二金屬層G間隙
[0039]107過孔G [η]第η級水平掃描線
[0040]201緩沖層G[n+1]第n+l級水平掃描線
[0041]202柵極絕緣層G[n_l]第n_l級水平掃描線
[0042]203第一金屬層P、Q節點
[0043]204層間介質層U2D正向掃描信號
[0044]205第二金屬層VGH高恒壓源
[0045]205a第一部份VGL低丨旦壓源
【具體實施方式】
[0046]為更進一步闡述本發明為達成預訂發明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的陣列基板行驅動(GOA)結構及顯示面板其【具體實施方式】、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
[0047]請參照圖3A和圖3B，圖3A為本發明一實施例中陣列基板行驅動(GOA)結構20的部分剖視結構示意圖；圖3B為圖3A中第一金屬層203、第二金屬層205和透明導電層207之間堆棧關系的俯視圖。所述陣列基板行驅動(GOA)結構20是整合在一顯示面板中。所述陣列基板行驅動(GOA)結構20包含一緩沖層201、一柵極絕緣層202、一第一金屬層203、一層間介質層204、一第二金屬層205、一鈍化層206和一透明導電層207。
[0048]所述柵極絕緣層202是設置于所述緩沖層201上。所述第一金屬層203是設置于所述柵極絕緣層202上。所述層間介質層204是設置于所述第一金屬層203上。所述第二金屬層205是設置于所述層間介質層204上。所述鈍化層206是設置于所述第二金屬層205上。所述透明導電層207是設置于所述鈍化層206上。所述第二金屬層205區分為第一部份205a及第二部份205b，所述第二金屬層205的第一部份205a與所述第二金屬層205的第二部份205b之間具有一間隙G。
[0049]所述第一金屬層203、所述第二金屬層205的第二部份205b和所述透明導電層207形成一夾心電容。所述第一金屬層203、所述第二金屬層205的第二部份205b和所述透明導電層207是分別作為所述夾心電容的第一層、第二層和第三層。所述陣列基板行驅動(GOA)結構20還包含一平坦層挖槽210，其是位于電容處，用以增大所述透明導電層207與所述第二金屬層205的第二部份205b之間形成的平行電容。
[0050]所述第二金屬層205的第一部份205a與所述第一金屬層203之間具有至少一第一過孔208。所述第一過孔208貫穿所述層間介質層204，且所述第一過孔208的兩端分別接觸所述第二金屬層205的第一部份205a和所述第一金屬層203。所述透明導電層207與所述第二金屬層205的第一部份205a之間具有至少一第二過孔209。所述第二過孔209貫穿所述鈍化層206，且所述第二過孔209的兩端分別接觸所述透明導電層207和所述第二金屬層205的第一部份205a。在本發明中，為了防止所述透明導電層207與所述第一金屬層203直接相連而發生的所述透明導電層207斷線的問題，因此采用所述第二金屬層205的第一部份205a跨接的方式使所述透明導電層207與所述第一金屬層203相連。
[0051 ] 所述緩沖層201的材質可以是氮化硅或氧化硅。所述柵極絕緣層202的材質可以是氮化娃。所述第一金屬層203的材質可以是選自鉬。所述層間介質層204的材質可以是氮化硅或氧化硅。所述第二金屬層205的材質可以是選自鈦-鋁-鈦。所述鈍化層206的材質是氮化硅。所述透明導電層207的材質是氧化銦錫。
[0052]如上所述，本發明的陣列基板行驅動(GOA)結構20及顯示面板是通過以所述透明導電層207替代現有的陣列基板行驅動(GOA)結構10 (請參照圖2A和圖2B)中夾心電容的多晶娃層102，來改進現有技術中所述多晶娃層102因不能被摻雜(Dopping)而不能被作為所述夾心電容的電極的問題。
[0053]本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本發明的范圍。相反地，包含于權利要求書的精神及范圍的修改及均等設置均包括于本發明的范圍內。
【主權項】
1.一種陣列基板行驅動(Gate Driver on Array,GOA)結構，整合在一顯示面板中，其特征在于，所述陣列基板行驅動結構包含: 一緩沖層； 一柵極絕緣層，設置于所述緩沖層上； 一第一金屬層，設置于所述柵極絕緣層上； 一層間介質層，設置于所述第一金屬層上； 一第二金屬層，設置于所述層間介質層上，所述第二金屬層區分為第一部份及第二部份，所述第二金屬層的第一部份與所述第二金屬層的第二部份之間具有一間隙，所述第二金屬層的第一部份與所述第一金屬層之間具有至少一第一過孔； 一鈍化層，設置于所述第二金屬層上；以及 一透明導電層，設置于所述鈍化層上，所述透明導電層與所述第二金屬層的第一部份之間具有至少一第二過孔。2.根據權利要求1所述的陣列基板行驅動結構，其特征在于，所述第一過孔貫穿所述層間介質層。3.根據權利要求2所述的陣列基板行驅動結構，其特征在于，所述第一過孔的兩端分別接觸所述第二金屬層的第一部份和所述第一金屬層。4.根據權利要求1所述的陣列基板行驅動結構，其特征在于，所述第二過孔貫穿所述鈍化層。5.根據權利要求4所述的陣列基板行驅動結構，其特征在于，所述第二過孔的兩端分別接觸所述透明導電層和所述第二金屬層的第一部份。6.根據權利要求1所述的陣列基板行驅動結構，其特征在于，所述第一金屬層、所述第二金屬層的第二部份和所述透明導電層形成一夾心電容。7.—種顯示面板，其特征在于，具有多個根據權利要求1至6中任一項所述的陣列基板行驅動結構。
【專利摘要】本發明公開一種陣列基板行驅動(GOA)結構及顯示面板，其是通過以一透明導電層替代現有的陣列基板行驅動(GOA)結構中夾心電容的多晶硅層，來改進現有技術中所述多晶硅層因不能被摻雜(Dopping)而不能被作為所述夾心電容的電極的問題。
【IPC分類】G02F1/1362, G02F1/1345
【公開號】CN105301856
【申請號】CN201510741301
【發明人】龔強, 曹尚操
【申請人】武漢華星光電技術有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年11月4日