技術總結
本發明提供一種超薄黑硅硅片的制作設備及方法，把硅顆粒放入石墨坩堝中，使用電加熱使得硅顆粒熔融，一個石英生長平臺水臺略低于石墨坩堝，兩根碳化硅絲線（間距156mm）由伺服電機水平拉動，在石英平臺上方有一個降溫罩，降溫罩通過高速冷空氣給硅液降溫，在熱毛細作用下，硅片將持續的生長，形成超薄的多晶硅片，生長至所需長度之后激光切割硅片，切割下的硅片進入空間堆式的PECVD設備進行RIE制絨，形成超薄的多晶黑硅硅片。
技術研發人員：丁建寧;袁寧一;王書博
受保護的技術使用者：常州大學
文檔號碼：201610721051
技術研發日：2016.08.25
技術公布日：2017.01.25