技術總結
一種制備擇優取向碲化鉍熱電薄膜的方法，采用磁控濺射法制備碲化鉍熱電薄膜。首先安裝碲化鉍(Bi2Te3)合金靶，然后把清洗過的氧化鎂(MgO)單晶放在襯底上；調整靶基距至100mm～140mm，抽真空至5x10?4Pa～7.5x10?4Pa；再對氧化鎂(MgO)基片加熱至350℃～450℃，通入氬氣(Ar)，在工作氣壓為0.3Pa～0.5Pa的條件下開始濺射鍍膜；最后對濺射的薄膜在250℃～350℃的退火處理，形成擇優取向碲化鉍熱電薄膜。
技術研發人員：丁發柱;商紅靜;古宏偉;屈飛;張賀;張慧亮;董澤斌
受保護的技術使用者：中國科學院電工研究所
文檔號碼：201610436198
技術研發日：2016.06.17
技術公布日：2017.02.15