的結構的實施例1的晶片加工用帶。
[0099] (實施例2)
[0100] 除了使用支承構件4B來代替支承構件4AW外，與實施例1同樣地，制作了實施例2 的晶片加工用帶。
[0101] (實施例3)
[0102] 除了使用支承構件4C來代替支承構件4A、使用膠粘劑層3B來代替膠粘劑層3AW 夕h與實施例1同樣地，制作了實施例3的晶片加工用帶。
[0103] (實施例4)
[0104] 除了使用膠粘劑層3B來代替膠粘劑層3AW外，與實施例2同樣地，制作了實施例4 的晶片加工用帶。
[0105] (實施例5)
[0106] 除了使用支承構件4D來代替支承構件4CW外，與實施例3同樣地，制作了實施例5 的晶片加工用帶。
[0107] (實施例6)
[0108] 除了使用膠粘劑層3C來代替膠粘劑層3BW外，與實施例5同樣地，制作了實施例6 的晶片加工用帶。
[0109] (比較例1)
[0110] 使冷藏保管后的形成有膠粘劑層3A的脫模膜2A恢復至常溫，對于膠粘劑層，W向 脫模膜的切入深度為lOwnW下的方式調整而進行了直徑220mm的圓形預切割加工。之后，除 去膠粘劑層的不需要部分，W使粘合膜IA的粘合劑層與膠粘劑層接觸的方式，在室溫層壓 脫模膜2A。然后，對于粘合膜1A，W向脫模膜的切入深度為10皿W下的方式調節而W與膠粘 劑層同屯、圓狀進行直徑290mm的圓形預切割加工，留下圓形標簽部和周邊部，除去了其他不 需要部分。接著，在脫模膜2A的與設置了膠粘劑層和粘合膜的第1面相反的第2面、且在脫模 膜2A的短邊方向兩端部貼合支承構件4A，制作了現有專利文獻1的具有圖1所示的結構的比 較例1的晶片加工用帶。
[0111] (比較例2)
[0112] 除了使用支承構件4B來代替支承構件4A、使用膠粘劑層3B來代替膠粘劑層3AW 夕h與比較例1同樣地，制作了比較例2的晶片加工用帶。
[0113] (比較例3)
[0114] 除了使用支承構件4D來代替支承構件4A、使用膠粘劑層3C來代替膠粘劑層3AW 夕h與比較例1同樣地，制作了比較例3的晶片加工用帶。
[0115] (比較例4)
[0116] 除了不設置支承構件W外，與比較例1同樣地，制作了比較例4的晶片加工用帶。
[0117] (比較例5)
[011引除了使用膠粘劑層3B來代替膠粘劑層3AW外，與比較例4同樣地，制作了比較例5 的晶片加工用帶。
[0119] (比較例6)
[0120] 除了使用膠粘劑層3C來代替膠粘劑層3AW外，與比較例4同樣地，制作了比較例6 的晶片加工用帶。
[0121] [標簽痕跡的抑制性的評價]
[0122] W圓形形狀的粘合膜的數目為300張的方式，將實施例和比較例的晶片加工用帶 卷繞為卷筒狀，制作了晶片加工用帶卷筒。在冰箱內（5°C)保管得到的晶片加工用帶卷筒1 個月。之后，使晶片加工用帶卷筒恢復至室溫后解開卷筒，目視觀察標簽痕跡的有無，基于 W下的評價基準，W徑)、0、A、X的4個等級評價了晶片加工用帶的轉印痕的抑制性。在表1 和表2中示出結果。
[0123] ◎(優良品）：從各種角度目視觀察也無法確認標簽痕跡
[0124] 〇(良品）：可W確認標簽痕跡但沒到對半導體裝置的加工工序造成影響的程度
[0125] A(不良品）：可W確認存在對半導體裝置的加工工序造成影響的可能性的標簽痕 跡
[0126] X (不良品）：產生較深的標簽痕跡并將半導體晶片貼合于膠粘劑層后，存在在半 導體晶片與膠粘劑層之間卷入空氣的可能性
[0127] [空氣的卷入的抑制性的評價]
[0128] W圓形形狀的粘合膜的數目為200張的方式，將實施例和比較例的晶片加工用帶 卷繞為卷筒狀，制作了晶片加工用帶卷筒。將得到的晶片加工用帶卷筒放入包裝袋，在冰箱 內巧°C)保管1個月后，在帶表面成為-50°C的干冰氣氛下保管3天。之后，使晶片加工用帶卷 筒恢復至常溫后將包裝袋開封，解開卷筒，目視觀察在膠粘劑層與粘合膜的圓形標簽部之 間是否有空氣的卷入，將沒有空氣的卷入的評價為0(良品），將有空氣的卷入的評價為X (不良品），進行了晶片加工用帶的空氣的卷入的抑制性的評價。在表1和表2中示出結果。
[0129] [表 1]
[0130]
[0131] [表 2]
[0132]
[0133] 如表1所示，實施例1~6所設及的晶片加工用帶中，在脫模膜的與第I面相反的第2 面上、且在脫模膜的短邊方向的任意一個端部設置了支承構件，因此標簽痕跡的抑制性、空 氣卷入的抑制性都成為優異的結果。
[0134] 與此相對，在脫模膜的兩端部設置了支承構件的比較例1~3所設及的晶片加工用 帶如表2所示，在空氣卷入的抑制性方面成為差的結果。沒有設置支承構件的比較例4~6所 設及的晶片加工用帶在空氣卷入的抑制性方面成為優異的結果，但標簽痕跡的抑制性中成 為差的結果。
[0135] [符號說明]
[0136] 10:晶片加工用帶
[0137] 11:脫模膜 [013引12:膠粘劑層
[0139] 13:粘合膜
[0140] 13a:圓形標簽部
[0141] 13b:周邊部
[0142] 14、14'、14":支承構件
【主權項】
1. 一種晶片加工用帶，其特征在于，具有： 長的脫模膜， 膠粘劑層，設置在所述脫模膜的第1面上、且具有規定的平面形狀， 粘合膜，具有標簽部和包圍所述標簽部的外側的周邊部，所述標簽部以覆蓋所述膠粘 劑層、且在所述膠粘劑層的周圍與所述脫模膜接觸的方式設置，并且具有規定的平面形狀， 以及 支承構件，設置在所述脫模膜的與設置有所述膠粘劑層和粘合膜的第1面相反的第2面 上、且設置于所述脫模膜的短邊方向的任意一個端部、并且設置在與所述第1面中的所述標 簽部的接觸于所述脫模膜的區域所達到的區域對應的區域。2. 根據權利要求1所述的晶片加工用帶，其特征在于， 所述支承構件的厚度T與所述膠粘劑層的厚度t之比T/t為1.2以上。3. 根據權利要求1或2所述的晶片加工用帶，其特征在于， 所述支承構件的寬度為20mm以上，并且不到達與所述膠粘劑層對應的區域。
【專利摘要】本發明的課題在于提供一種晶片加工用帶，其可以減少標簽痕跡的產生、且可以減少在膠粘劑層與粘合膜之間卷入空氣。其特征在于，具有：長的脫模膜(11)；膠粘劑層(12)，設置在脫模膜(11)的第1面上、且具有規定的平面形狀；粘合膜(13)，具有標簽部(13a)和包圍標簽部(13a)的外側的周邊部(13b)，標簽部(13a)以覆蓋膠粘劑層(12)、且在膠粘劑層(12)的周圍與脫模膜(11)接觸的方式設置，并且具有規定的平面形狀；以及支承構件(14)，設置在脫模膜(11)的與第1面相反的第2面上，且設置于脫模膜(12)的短邊方向的任意一個端部、并且設置在與第1面中的標簽部(13a)的接觸于脫模膜(12)的區域所達到的區域對應的區域。
【IPC分類】H01L21/78, H01L21/68, C09J7/02
【公開號】CN105694746
【申請號】CN201510870410
【發明人】杉山二朗, 青山真沙美, 佐久間登, 大田鄉史, 木村和寬
【申請人】古河電氣工業株式會社
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月2日