1.一種超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，包括：超薄硅片制備模塊和黑硅制備模塊，
所述超薄硅片制備模塊包括自動加料臺、石墨坩堝、石英生長平臺、降溫罩、伺服電機、提拉絲和激光器，所述自動加料臺設置于所述石墨坩堝的前上方，所述石墨坩堝的底部裝有石墨加熱器，所述石英生長平臺設置在所述石墨坩堝的后方，并與所述石墨坩堝連接，所述石英生長平臺的底部裝有電阻絲加熱器，所述降溫罩設置在所述石英生長平臺的正上方，所述激光器設置在所述降溫罩的后上方，所述兩根或多根提拉絲在所述伺服電機的帶動下依次經過所述石墨坩堝的上方、所述石英生長平臺和所述降溫罩之間的空間以及激光器的下方，
所述黑硅制備模塊包括真空腔、真空泵組、陽極板、陰極板、不銹鋼管和進氣管，所述真空腔的一側連接所述真空泵組、另一側連接進氣管，所述進氣管與所述真空腔的連接處罩設有不銹鋼管，所述不銹鋼管一部分在所述真空腔內，另一部分在真空腔外，所述不銹鋼管在所述真空腔內的部分上設有多個進氣孔，所述真空腔內設有多個所述陽極板和陰極板，所述陽極板和陰極板呈上下間隔設置，所述陰極板上設有多個用于放置硅片的槽。
2.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，所述石墨坩堝的靠近所述自動加料臺的內壁比所述石墨坩堝的靠近所述石英生長平臺的內壁高0.5cm。
3.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，所述兩根提拉絲與所述石英生長平臺的間距為10-20um。
4.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，所述兩根提拉絲的間距為156mm。
5.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，所述降溫罩與所述石英生長平臺的間距1-5mm。
6.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，所述降溫罩內布置有多根銅管，所述銅管內通入高速空氣。
7.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，多個進氣孔的直徑為100um，相鄰的進氣孔之間的間距為0.5cm。
8.根據權利要求1所述的超薄黑硅硅片的制作設備，其特征在于，所述進氣管上設有質量流量計。
9.一種超薄黑硅硅片的制作方法，其特征在于，包括：
（1）由自動加料臺提供硅顆粒，再由石墨坩堝加熱至1420℃，使硅顆粒熔融，形成硅液；
（2）所述硅液流向石英生長平臺，并在所述石英生長平臺上由表面張力形成一個彎液面，所述石英生長平臺上方的降溫罩通入高速氣體給硅液表面降溫，同時伺服電機控制提絲線拉動，控制拉動速度使得拉伸速度與熱毛細驅動作用下硅液的移動保持一致，拉出所述石英生長平臺進而形成超薄硅片；
（3）當所述超薄硅片生長到156mm之后，激光器將超薄硅片切割下來；
（4）所述超薄硅片進入空間堆疊式的PECVD進行RIE制絨，形成超薄黑硅硅片。
10.根據權利要求9所述的超薄黑硅硅片的制作方法，其特征在于，步驟（2）中所述超薄硅片的厚度為50-100um。