胺的胺值：136. 2 (理論值136. 0)
[0097] [化學式7]
[0098]
[0099] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：77. 5 (理論值77. 4)
[0100] .叔胺的胺值：130. 8 (理論值130. 9) 陽1〇1][化學式引陽102]
陽103] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：77. 5 (理論值77. 4)
[0104] .叔胺的胺值：145. 3 (理論值145. 1)
[0105] [化學式9] 陽106] 3) 陽107] ?半極性有機棚化合物的橫造變位酸值：122. 2 (理論值122. 3) 陽10引?叔胺的胺值：152. 2 (理論值152. 2) 陽1〇9][化學式10] 陽110]
陽111 ] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：77. 5 (理論值77. 4)
[0112] .叔胺的胺值：126. 7 (理論值126. 8)
[0113] 除了W使相當于通式（1)的供體成分或受體成分的部分成為下述式（11)~式 (18)所示的結構的方式改變半極性有機棚化合物和/或叔胺的合成原料W外，與實施例1 同樣地操作，得到比較例1~8的防靜電劑。
[0114] 予W說明，將與實施例1同樣地測定的、構成各防靜電劑的半極性有機棚化合物 的結構位移酸值及叔胺的胺值示于各式的后面。 陽11引< 比較例1>
[0116] 為與實施例的半極性有機棚化合物相比，RUR2的直鏈型飽和控基的碳鏈短的例 子。
[0117] [化學式 11] 陽11引
[0119] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：91. 7 (理論值91. 6)
[0120] ?叔胺的胺值：152. 2 (理論值152. 2)
[0121] <比較例2> 陽122] 為與實施例的半極性有機棚化合物相比，Rl、R2的直鏈型飽和控基的碳鏈長的例 子。 陽123][化學式12] 陽124]
陽1巧]?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：67. 1 (理論值67. 0) 陽126]?叔胺的胺值：145. 3(理論值145. 1) 陽127] <比較例3>
[012引為半極性有機棚化合物的多元醇殘基與甘油相比大，分子占有面積大的例子。 陽129][化學式13] 陽130]
陽131] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：62. 2 (理論值62. 3) 陽132].叔胺的胺值：152. 2 (理論值152. 2) 陽13引< 比較例4>
[0134]為叔胺不具有酷胺鍵的例子。 陽135][化學式14] 陽136]
陽137] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：77. 5 (理論值77. 4)
[0138] ?叔胺的胺值：172. 2 (理論值172. 3) 陽139] <比較例5>
[0140] 為與酷胺鍵連結的末端的直鏈型飽和控基的碳鏈短的例子。 陽141][化學式1引 陽 142]
陽143] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：122. 2 (理論值122. 3)
[0144] .叔胺的胺值：135. 5 (理論值135. 3)
[0145] <比較例6> 陽146] 為與酷胺鍵連結的末端的直鏈型飽和控基的碳鏈長的例子。 陽147][化學式16]
[0148]
陽155] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：122. 2 (理論值122. 3)
[0156]?叔胺的胺值：82. 8(理論值82. 7) 陽157] <比較例8>
[0158] 受體成分為仲胺的例子。 陽159][化學式1引 [0160]
陽161 ] ?半極性有機棚化合物的結構位移酸值：77. 5 (理論值77. 4) 陽162] ?叔胺的胺值：151. 5 (理論值151. 4) 陽163] <實施例11~18、比較例11~19 > 陽164] 使用上述實施例1~8及比較例1~8的各防靜電劑，如下地制造實施例11~18 及比較例11~18的各透明聚乙締膜。 陽1化]目P，制作在低密度聚乙締（旭化成化學社制：SuntecLD-F22254)中含有10%各防 靜電劑的母料，將各母料2份和所述低密度聚乙締98份均勻地混合之后，在165 °C下進行吹 脹成形，制造含有0. 2%各防靜電劑的厚度20ym的透明聚乙締膜。
[0166] 該0.2%的含量為低于聚乙締用的內部煉入型防靜電劑的一般的添加量的量。 陽167] 予W說明，比較例19為在與實施例1相同的低密度聚乙締中烙融混合專利文獻1 的實施例17中使用的、供體?受體混合系內部煉入型防靜電劑（為與本發明相同的供體成 分和受體成分分別W游離的狀態含有的組合物）的例子。 陽16引將實施例11~18及比較例11~19的各透明聚乙締膜在15 °C、40 %RH的條 件保管6個月后，在相同的溫度濕度條件下測定了各透明聚乙締膜的表面電阻率值。另 夕F，施加5000V的電壓使其強制帶電，測定解除施加后2秒后的帶電衰減率。使用=菱化 學Anal^ech社制的化restaUP-MCP-HT450型表面電阻測定器和シシK靜電氣社制的 StaticHonestMeter進行測定。
[0169] 將結果示于表1，在實施例中，判明：與比較例相比，表面電阻率值顯著地低，且完 全不帶電。予W說明，不含有防靜電劑的低密度聚乙締膜的表面電阻率值為1〇i5q/QW上。 陽170][表U陽 171]
陽172] <實施例21~28、比較例21~28 > 陽173] 使用上述實施例1~8及比較例1~8的各防靜電劑，如下地制造實施例21~28 及比較例21~28的各透明聚乙締瓶。 陽174]旨P，制作在直鏈狀低密度聚乙締（日本聚乙締社制：NOVATEC化-UE320)中含有 10%各防靜電劑的母料，將各母料10份和所述直鏈狀低密度聚乙締90份均勻地混合。接 著，在165°C下進行吹塑成形，制造含有1.0%各防靜電劑的、厚度500ym、高度18cm、底部 直徑7cm、前端部直徑2cm的不透明聚乙締瓶。 陽175] <比較例29> 陽176] 除將防靜電劑變更為下述式（19)表示的表面活性劑系防靜電劑的甘油基單硬脂 酸醋W外，與實施例21同樣地操作，制造不透明聚乙締瓶。 陽177][化學式19] 陽17引
圓筒。
[0186] < 比較例 39>
[0187] 除將防靜電劑變更為比較例29中使用的式（19)表示的表面活性劑系防靜電劑W 夕F，與實施例31同樣地操作，制造比較例39的圓筒。 陽18引 < 比較例40>
[0189] 除將防靜電劑變更為下述式（20)表示的表面活性劑系防靜電劑的N，N-二（2-徑 基乙基）十八烷基胺W外，與實施例31同樣地操作，制造比較例40的圓筒。 陽190][化學式20]
[0191] /Cs戰OH 傷雄[8廣N "--(2 0) 成畑' 陽192] 將實施例31~38及比較例31~40的各圓筒在氣溫為0~35°C之間變化、在晴 天、陰天、雨天混入的自然環境下橫倒并放置6個月。接著，在23°C、50%RH的條件下靜置 48小時，在相同的溫度濕度條件下使用與實施例1相同的裝置測定各圓筒的側面部和底部 的表面電阻率值。
[0193] 將結果示于表3,判明：實施例與比較例相比，側面部和底部的表面電阻率值均顯 著地低，即使長期間置于自然環境下，其特性也不變化。另外，如由比較例39、40所判明地， 在真空成形法中，表面活性劑系的內部煉入型防靜電劑完全不能發揮防靜電性能，但本發 明的供體?受體系分子化合物產生優異的效果。予W說明，不含有防靜電劑的高密度聚乙 締圓筒的表面電阻率值為1〇isQ/QW上。
[0194] [表引 陽1巧] L/IN丄WUiUi乙乙4 A <" ? *丄U/乙O夕>；
陽196] <實施例41~48、比較例41~48 >
[0197] 使用上述實施例1~8及比較例1~8的各防靜電劑，如下地制造實施例41~48 及比較例41~48的各聚丙締片。 陽198]旨P，制作在聚丙締（無規共聚物、Sunallomer社制：SunallomerPM731H)中含有 10%各防靜電劑的母料，將各母料10份和所述聚丙締90份均勻地混合之后，在225°C下進 行擠出成形，制造含有1. 0%各防靜電劑的厚度200ym的聚丙締片。 陽199] <比較例49~50 >
[0200] 除將防靜電劑變更為所述式（19)或式（20)表示的表面活性劑系防靜電劑W外， 與實施例41同樣地操作，制造比較例49~50的聚丙締片。 陽201] 將實施例41~48及比較例41~50的各聚丙締片在10°C、35%RH的條件下放置 1年后，在相同的溫度濕度條件下測定表面電阻率值。另外，施加5000V的電壓而使其強制 帶電，研究解除施加后2秒后的帶電衰減率。使用與實施例I相同的裝置進行測定。 陽202] 將結果示于表4,判明：實施例與比較例相比，表面電阻率值顯著地低，且帶電衰 減也良好。另外判明：本發明的防靜電劑即使長期間放置，也可靠地保持防靜電性能。予W說明，不含有防靜電劑的聚丙締片的表面電阻率值為1〇i5Q/QW上。 陽20；3][表" 陽204]
陽205] <實施例51~58、比較例51~58 >
[0206] 使用上述實施例1~8及比較例1~8的各防靜電劑，如下地制造實施例51~58 及比較例51~58的各聚丙締平板。 陽207]目P，使用將聚丙締（均聚物、住友化學工業社制：住友y-シAW564)的原料顆 粒98份和各防靜電劑2份均勻地混合并成形的復合顆粒，在230°C下進行注射成形，制造大 小為 35cmX40cmXO. 8cm的