，用于膜預處理的機構設置在涂布室中。
[0060] 此外，可想到的是根據本發明的方法，在涂布室中提供至少一種沉積材料，用于 沉積陶瓷阻隔層，例如氧化鋁層或氧化硅層。優選地，選擇其中硅（Si)、氧化硅（SiOx)或 二氧化硅（Si0 2)的混合物被蒸發并且沉積到膜幅面上的蒸發方法。硅/氧化硅混合物 的蒸發優選地在下述溫度下進行：1000°c至1500°C，1250°C至1500°C，1200°C ±100°C， 1300°C ±100°C，尤其是1250°C。尤其可想到的是，以例如50:50混合比使用Si和5102的 混合物作為涂布的起始材料。然而，該混合比一般可以是可變的并且可按需選擇。同樣地， 供選擇的方法可用于將陶瓷阻隔材料沉積到塑料承載膜上。可以例如將濺射、等離子體強 化的化學氣相沉積（PECVD)或物理氣相沉積（PVD)定義為供選擇的方法。
[0061] 可設定在涂布室中形成的涂布厚度的測量值。優選地，通過冷卻輥進行膜幅面的 冷卻，尤其是將涂布輥設定在-70°c至+70°C的溫度范圍內的溫度。
[0062] 此外，本發明涉及具有權利要求18的特征的膜。相應地，設定多層氣體阻隔膜包 括單層或多層設計的承載層，優選的是包括一種或多種熱塑性材料的承載膜，所述熱塑性 材料選自聚烯烴、聚酯、聚酰胺或熱塑性彈性體（TPE)、熱塑性彈性體聚氨酯（TPU)和熱塑 性聚烯烴（TP0)。將陶瓷阻隔層設置在其上，與另外的選自聚烯烴、聚酯、聚酰胺或熱塑性彈 性體（TPE)的塑料材料的未拉伸、單層或多層的頂層接觸，而在頂層和阻隔層之間未設置 粘合劑層。
[0063] 在這方面，熱塑性彈性體組包括苯乙烯嵌段共聚物或熱塑性聚烯烴（TP0)，或聚丙 烯（PP)、聚乙烯（PE)、聚丁烯（PBU)和聚a-烯烴的彈性體聚合物。聚a-烯烴包括例如 由丁烯、戊烯、己烯、庚烯、辛烯或十二烷的單體制成的聚合物。
[0064] 在這方面，向其上進行陶瓷阻隔材料沉積的起始膜被理解為承載層或承載膜。在 這方面，覆蓋產生的陶瓷阻隔材料層的膜層被理解為頂層或頂膜。可以設計相同或不同的 承載層和頂層，從本發明的角度，對承載層或頂層功能排布（Ausrichtung)沒有限制。對承 載層和頂層進行指定，使得成品復合膜中單個層的次序可以根據制造中的步驟來區分。 [0065] 還有源自膜的本發明的共同的和主要的益處和技術效果，即可提供無粘合劑的陶 瓷氣體阻隔膜本身，其中根據本發明的膜是在使用擠出涂布的工藝步驟的情況下提供的。
[0066] 有利地，可想到的是承載層為10至300 iim，尤其是20至250 iim，10至100 iim，優 選30-100 y m或30-80 y m和/或氣體阻隔層是陶瓷層，所述陶瓷層包含低氧化硅（SiOx)， 尤其是其中x = 1. 2至1. 9或1. 3至1. 8或1. 4至1. 7,尤其是1. 7的低氧化娃SiOx,或氧 化鋁（A10x)，并且所述陶瓷層的厚度為10至500nm，30至300nm，15至150nm，尤其是30至 100nm，優選 50nm。
[0067] 尤其有利的是通過根據權利要求1至10之一的裝置和/或通過根據權利要求11 至17之一的方法制造的多層氣體阻隔膜。
[0068] 尤其是所述膜包括基于聚烯烴材料和熱塑性彈性體的承載層和頂層。聚烯烴材料 要理解為由包括烯烴單體的聚合物制成的塑料。由a-烯烴，如丙烯、乙烯、丁烯、己烯、辛 烯和另外的末端不飽和烯烴制成的聚合物稱為聚a-烯烴。尤其要理解的是，該術語涵蓋 所述單體的共聚物，源自其的聚合物的共混物，所述單體的嵌段共聚物和所述嵌段共聚物 與源自其的聚合物的共混物，所述聚合物的支鏈聚合物和包括由所述單體制造的聚合物、 共聚物、嵌段共聚物和支鏈聚合物的共混物。
[0069] 單個層可同樣由其他熱塑性材料，如聚酯或聚酰胺制成。
[0070] 承載膜或頂膜或這些膜的層可另外包括丙烯酸嵌段共聚物的熱塑性彈性體。這 種聚合物是以嵌段方式通過苯乙烯、丙烯、丁烯、乙烯、異戊二烯、丁二烯的聚合物-化學重 復單元制成的，并且包括例如苯乙烯乙烯丁烯嵌段共聚物（SEBS、SEB)、苯乙烯異戊二烯嵌 段共聚物（SIS)、苯乙烯乙烯丙烯嵌段共聚物（SEPS、SEEPS)。示例性的層設計例如描述于 EP0739713。
[0071] 本發明另外涉及具有權利要求21的特征、用于制造無粘合劑的氣體阻隔膜的裝 置的用途。相應地，設定根據權利要求1至10之一的裝置用于進行根據權利要求11至17 之一的方法，尤其用于制造根據權利要求18至20之一的多層的氣體阻隔膜。
[0072] 本發明另外涉及具有權利要求22的特征的一次性物品。相應地，設定根據權利要 求1至10之一的裝置用于進行根據權利要求11至17之一的方法，尤其用于制造根據權利 要求18至20之一的多層氣體阻隔膜。
[0073] -次性物品尤其可以是一次性使用的膜袋，其優選為用于接收藥液而提供的。
[0074] 現將參考附圖中顯示的實施方案更詳細地闡釋本發明的進一步的細節和益處。
[0075] 所顯示的是：
[0076] 圖1:用SiOx阻隔物涂布承載膜的組合方法的示意圖；和
[0077] 圖2:根據本發明的裝置的示意圖，其用于制造具有陶瓷阻隔層、無粘合劑的氣體 阻隔膜；和
[0078] 圖3:根據本發明的無粘合劑的復合膜的設計的示意圖。
[0079] 圖1以示意圖顯示了用SiOx阻隔物涂布膜幅面的組合方法，所述膜幅面下文中稱 為承載膜。
[0080] 起始材料一氧化硅（SiO)作為SiO顆粒10存在于與另外的氧化硅化合物的 混合物中，將其在被輻射保護器24圍繞的坩堝22中通過加熱絲26在高真空下加熱至 1300-1500°C的溫度，在該溫度下其以足夠的量轉變成氣相。蒸氣被引導通過蒸發熔爐20 上方，沉積在承載膜30上。然而，如此產生的SiOx層的阻隔仍是不足的。
[0081] 足夠低的氣體滲透性是結合離子源40 (IBAD :離子束輔助的沉積）實現的。出于 該目的，將在承載膜上冷凝的低氧化硅，如SiO,4用電離的顆粒轟擊。這產生具有較少缺陷 點的更致密的SiOx層。
[0082] 離子源40如氬-氧離子源40具有高壓電源HV和未詳細描述的加熱器。此外，離 子源40具有陽極44。在這方面，Ar+和0 2+是可由反應性氣體形成的任何電離的物質的代 表。整個過程在P = 1*1(T4至l*l〇imbar的壓力下的真空室50中進行。通過真空泵52施 加真空。
[0083] 圖2以示意圖顯示了根據本發明的裝置100,其用于制造具有陶瓷阻隔層、無粘合 劑的氣體阻隔膜。
[0084] 在這方面，承載膜30通過鎖定單元135和脫氣室120引入涂布室130中。抽吸模 塊150設置在鎖定模塊140的下游并且之后是另外的狹縫鎖定模塊60,以達到要求的工藝 壓力。在運行穿過脫氣室120之后，所述膜移動進入涂布室130中，在此氣相沉積SiOx阻 隔層。通過涂布室130中的蒸發爐170產生SiOx蒸氣。
[0085] 施加SiOx層與IBAD離子源180相關。另外，經離子源190進行膜的預處理，其中 表面被活化用于隨后的工藝步驟。通過膜張力測量裝置進行膜張力的測量并且通過層厚度 測量裝置進行層厚度的測量。
[0086] 與冷卻輥的良好接觸是必不可少的，以避免承載膜的過度熱張力，這是因為涂布 室中的工藝步驟與高熱伸展（Waermeaufko_en)相關聯，使得承載膜可能被破壞。根據膜 30的厚度，冷卻輥溫度設成_50°C至+50°C。最后，經涂布的膜30'再次通過鎖定模塊220、 210和鎖定單元200的抽吸室230從涂布設備100送出。
[0087] 借助第二涂布機構，膜幅面可通過熔體擠出來至少部分涂布，第二涂布機構設置 在鎖定單元200之后并且被示意性顯示。在這方面，擠出工具240將塑料熔體施加到運輸 的膜幅面30'上，并且因此于在線工藝中，即沒有工藝中斷并且在正在進行的工藝內涂布 剛剛產生的SiOx層。
[0088] 因此，根據該原理，陶瓷氣體阻隔復合膜的制造基本上如下進行：
[0089]-擠出單層/多層承載膜；
[0090] _通過真空鎖定系統，將膜幅面引入涂布設備中；
[0091] _使用陶瓷材料的"離子束輔助沉積-IBAD"來涂布膜；
[0092] -通過真空鎖定系統，將膜送出；和
[0093] _通過熔體擠出，用單層/多層頂層涂布復合膜。
[0094] 已經顯示，根據該方法可省略粘合劑。陶瓷涂層實時與頂層形成連接，以使陶瓷表 面的老化過程不起作用，這是決定性的。在這方面，非老化的表面與熔體擠出的頂層形成良 好連接。尤其是