一種新的合成晶體材料EMM?26、其制備及其用途的制作方法

技術特征：

1.一種合成的晶體材料，其具有通過橋接原子相連的四面體原子(T)的構架，所述四面體原子構架由以表1中示出的方式連接最近的四面體(T)原子來限定。

2.一種合成的晶體材料，其具有通過橋接原子相連的四面體原子(T)的構架，所述四面體原子構架由具有表2中列出的以埃為單位的原子坐標的晶胞所限定，其中每個坐標位置可以在±1埃內變化。

3.一種合成的多孔晶體材料，所述晶體材料在其煅燒后原樣的形式下包含包括表4中列出的d-間距和相對強度的X-射線衍射圖案。

4.一種合成的多孔晶體材料，所述晶體材料在其合成后原樣的形式下包含包括表3中列出的d-間距和相對強度的X-射線衍射圖案。

5.根據前述權利要求中任一項所述的晶體材料，其中所述四面體原子包含選自Li、Be、B、Al、P、Si、Ga、Ge、Zn、Cr、Mg、Fe、Co、Ni、Cu、Mn、As、In、Sn、Sb、Ti和Zr中的一種或多種元素，例如選自B、Al和Si中的一種或多種元素。

6.根據前述權利要求中任一項所述的晶體材料，其中所述橋接原子包含選自O、N、F、S、Se和C中的一種或多種元素，例如包含氧。

7.根據權利要求1-2和4-6中任一項所述的晶體材料，其具有下述組成：aHal:bQ:cX₂O₃:YO₂:zH₂O，其中Hal是鹵素離子；Q是選自1,6-雙(N-甲基-吡咯烷)己烷雙陽離子和1,6-雙(N-甲基哌啶)己烷雙陽離子中的一者或多者的有機結構導向劑，X是三價元素，Y是四價元素，a是具有等于或大于0至小于或等于0.2的值的數，b是具有大于0至小于或等于0.10的值的數，0.015<c<0.125，并且z是具有大于或等于0至小于或等于0.15的值的數。

8.根據權利要求1-2和4-6中任一項所述的晶體材料，其具有下述組成：

mM:bQ:cX₂O₃:YO₂:zH₂O，

其中M是堿金屬或堿土金屬；Q是選自1,6-雙(N-甲基吡咯烷)己烷雙陽離子和1,6-雙(N-甲基哌啶)己烷雙陽離子中的一者或多者的有機結構導向劑，X是三價元素，Y是四價元素，m是具有等于或大于0至小于或等于0.1的值的數，b是具有大于0至小于或等于0.10的值的數，0.015<c<0.125，并且z是具有大于或等于0至小于或等于0.15的值的數。

9.根據權利要求7或8所述的晶體材料，其中X包含硼并且Y包含硅，任選地具有約0.125至約0.033的B₂O₃對SiO₂的摩爾比，并任選地在約1atm(約100kPa)下對CO₂具有約0.8mmol/g至約2.0mmol/g的吸附容量。

10.一種用于獨立地制備晶體材料或制備根據前述權利要求中任一項所述的晶體材料的方法，所述方法包括下列步驟：(a)提供反應混合物，其包含：水、四價元素Y的氧化物、三價元素X的氧化物的源，任選的鹵素離子源，任選的氫氧根離子源和選自1,6-雙(N-甲基吡咯烷)己烷雙陽離子和1,6-雙(N-甲基哌啶)己烷雙陽離子中的一者或多者的結構導向劑(Q)；(b)將所述反應混合物在包括100℃至200℃的溫度的結晶條件下加熱，直至形成所述晶體材料的晶體；(c)回收在(b)中產生的晶體；以及任選地(d)處理在(c)中回收的晶體以除去至少一部分所述結構導向劑(Q)。

11.一種合成的多孔晶體材料，其通過權利要求10所述的方法生產。

12.一種用于從包含二氧化碳與烷烴、氧、氮、H₂S、SO_x和NO_x中的一者或多者的混合物中分離二氧化碳的方法，所述方法包括使所述混合物與權利要求1-9和11中任一項或多項所述的多孔晶體材料接觸。

13.一種用于從包含二氧化碳和甲烷的混合物中分離二氧化碳的方法，所述方法包括使所述混合物與權利要求1-9和11中任一項或多項所述的多孔晶體材料接觸。