晶片加工用帶的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及晶片加工用帶，特別是設及具有忍片切割帶和忍片接合膜的2個功能 的晶片加工用帶。
【背景技術】
[0002] 最近，正在開發一種忍片切割-忍片接合帶，其兼具將半導體晶片切斷分離（忍片 切割）為各個忍片時用于固定半導體晶片的忍片切割帶、和用于將切斷后的半導體忍片粘 接于引線框或封裝基板等、或者在堆疊封裝中用于將半導體忍片彼此層疊、粘接的忍片接 合膜(也稱為忍片貼裝膜)的2個功能。
[0003] 作為運樣的忍片切割-忍片接合帶，考慮到向晶片的貼附、忍片切割時的向貼片環 框的安裝等的操作性，有時實施了預切割加工。
[0004] 在圖4和圖5中示出預切割加工后的忍片切害d-忍片接合帶的例子。圖4是表示將忍 片切割-忍片接合帶卷繞為卷筒狀的狀態的圖，圖5(a)是忍片切割-忍片接合帶的俯視圖， 圖5(b)是基于圖5(a)的線B-B的剖面圖。忍片切割-忍片接合帶50包含脫模膜51、膠粘劑層 52和粘合膜53。膠粘劑層52加工為與晶片的形狀對應的圓形，具有圓形標簽形狀。粘合膜53 中除去了與忍片切割用的貼片環框的形狀對應的圓形部分的周邊區域，如圖所示，具有圓 形標簽部53a和包圍其外側的周邊部53b。膠粘劑層52與粘合膜53的圓形標簽部53aW將其 中屯、對齊的方式層疊，另外，粘合膜53的圓形標簽部53a覆蓋膠粘劑層52且在其周圍與脫模 膜51接觸。
[0005] 將晶片忍片切割時，從層疊狀態的膠粘劑層52和粘合膜53剝離脫模膜51，如圖6所 示，在膠粘劑層52上貼附半導體晶片W的背面，在粘合膜53的圓形標簽部53a的外周部粘合 固定忍片切割用貼片環框R。在該狀態下將半導體晶片W忍片切割，之后，對粘合膜53實施紫 外線照射等固化處理后拾取半導體忍片。此時，粘合膜53由于固化處理而粘合力降低，因此 容易從膠粘劑層52剝離，在背面附著了膠粘劑層52的狀態下拾取半導體忍片。附著于半導 體忍片的背面的膠粘劑層52在之后將半導體忍片粘接于引線框、封裝基板、或其他半導體 忍片時，作為忍片接合膜起作用。
[0006] 另外，就像上述那樣的忍片切割-忍片接合帶50而言，膠粘劑層52與粘合膜53的圓 形標簽部53a層疊的部分比粘合膜53的周邊部53b厚。因此，作為制品卷繞成卷筒狀時，膠粘 劑層52與粘合膜53的圓形標簽部53a的層疊部分、與粘合膜53的周邊部53a的高度差相互重 疊，發生在柔軟的膠粘劑層52表面轉印高度差的現象，即圖7所示的那樣的轉印痕(也稱為 標簽痕跡、皺紋、或卷繞痕跡）。運樣的轉印痕的產生特別是在膠粘劑層52由柔軟的樹脂形 成的情況、存在厚度的情況和忍片切割-忍片接合帶50的卷繞數多的情況等顯著。然后，若 產生轉印痕，則存在由膠粘劑層與半導體晶片的粘接不良導致在晶片的加工時產生不良情 況的可能性。
[0007] 為了解決運樣的問題，正在開發一種晶片加工用帶，其為脫模膜的與設置了膠粘 劑層和粘合膜的第1面相反的第2面上、且在脫模膜的短邊方向的兩端部設置了支承構件 (例如，參照專利文獻I)。運樣的晶片加工用帶設置了支承構件，因此在將晶片加工用帶卷 繞為卷筒狀時，可W將對帶施加的卷繞壓力分散、或集中于支承構件，因此，可W抑制向膠 粘劑層的轉印跡的形成。
[000引現有技術文獻 [0009]專利文獻
[0010] 專利文獻1:日本專利第4360653號公報
【發明內容】
[0011] 發明要解決的課題
[0012] 粘合膜覆蓋膠粘劑層、且在其周圍與脫模膜接觸，但根據膠粘劑層的厚度，有時在 脫模膜與粘合膜之間產生極小的空隙、殘留空氣(air)。上述專利文獻1中記載的晶片加工 用帶在脫模膜的短邊方向兩端部設置了支承構件，因此在將晶片加工用帶卷繞成卷筒狀的 狀態下，標簽部與在其上卷繞的脫模膜之間成為中空結構，因此出現了存在上述空氣(air) 移動而侵入膠粘劑層與粘合膜之間的可能性的問題。在膠粘劑層與粘合膜之間侵入的空氣 (air)也稱為孔隙（void),其存在使對于半導體晶片W的貼合不良發生、造成之后的半導體 晶片W的忍片切割工序或忍片的拾取工序、接合工序的成品率的降低的可能性。
[0013] 因此，本發明的課題在于提供一種晶片加工用帶，其可W減少標簽痕跡的產生，且 可W不論膠粘劑層的厚度如何地選擇支承構件，同時可W減少在膠粘劑層與粘合膜之間卷 入空氣(air)。
[0014] 解決課題的方法
[0015] 為了解決W上的課題，本發明所設及的晶片加工用帶的特征在于具有:長的脫模 膜;膠粘劑層，設置在所述脫模膜的第1面上、且具有規定的平面形狀;粘合膜，具有標簽部 和包圍所述標簽部的外側的周邊部，所述標簽部W覆蓋所述膠粘劑層、且在所述膠粘劑層 的周圍與所述脫模膜接觸的方式設置，并且具有規定的平面形狀；W及支承構件，設置在所 述脫模膜的與設置有所述膠粘劑層和粘合膜的第1面相反的第2面上、且設置于所述脫模膜 的短邊方向的任意一個端部、并且設置在與所述第1面中的所述標簽部的接觸于所述脫模 膜的區域所達到的區域對應的區域。
[0016] 另外，上述半導體加工用帶的上述支承構件的厚度T與上述膠粘劑層的厚度t之比 T/t優選為1.2 W上。
[0017] 另外，優選上述半導體加工用帶的上述支承構件的寬度為20mmW上，并且上述支 承構件不到達與所述膠粘劑層對應的區域。
[0018] 發明效果
[0019] 根據本發明，可W減少標簽痕跡的產生且可W減少在膠粘劑層與粘合膜之間卷入 空氣。
【附圖說明】
[0020] 圖1的(a)是本發明的實施方式所設及的晶片加工用帶的俯視圖，（b)是(a)的基于 線A-A的剖面圖。
[0021] 圖2是本發明的另一實施方式所設及的晶片加工用帶的剖面圖。
[0022] 圖3是本發明的進一步另一實施方式所設及的晶片加工用帶的剖面圖。
[0023] 圖4是W往的晶片加工用帶的立體圖。
[0024] 圖5的(a)為W往的晶片加工用帶的俯視圖，（b)為(a)的基于線B-B的剖面圖。
[0025] 圖6為顯示晶片加工用帶與忍片切割用貼片環框貼合的狀態的剖面圖。
[0026] 圖7為用于說明W往的晶片加工用帶的不良情況的示意圖。
【具體實施方式】
[0027] W下基于附圖對本發明的實施方式詳細地說明。圖1(a)是本發明的實施方式所設 及的晶片加工用帶(忍片切割-忍片接合帶）的俯視圖，圖1(b)是圖1(a)的基于線A-A的剖面 圖。
[0028] 如圖1(a)和圖1(b)所示，晶片加工用帶10具有長的脫模膜11、膠粘劑層12、粘合膜 13和支承構件14。
[0029] 膠粘劑層12設置于脫模膜的第1面上，具有與晶片的形狀對應的圓形標簽形狀。粘 合膜13具有圓形標簽部13a和包圍該圓形標簽部13a的外側的周邊部13b，所述圓形標簽部 13aW覆蓋膠粘劑層12、且在膠粘劑層12的周圍與脫模膜接觸的方式設置。周邊部13b包括 將圓形標簽部13a的外側完全包圍的形態、和如圖所示的不完全包圍的形態。圓形標簽部 13a具有與切割用的貼片環框對應的形狀。而且，支承構件14設置在脫模膜11的與設置有膠 粘劑12和粘合膜13的第1面Ila相反的第2面Ub上、且設置在脫模膜11的短邊方向的任意一 個端部。
[0030] W下，對本實施方式的晶片加工用帶10的各構成要素詳細地說明。
[00川（脫模膜）
[0032] 作為本發明的晶片加工用帶10中使用的脫模膜11，可W使用聚醋(PET