技術特征：
技術總結
本發明屬于石墨烯制備領域，具體地，涉及一種在PECVD中實現縱向及橫向石墨烯可控制備的方法。本發明包括以下步驟：1)依次用乙醇、丙酮、異丙醇對玻璃基底進行清洗；然后用氬氣吹干玻璃基底；2)將被法拉第籠包裹的玻璃基底置于PECVD腔內，將基底加熱到540～580℃；3)加入氬氣、甲烷與氫氣，產生等離子體，生長60～120分鐘；4)關閉等離子體發生源，在氬氣氛圍下自然降溫至50℃以下，開腔得到的石墨烯玻璃樣品。本發明在PECVD中通過法拉第籠效應在透明、絕緣基底上低溫制備的二維橫向石墨烯技術可以實現比同等基底、同等溫度下，沒有法拉第籠作用下得到的縱向石墨烯納米墻更優的導電性、更高的透光率以及更好的均勻性。
技術研發人員：劉忠范;亓月;張艷鋒
受保護的技術使用者：北京大學
技術研發日：2017.02.16
技術公布日：2017.07.07