8的電壓（例如致動電壓）同時施加到EAL 204。
[0073] 圖2C還展示穿過第二光圈222的兩個光線230a及23化。快口 208部分覆蓋第二光圈 222。因此，光線230a無法從光調制器200逸出。未在快口208的路徑中的光線23化穿過上部 襯底250而離開光調制器200。例如，光線230a及23化可從放置于光調制器200下方的背光發 射。允許穿過上部襯底250的光線（例如光線230b)可促成圖像的形成。上部襯底250可由透 明材料形成W便促進光的透射。
[0074] 在一些實施方案中，快口208經配置W在平行于下部襯底206及EAL 204兩者的平 面中移動。然而，快口 208有時可在此平面外移動。在此些情形中，僅使用與快口 208對準的 懸置驅動電極(例如懸置驅動電極215)可導致致動力顯著減小，此可引起快口 208的較慢或 不完全致動。延伸高度電極216可幫助克服此問題。如果延伸高度驅動電極216從下部襯底 206向上延伸到EAL 204，則即使快口208在平面外移動，快口208的側壁減震器225也仍將保 持與延伸高度驅動電極216的一部分直接相對。因此，快口 208仍將經歷可觀致動力。
[0075] 圖2D展示圖2A中所展示的實例性基于快口的光調制器200的第二橫截面圖。沿著 圖2A中所展示的線B-B'獲取圖2D中所展示的視圖。在此橫截面中，下部襯底206由光阻斷層 224完全覆蓋。因此，不存在光可穿過的間隙。懸臂梁210及錯固件227的橫截面也是可見的。 錯固件227從下部襯底206延伸到EAL 204的高度，使得EAL 204懸置于下部襯底206上方。在 一些實施方案中，錯固件227及EAL 204由相同材料制成且形成于光調制器的相同制造階段 中。
[0076] 圖3A展示另一實例性基于快口的光調制器300的俯視圖。光調制器300包含禪合到 兩個電極梁304的快口302。快口302還包含從快口302的左邊緣及右邊緣向外延伸的側壁減 震器325。窄間隙323使每一側壁減震器325與快口 302的相應邊緣分開。快口 302是快口組合 件305的部分，快口組合件305還包含一對靜電致動器306及308。每一靜電致動器306及308 由支撐快口 302的電極梁304中的一者及延伸高度驅動電極310形成。電極梁304通過錯固件 314支撐于襯底311上方。實際上，EAL定位于快口組合件305上方。為說明的目的，圖3A中未 展示EAL。然而，圖3B及3C中展示EAL，圖3B及3C展示基于快口的光調制器300的橫截面圖。
[0077] 光調制器300的操作實質上類似于圖2A到2D中所展示的光調制器200的操作。例 如，襯底311的光阻斷層包含光圈322。快口302展示為處于其中性位置中，其中未致動致動 器306及308兩者。在此狀態中，快口302經定位使得其部分阻擋穿過光圈322的光。當將致動 電壓施加到致動器306或308中的一者時，將對應電極梁304牽引朝向延伸高度驅動電極 310。因此，快口302可移動到完全光阻擋狀態(例如，通過將電壓施加到致動器306)或實質 上透射狀態(例如，通過將電壓施加到致動器308)中。
[0078] 圖3B展示圖3A中所展示的實例性基于快口的光調制器300的橫截面圖。從圖3A中 所展示的線C-C'獲取所述橫截面圖。光阻斷層324沉積到襯底311上。光阻斷層324界定第一 光圈322。第二光圈320由EAL 312界定。快口302定位于第一光圈322與第二光圈320之間。在 圖3B所展示的未致動位置中，快口302部分阻擋穿過第一光圈322的光。側壁減震器325具有 實質上平行于延伸高度驅動電極310的高度的高度。
[0079] 可跨延伸高度驅動電極310及電極梁304施加電壓W便變動快口 302的位置。即使 在其中快口在平面外移動的實例中，延伸高度電極310的延伸高度也幫助施加一致的致動 力。穿過光圈322的光可促成在穿過上部襯底350之后形成圖像。在一些實施方案中，上部襯 底350由經由粘合劑(例如環氧樹脂)使其邊緣固定到襯底311的透明材料形成。
[0080] 圖3C展示圖3A中所展示的實例性基于快口的光調制器300的第二橫截面圖。沿著 圖3A中所展示的線D-D'獲取所述橫截面。界定第一光圈322的光阻斷層324展示為位于襯底 311的頂部上。EAL 312界定對準于第一光圈322上方的第二光圈320。定位于襯底311的頂面 上的錯固件314支撐EAL 312。錯固件314禪合到電極梁304(圖3C中未展示），電極梁304禪合 到快口302。在此實施方案中，錯固件314通過電極梁304將EAL 312電禪合到快口302W便使 EAL 312及快口302維持在實質上相同電壓。
[0081] 圖4展示用于制造顯示設備的實例性過程400的流程圖。例如，過程400可用于制造 圖2A中所展示的基于快口的光調制器200。簡單來說，過程400包含:在襯底上形成第一模具 部分(階段401)。在所述第一模具部分上形成第二模具部分(階段402)。接著，使用所述模具 來形成快口組合件(階段404)。接著，在所述快口組合件及所述第一模具部分及第二模具部 分上形成第Ξ模具部分(階段406)。接下來，形成及圖案化EAL及多個致動電極(階段408)。 接著，釋放所述快口組合件及EAL(階段410)。下文相對于圖5A到51及圖6描述運些過程階段 中的每一者及制造過程400的進一步方面。
[0082] 圖5A到51展示根據圖4中所展示的制造過程400的實例性顯示設備的構造階段的 橫截面圖。此過程產生形成于襯底上且包含從所述襯底的表面延伸到EAL的表面的延伸高 度電極的顯示設備。在圖5A到51所展示的過程中，所述顯示設備形成于由犧牲材料制成的 模具上。圖5A到51中所展示的顯示設備是圖2A中所展示的基于快口的光調制器200。特定來 說，圖5A到51的橫截面圖是沿著圖2A中所展示的線A-A'的視圖。
[0083] 參考圖4及圖5A到51，用于形成基于快口的光調制器200的過程400開始于:在襯底 的頂部上形成第一模具部分(階段401)，如圖5A中所展示。通過在先前形成于下伏襯底206 上的光阻斷層224的頂部上沉積及圖案化第一犧牲材料504而形成所述第一模具部分。第一 層犧牲材料504可為或可包含聚酷亞胺、聚酷胺、含氣聚合物、苯并環下締、聚苯基哇諾希 爾、聚對二甲苯基、聚降冰片締、聚乙酸乙締醋、聚乙締及酪醒或酪醒清漆樹脂、或適合于用 作為犧牲材料的本文所識別的其它材料的任何者。取決于被選擇用作為第一層犧牲材料 504的材料，可使用各種光刻技術及工藝(例如通過直接光圖案化(對于感光犧牲材料)或化 學或等離子蝕刻穿過由光刻圖案化光致抗蝕劑形成的掩模)來圖案化第一層犧牲材料504。 第一犧牲材料504中所界定的圖案產生其內將最終形成延伸高度電極的凹口 506。額外層 (包含形成顯示控制矩陣的材料層)可沉積于光阻斷層224下方及/或光阻斷層224與第一犧 牲材料504之間。光阻斷層224界定多個后光圈222。在一些實施方案中，通過發生于犧牲材 料504的沉積之前的圖案化或蝕刻過程而形成光圈505。
[0084] 形成顯示設備的過程繼續形成第二模具部分(階段402)。通過在由第一犧牲材料 504形成的第一模具部分的頂部上沉積及圖案化第二犧牲材料508而形成所述第二模具部 分。第二犧牲材料可為相同于第一犧牲材料504的材料類型。
[0085] 圖5B展示第二犧牲材料508的圖案化之后的包含第一模具部分及第二模具部分的 模具599的形狀。第二犧牲材料508已被圖案化W形成凹口 510 W暴露形成于第一犧牲材料 504中的凹口 506。凹口 510寬于凹口 506,使得階梯狀結構形成于模具599中。模具599也經圖 案化W形成凹口 511。凹口 511經形成W提供其上可形成快口 208的垂直結構特征(例如側壁 減震器225)的側壁，如下文進一步描述。
[0086] 形成顯示設備400的過程繼續使用模具599來形成快口組合件（階段404)，如圖5C 及抓中所展示。通過將結構材料516沉積到模具599的暴露表面上(如圖5C中所展示)且接著 圖案化結構材料516W導致圖5D中所展示的結構而形成所述快口組合件。在一些實施方案 中，在化學氣相沉積(CVD)過程或等離子增強型CVD(PECVD)過程中沉積結構材料516。結構 材料516可包含一或多個層，其包含機械層W及導電層。適合的結構材料516包含:金屬，例 如侶(A1)、銅(Cu)、儀(Ni)、銘他）、鋼(Mo)、鐵(Ti)、粗化）、妮(Nb)、欽(Nd)或其合金；電介 質材料，例如氧化侶(Ah化）、二氧化娃(Si〇2)、五氧化二粗(Ta2化)或氮化娃(Si3N4);或半導 體材料，例如類金剛石碳、51、66、6曰43八扣6或其合金。在一些實施方案中，結構材料516包 含材料堆疊。例如，一層導電結構材料可沉積于兩個非導電層之間。在一些實施方案中，非 導電層沉積于兩個導電層之間。在一些實施方案中，此"夾層"結構幫助確保沉積之后保留 的應力及/或因溫度變動而強加的應力不會引起結構材料516的彎曲、翅曲或其它變形。結 構材料516經沉積達約0.5微米到約2微米之間的厚度。在一些實施方案中，結構材料516經 沉積為具有小于約1.5微米的厚度。
[0087] 在沉積之后，圖案化結構材料516(其可為上文所描述的若干材料的復合物），如圖 5D中所展示。首先，在結構材料516上沉積光致抗蝕劑掩模。接著，圖案化所述光致抗蝕劑。 顯影為所述光致抗蝕劑的圖案經設計使得在隨后蝕刻階段之后，剩余結構材料516形成具 有側壁減震器225的快口 208及延伸高度電極216的底部部分280。為產生側壁減震器225,所 述光致抗蝕劑可經圖案化W移除形成凹口 511的邊緣的側壁的任一側上的區中的光致抗蝕 劑。借此幫助確保無外來快口材料保留于凹口 511的底部處。給定圖案化過程的分辨率，僅 通過移除覆蓋凹口 511的底部的光致抗蝕劑而實現此目標常常產生不完美結果。在圖5D所 展示的橫截面圖中，使側壁減震器225與快口 208分開達窄間隙。結構材料516的蝕刻可為可 在等離子氛圍中實施的各向同性蝕刻、各向異性蝕刻或各向同性蝕刻及各向異性蝕刻的組 合，其中電壓偏置施加到襯底或接近于襯底的電極。
[0088] 一旦形成顯示設備的快口組合件(階段404)，則制造過程400繼續形成及圖案化顯 示器的EAL。形成EAL的過程開始于:在快口組合件的頂部上形成第Ξ模具部分(階段406)。 所述第Ξ模具部分由第Ξ犧牲材料層530形成。第Ξ犧牲材料層530可為或包含本文所掲示 的犧牲材料的任何者。圖5E展示沉積第Ξ犧牲材料層530之后所產生的模具599(其包含第 一模具部分、第二模具部分及第=模具部分）的形狀。圖5F展示圖案化第Ξ犧牲材料層530 之后所產生的模具599的形狀。特定來說，圖5F中所展示的模具599包含其中將形成延伸高 度電極216的上部分的凹口 532。
[0089] 接著，形成EAL 204及多個致動電極，如圖5G及5H中所展示(階段40