1.一種低反射涂層，其是能夠被實施在基板的主表面的至少一方的低反射涂層，
所述低反射涂層是實心的球狀且平均粒徑為80～150nm的二氧化硅微粒被以二氧化硅為主成分的粘合劑固定而成的多孔膜，
所述粘合劑還包含鋁化合物，
所述低反射涂層中的成分的含有率以質量％表示為：
所述二氧化硅微粒 55～70％、
所述粘合劑中的二氧化硅 25～40％、
將所述鋁化合物換算成Al2O3 2～7％，
所述低反射涂層的膜厚為80～800nm，
通過在基板上實施所述低反射涂層而得的透射率增量為2.5％以上，
其中，透射率增量與在波長區域380～850nm下的平均透射率有關，且為實施所述低反射涂層后的所述基板的平均透射率相對于實施所述低反射涂層前的所述基板的平均透射率的增量。
2.根據權利要求1所述的低反射涂層，其中，所述二氧化硅微粒的平均粒徑超過100nm且為150nm以下。
3.根據權利要求1所述的低反射涂層，其中，所述粘合劑中的二氧化硅來自在用于形成所述低反射涂層的涂布液中所添加的水解性硅化合物或水解性硅化合物的水解物，
該水解性硅化合物包含下述式(I)所示的化合物，
SiX4 (I)
其中，X為選自烷氧基、乙酰氧基、烯基氧基、氨基及鹵素原子中的至少1種。
4.根據權利要求3所述的低反射涂層，其中，所述水解性硅化合物為四烷氧基硅烷。
5.根據權利要求1所述的低反射涂層，其中，所述鋁化合物來自在用于形成所述低反射涂層的涂布液中所添加的鹵化鋁。
6.根據權利要求5所述的低反射涂層，其中，所述鹵化鋁為氯化鋁。
7.根據權利要求1所述的低反射涂層，其中，在實施所述低反射涂層后的基板中，關于在波長區域380～850nm下的平均透射率，
實施JIS C8917：2005附錄4中規定的鹽水噴霧試驗之前的平均透射率相對于實施該鹽水噴霧試驗之后的平均透射率之差的絕對值為0.15％以下。
8.根據權利要求1所述的低反射涂層，其中，在將用于形成所述低反射涂層的涂布液涂布于所述基板后的加熱工序中，
所述基板的表面所經歷的最高溫度為350℃以下，
所述基板的表面處于200℃以上的溫度的時間為5分鐘以下。
9.根據權利要求1所述的低反射涂層，其中，在將用于形成所述低反射涂層的涂布液涂布于所述基板后的加熱工序中，
所述基板的表面所經歷的最高溫度為250℃以下，
所述基板的表面處于100℃以上的溫度的時間為2分鐘以下。
10.一種帶低反射涂層的基板，其具有玻璃板和形成在所述玻璃板的主表面的至少一方的權利要求1所述的低反射涂層。
11.根據權利要求10所述的帶低反射涂層的基板，其中，在所述玻璃板中，形成有所述低反射涂層的所述主表面在未形成該低反射涂層的狀態下具有5.1％以上的平均反射率、即、在波長區域380～850nm下的平均反射率。
12.根據權利要求11所述的帶低反射涂層的基板，其中，在所述玻璃板中，在形成有所述低反射涂層的所述主表面的最外表面的氧化錫的濃度為3.5～24質量％。
13.根據權利要求11所述的帶低反射涂層的基板，其中，所述玻璃板為利用浮法制造的浮法玻璃板，
所述低反射涂層形成在所述玻璃板的主表面中利用浮法制造時與浮拋窖接觸的主表面上。
14.根據權利要求10所述的帶低反射涂層的基板，其中，在所述玻璃板的一個主表面形成有所述低反射涂層，
在所述玻璃板的與形成所述低反射涂層的所述主表面相反一側的主表面形成有透明導電膜。
15.一種光電轉換裝置，其是具備玻璃板的光電轉換裝置，其中，
在所述玻璃板的光所入射的主表面形成有權利要求1所述的低反射涂層。