并胍胺（以上為三井 寸彳S卜''公司制）。另外，作為甘脲的例子，可列舉出CYMEL 1170之類的丁氧基甲基化 甘脲、CYMEL 1172之類的羥甲基化甘脲等；Powder link 1174之類的甲氧基羥甲基化甘脲 等。
[0172] 作為具有羥基或烷氧基的苯或苯酚性化合物，例如可列舉出1，3, 5-三（甲氧基甲 基）苯、1，2, 4-三（異丙氧基甲基）苯、1，4-雙（仲丁氧基甲基）苯或2, 6-二羥基甲基對 叔丁基苯酚等。
[0173] 更具體而言，可列舉出國際公開公報W02011/132751的62頁~66頁中記載的式 [6-1]~式[6-48]所示的交聯性化合物。
[0174] 作為具有聚合性不飽和鍵的交聯性化合物，例如可列舉出三羥甲基丙烷三（甲 基）丙烯酸酯、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯、三（甲基） 丙烯酰氧基乙氧基三羥甲基丙烷或甘油聚縮水甘油醚聚（甲基）丙烯酸酯等分子內具有3 個聚合性不飽和基團的交聯性化合物；進而，乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲 基）丙烯酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丙二醇二（甲 基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲 基）丙烯酸酯、環氧乙烷雙酚A型二（甲基）丙烯酸酯、環氧丙烷雙酚型二（甲基）丙烯酸 酯、1，6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、甘油二（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇二（甲基）丙烯 酸酯、乙二醇二縮水甘油醚二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二縮水甘油醚二（甲基）丙烯酸 酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯二（甲基）丙烯酸酯、或羥基特戊酸新戊二醇二（甲基）丙烯 酸酯等分子內具有2個聚合性不飽和基團的交聯性化合物；以及，（甲基）丙烯酸2-羥基 乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、2-苯氧基-2-羥基丙基 (甲基）丙烯酸酯、2-(甲基）丙烯酰氧基-2-羥基丙基鄰苯二甲酸酯、3-氯-2-羥基丙基 (甲基）丙烯酸酯、甘油單（甲基）丙烯酸酯、2-(甲基）丙烯酰氧基乙基磷酸酯、或者N-羥 甲基（甲基）丙烯酰胺等分子內具有1個聚合性不飽和基團的交聯性化合物。
[0175] 進而，也可以使用下式[7]所示的化合物。
[0177](式[7]中，E1表示選自由環己烷環、雙環己烷環、苯環、聯苯環、三聯苯基環、萘 環、芴環、蒽環或菲環組成的組中的基團，E2表示選自下式[7a]或式[7b]中的基團，η表示 1~4的整數。）
[0179] 上述化合物為交聯性化合物的一例，但不限定于它們。另外，本發明的液晶取向處 理劑中使用的交聯性化合物可以是1種，也可以組合兩種以上。
[0180] 本發明的液晶取向處理劑中的交聯性化合物的含量相對于所有聚合物成分100 質量份優選為〇. 1~150質量份。為了推進交聯反應而表現出目標效果，相對于所有聚合 物成分100質量份，更優選為〇. 1~100質量份，尤其是最優選為1~50質量份。
[0181] 使用了應用本發明組合物的液晶取向處理劑制作液晶取向膜時，作為促進液晶取 向膜中的電荷移動、促進使用了該液晶取向膜的液晶單元脫電荷的化合物，優選添加國際 公開公報W02011/132751的69頁~73頁中記載的式[Ml]~式[Μ156]所示的含氮雜環 胺化合物。該胺化合物可以直接添加至組合物中，優選用適當的溶劑制成濃度為〇. 1質 量％~10質量％、優選為1質量％~7質量％的溶液后再添加。作為該溶劑，只要是使上 述特定聚酰亞胺系聚合物溶解的有機溶劑，就沒有特別限定。
[0182] 在不損害本發明效果的范圍內，本發明的液晶取向處理劑可以使用使涂布液晶取 向處理劑時的液晶取向膜的膜厚均勻性、表面平滑性提高的化合物。進而，也可以使用使液 晶取向膜與基板的密合性提高的化合物等。
[0183] 作為使液晶取向膜的膜厚均勻性、表面平滑性提高的化合物，可列舉出氟系表面 活性劑、有機硅系表面活性劑、非離子系表面活性劑等。
[0184] 更具體而言，例如可列舉出 Eftop EF301、EF303、EF352(以上為 Tohkem products Corporation 制）；Megafac F171、F173、R_30(以上為 DIC Corporation 制）；Fluorad FC430、FC431(以上為 Sumitomo 3M Limited 制）；AsahiGuard AG710、Surflon S-382、 SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(以上為旭硝子株式會社制）等。這些表面活性 劑的使用比例相對于液晶取向處理劑中含有的所有聚合物成分100質量份優選為0.0 l~ 2質量份、更優選為0. 01~1質量份。
[0185] 作為使液晶取向膜與基板的密合性提高的化合物的具體例，可列舉出以下示出的 含官能性硅烷的化合物、含環氧基的化合物。
[0186] 例如可列舉出3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、2-氨基丙基 三甲氧基硅烷、2-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基）-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、 N-(2-氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙 氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三乙氧 基硅烷、N-三乙氧基甲硅烷基丙基三乙三胺、N-三甲氧基甲硅烷基丙基三乙三胺、10-三甲 氧基甲硅烷基-1，4, 7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基甲硅烷基-1，4, 7-三氮雜癸烷、9-三甲 氧基甲硅烷基-3, 6-二氮雜壬基乙酸酯、9-三乙氧基甲硅烷基-3, 6-二氮雜壬基乙酸酯、 N-芐基_3_氛基丙基二甲氧基硅烷、N-芐基_3_氛基丙基二乙氧基硅烷、N-苯基_3_氛基 丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-雙（氧亞乙基）-3-氨基丙基三 甲氧基硅烷、N-雙（氧亞乙基）-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇 二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新 戊二醇二縮水甘油醚、1，6-己二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、2, 2-二溴新戊二醇 二縮水甘油醚、1，3, 5, 6-四縮水甘油基-2, 4-己二醇、Ν，Ν，Ν'，Ν'，-四縮水甘油基間苯二甲 胺、1，3-雙（N，N-二縮水甘油氨基甲基）環己烷或Ν，Ν，Ν'，Ν'，-四縮水甘油基-4, 4' -二 氣基^苯基甲燒等。
[0187] 使用這些使液晶取向膜與基板密合的化合物時，相對于液晶取向處理劑中含有的 所有聚合物成分100質量份優選為〇. 1~30質量份、更優選為1~20質量份。不足0. 1 質量份時，無法期待提高密合性的效果，多于30質量份時，有時液晶取向處理劑的保存穩 定性變差。
[0188] 本發明的液晶取向處理劑中，除了上述不良溶劑、交聯性化合物、促進液晶單元脫 電荷的化合物以及使液晶取向膜的膜厚均勻性、表面平滑性提高的化合物之外，只要在不 損害本發明效果的范圍內，也可以添加用于變更液晶取向膜的介電常數、導電性等電特性 的介電體、導電物質。
[0189] 〈液晶取向膜/液晶表示元件〉
[0190] 本發明的液晶取向處理劑在涂布于基板上并燒成后，通過刷磨處理、光照射等進 行取向處理，從而可用作液晶取向膜。另外，在垂直取向用途等的情況下，不進行取向處理 也可以用作液晶取向膜。作為此時使用的基板，只要是透明性高的基板就沒有特別限定，除 了玻璃基板之外，還可以使用丙烯酸類基板、聚碳酸酯基板等塑料基板等。從簡化工藝的觀 點出發，優選使用形成有用于驅動液晶的ITO電極等的基板。另外，在反射型的液晶表示元 件中，若僅是單側基板，則也可以使用硅晶片等不透明的基板，作為此時的電極，也可以使 用鋁等會反射光的材料。
[0191] 液晶取向處理劑的涂布方法沒有特別限定，工業上通常為利用絲網印刷、凹版印 刷、膠版印刷或噴墨法等進行的方法。作為其它涂布方法，有浸涂法、輥涂法、狹縫涂布法、 旋涂法或噴涂法等，可以根據目的使用這些方法。
[0192] 將液晶取向處理劑涂布在基板上后，利用熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線）型烘 箱等加熱手段，根據液晶取向處理劑中使用的溶劑，以30~300°C、優選以30~250°C的溫 度使溶劑蒸發，從而能夠制成液晶取向膜。燒成后的液晶取向膜的厚度過厚時，在液晶表 示元件的耗電方面是不利的，厚度過薄時，液晶表示元件的可靠性有時會降低，因此優選為 5~300nm、更優選為10~100nm。使液晶水平取向、傾斜取向時，利用刷磨或偏光紫外線照 射等對燒成后的液晶取向膜進行處理。
[0193] 關于本發明的液晶表示元件，利用上述方法，由本發明的液晶取向處理劑得到帶 液晶取向膜的基板后，利用公知方法制作液晶單元，從而制成液晶表示元件。若列舉出一 例，則為具有如下液晶單元的液晶表示元件，所述液晶單元具備：相對配置的2炔基板、設 置在基板之間的液晶層、以及設置于基板與液晶層之間且利用本發明的液晶取向處理劑形 成的上述液晶取向膜。作為這種本發明的液晶表示元件，可列舉出垂直取向（VA :Vertical Alignment)方式、水平取向（IPS :In_Plane Switching)方式、扭轉向列（TN :Twisted Nematic)方式、OCB取向（OCB :Optically Compensated Bend)等各種方式，另外，也可以是 PSA(Polymer Sustained Alignment)方式等方式。需要說明的是，液晶取向膜設置于2塊 基板之中的至少一者即可。
[0194] 作為液晶單元的制作方法，可例示出如下方法：準備形成有液晶取向膜的一對基 板，在單個基板的液晶取向膜上散布間隔物，以液晶取向膜面朝向內側的方式粘貼另一個 基板，減壓注入液晶并密封的方法；或者，向散布有間隔物的液晶取向膜面上滴加液晶后， 粘貼基板并進行密封的方法等。
[0195] 如上那樣操作，使用本發明的液晶取向處理劑制作的液晶表示元件具有即使長時 間暴露于光照射、其電壓保持率的降低也受到抑制的液晶取向膜，因此可靠性優異，可適合 地用于大畫面且高清晰的液晶電視等。
[0196] 以下更詳細地說明本發明的實施方式。
[0197] 實施例
[0198] 以下列舉出實施例，進一步詳細說明本發明，但不限定于它們。
[0199] 合成例和實施例中使用的簡稱如下所示。
[0200] 〈四羧酸二酐〉
[0201](特定四羧酸二酐）
[0202] Al :下式[Al]所示的四羧酸二酐
[0204] (特定脂肪族四羧酸二酐）
[0205] A2 :1，2, 3, 4-環丁烷四羧酸二酐（下式[A2]所示的四羧酸二酐）
[0206] A3 :雙環[3. 3. 0]辛烷-2, 4, 6, 8-四羧酸二酐（下式[A3]所示的四羧酸二酐）
[0207] A4 :下式[A4]所示的四羧酸二酐
[0208] A5 :下式[A5]所示的四羧酸二酐 CN 105190415 A ^ T> 26/38 貞
[0210] (其它四羧酸二酐）
[0211] Α6 :苯均四酸二酐（下式[Α6]所示的四羧酸二酐）
[0213] 〈二胺成分〉
[0214] Bl :1，3-二氨基-4-〔4-(反式-4-正庚基環己基）苯氧基〕苯（下式[Β1]所示 的二胺化合物）
[0215] Β2 :1，3_二氨基-5-〔4-(反式-4-正庚基環己基）苯氧基甲基〕苯（下式[Β2] 所示的二胺化合物）
[0216] Β3 :1，3-二氨基-4-{4-〔反式-4-(反式-4-正戊基環己基）環己基〕苯氧基}苯 (下式[B3]所示的二胺化合物）
[0217] B4 :1，3-二氨基-5-{4_〔4_(反式-4-正戊基環己基）環己基〕苯氧基甲基}苯 (下式[B4]所示的二胺化合物）
[0218] B5 :下式[B5]所示的特定側鏈型二胺化合物
[0219] B6 :1，3-二氨基-4-十八烷氧基苯（下式[B6]所示的二胺化合物）
[0220] B7 :間苯二胺（下式[B7]所示的二胺化合物）
[0221] B8 :對苯二胺（下式[B8]所示的二胺化合物）
[0222] B9 :3, 5-二氨基苯甲酸（下式[B9]所示的二胺化合物）
[0223] BlO :下式[B10]所示的二胺化合物
[0224] CN 105190415 A 說明書 27/38 頁
[0225] 〈有機溶劑〉
[0226] (極性溶劑）
[0227] NMP :N-甲基-2-吡咯烷酮
[0228] NEP :N-乙基-2-吡咯烷酮
[0229] G-BL :γ_ 丁內酯
[0230] (其它有機溶劑）
[0231] BCS :2_ 丁氧基乙醇
[0232] PB :丙二醇單丁醚
[0233] 〈聚酰亞胺前體和聚酰亞胺的分子量測定〉
[0234] 合成例中的聚酰亞胺前體和聚酰亞胺的分子量使用常溫凝膠滲透色譜（GPC)裝 置（GPC-101)(昭和電工株式會社制）、柱（KD-803、KD-805) (Shodex公司制），如下操作來 測定。
[0235] 柱溫：50°C
[0236] 洗脫液：N，N' -二甲基甲酰胺（作為添加劑，溴化鋰一水合物（LiBr ·Η20)為 30mmol/L (升）、磷酸?無水結晶（正磷酸）為30mmol/L、四氫咲喃（THF)為10ml/L)
[0237] 流速：1.0ml/分鐘
[0238] 標準曲線制作用標準樣品：TSK標準聚環氧乙烷（分子量；約900, 000、150, 000、 100, 000和30, 000)(東曹株式會社制）和聚乙二醇（分子量；約12, 000、4, 000和1，000) (Polymer Laboratories Ltd.制）
[0239] 〈聚酰亞胺的酰亞胺化率的測定〉
[0240] 合成例中的聚酰亞胺的酰亞胺化率如下操作來測定。將聚酰亞胺粉末20mg投入 至NMR(核磁共振）樣品管（NMR樣品管規格，Φ5(草野科學株式會社制））中，添加氘代二 甲基亞砜（DMS0-d6,0. 05質量％ TMS (四甲基硅烷）混合品）（0. 53ml)，用超聲波使其完全 溶解。利用NMR測定機（JNW-ECA500) (JE0L DATUM公司制）對該溶液測定500MHz的質子 NMR。酰亞胺化率將源自酰亞胺化前后不發生變化的結構的質子作為基準質子來確定，使用 該質子的峰積算值和源自9. 5ppm~10.0 ppm附近出現的酰胺酸的NH基的質子峰積算值， 利用下式來求出。
[0241] 酰亞胺化率（％ ) = (1-α · χ/y) XlOO
[0242] 上述式中，x為源自酰胺酸的NH基的質子峰積算值，y為基準質子的峰積算值，α 為聚酰胺酸（酰亞胺化率為〇%)時的基準質子相對于酰胺酸的NH基質子1個的個數