑，所述傳輸軌道諸如具有例如沿一直線而布置的多個(gè)滾軸的直線型傳輸軌道。

根據(jù)典型的實(shí)施例，傳輸軌道和/或旋轉(zhuǎn)軌道可由在大面積基板底部的傳輸系統(tǒng)以及由在基本上豎直取向的大面積基板的頂部上的引導(dǎo)系統(tǒng)(例如，磁性引導(dǎo)系統(tǒng))來提供。

根據(jù)可與本文所述的其他實(shí)施例結(jié)合的不同的實(shí)施例，可由固定式雙軌道系統(tǒng)、可移動(dòng)單軌道系統(tǒng)或可移動(dòng)雙軌道系統(tǒng)提供真空腔室(例如，在圖6中示出的在真空腔室122、121、101、102和103)中的雙軌道傳輸系統(tǒng)，即，具有第一傳輸路徑和第二傳輸路徑的傳輸系統(tǒng)。固定式雙軌系統(tǒng)包括第一傳輸軌道和第二傳輸軌道，其中第一傳輸軌道和第二傳輸軌道不能橫向地移位，即，基板不能在垂直于傳輸方向的方向上移動(dòng)?？梢苿?dòng)單軌道系統(tǒng)是通過具有可橫向地(即，垂直于傳輸方向)移位的直線型傳輸軌道來提供雙軌道傳輸系統(tǒng)，使得要么在第一傳輸路徑上要么在第二傳輸路徑上提供基板，其中第一傳輸路徑和第二傳輸路徑彼此遠(yuǎn)離?？梢苿?dòng)雙軌道系統(tǒng)包括第一傳輸軌道和第二傳輸軌道，其中這兩個(gè)傳輸軌道可橫向地移位，即，這兩個(gè)傳輸軌道可將它們相應(yīng)的位置從第一傳輸路徑切換至第二傳輸路徑，反之亦然。

憑借根據(jù)本文所述的實(shí)施例的加載鎖定腔室以及包括加載鎖定腔室的處理系統(tǒng)，降低在處理系統(tǒng)中的污染是可能的。使用根據(jù)本文所述的一些實(shí)施例的粒子去除裝置或粒子捕集器允許以容易且不復(fù)雜的方式來捕捉真空處理系統(tǒng)中的粒子，同時(shí)，在同一時(shí)間，通過使用具有所定義的材料特性(諸如，所定義的釋氣速率)的相應(yīng)材料來降低污染風(fēng)險(xiǎn)。

雖然上述內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施例，但是可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實(shí)施例而不背離本發(fā)明的基本范圍，并且本發(fā)明的基本范圍由所附權(quán)利要求書來確定。