，并且以沿轉動方 向h規律地布置成凸部和凹部的方式形成。凹部22B在凸部22A之間形成。
[0076] 圖6C是從圖6B中箭頭X的方向所看到的橫截面圖。套筒221由包括基層22Ia (該 基層是由金屬材料制成的筒形元件）和覆蓋在其上的彈性層221b。套筒221還包括形成在 彈性層221b上的涂覆層221c。
[0077] 基層221a可以是任何具有導電性和剛性的材料，并且可以由SUS、鐵、鋁等形成。
[0078] 彈性層221b可以包括作為基底材料的、具有合適彈性的例如硅橡膠、丙烯酸類橡 膠、腈橡膠、聚氨酯橡膠、乙丙橡膠、異丙烯橡膠、苯乙烯一丁二烯橡膠等橡膠材料。彈性層 221b是通過對其添加例如碳、鈦氧化物、金屬微粒子等導電粒子而被提供有導電性的層。除 了金屬微粒子，為了控制表面粗糙度，在彈性層221b中可以分散有球面樹脂。在本實例中， 套筒221包括由不銹鋼制成的基層221a，和形成在該基層上的、由硅橡膠和聚氨酯橡膠制 成的、且在其中分散有碳的彈性層221b。
[0079] 涂覆層221c由樹脂材料形成。凸部22A在涂覆層221c中形成。多個凸部22A沿 套筒的轉動方向h規律地布置。凸部22A中的每一個以傾斜間距L(該傾斜間距是在回轉 方向h上的尺寸）和高度d形成。
[0080] 此外，為了增加涂覆層221c與彈性層221b的附著性，在上述兩層之間可以提供有 底漆層。在本實例中，凸部22A在彈性層221b上的涂覆層中形成，但凸部22A可以直接在 彈性層221b上形成。就此而言，在彈性層上可以提供、也可以不提供涂覆層。
[0081] 在本實例中，感光鼓1具有在輥狀基層221a上的感光層，但也可以使用帶狀感光 帶。就此而言，在套筒221中可以包括、也可以不包括彈性層221b。具體地，可以在基層 221a上提供由樹脂或金屬制成的涂覆層221c并且可以在涂覆層221c中形成凸部22A，或 者可以在基層221a上直接形成凸部22A。
[0082] 此外，為了避免被切削或為了絕緣處理，可以在具有凸部22A的涂覆層、彈性層或 基層上涂覆高硬度材料和絕緣材料。在這種情況中，需要形成足以在其上保持凸部22A的 薄涂覆層。
[0083] 圖7是在其中形成有凹部22B的涂覆層221c的橫截面圖。如圖7所示，凹部22B 的每一個具有沿凹凸轉動元件22 (凹凸元件）的圓周方向、從頂點P到左底點YL以緩傾斜 角和緩地形成的緩傾斜表面SL (在第一方向上形成的第一側表面），以及從頂點P到右底點 YR以陡傾斜角陡峭地形成的陡傾斜表面SR(在另一方向上形成的第二側表面）。由于緩傾 斜角I κ L|〈陡傾斜角I kR|，多個凸部22A具有角度彼此不同的傾斜度。因此，緩傾斜表面 SL的傾斜角度小于陡傾斜表面SR的傾斜角度。
[0084] 沿在多個凸部22A之間（凸部之間）形成的、帶有陡傾斜角度的陡傾斜表面SR向 上運動、然后沿帶有緩傾斜角度的緩傾斜表面SR向下運動的方向（沿凹凸元件的圓周方 向、沿第一側表面向下運動的方向）被設置為在沿套筒221的平面的方向上的正方向。凸 部22A沿轉動方向h以從陡傾斜角I kR|到緩傾斜角I KL|的傾斜間距L形成在所布置的 凹凸結構中。就此而言，在凹凸結構中形成的凹槽以在其內表面與調色劑接觸的方式以凹 槽的間隔L布置。換句話說，在此處不包括調色劑不能與凹槽內表面接觸的情況。即，在此 處不包括凹槽的間距L小于調色劑的粒子直徑的凹凸結構。
[0085] 在本實施例中，傾斜間距L為8 μ m，緩傾斜表面SL的寬度xL為7. 3 μ m，緩傾斜表 面SL的深度d為1. 9 μ m，陡傾斜表面SR的最大傾斜度κ R為2. 7,緩傾斜表面SL的最大 傾斜度κ L為0. 26。此外，涂覆層221c的厚度D為7 μ m。此處，緩傾斜表面SL和陡傾斜 表面SR以平行于軸線j延伸的方式形成（見圖6A)，所述這些表面可以以傾斜于軸線j的 方式形成。
[0086] 本發明并不局限于上述結構，還可以包括與下文所述的凹凸結構的確定方法對應 的任何結構。此外，下文將對凹凸結構的形成及確定方法進行描述。
[0087] 圖8是示出了在顯影設備20的內部容納雙組分顯影劑10且雙組分顯影劑10運 動的狀態的橫截面圖。凹凸轉動元件22以與感光鼓1接觸的方式放置，并且在顯影部分T 中沿轉動方向h被能夠轉動地提供，在該顯影部分T中，調色劑沿感光鼓1的轉動方向m運 動到感光鼓1。供給元件24和回收輥23被放置為與凹凸轉動元件22相對。此處，凹凸轉 動元件22中在感光鼓1側的區域被稱為顯影部分T，凹凸轉動元件22中在供給元件24側 的區域被稱為供給部分W。
[0088] 供給元件24用于攪拌由后文所述的回收輥23回收的雙組分顯影劑10,并將其傳 送到在其中凹凸轉動元件22和供給元件24彼此面對的供給部分W，并且由永磁體222所施 加的磁力將其供給到供給部分。
[0089] 同時，回收輥23的套筒231以在面對凹凸轉動元件22的回收部分U中沿相反方 向運動的方式被能夠轉動地提供。由供給元件24供給到感光鼓1的雙組分顯影劑10的一 部分在被傳送到顯影部分T之前，通過由永磁體222和永磁體232配合形成的磁場所施加 的磁力回收。為此，回收輥23可以放置于沿凹凸轉動元件22的轉動方向h的、顯影部分T 的上游且供給部分W的下游處。
[0090] 接下來，將對在顯影設備20中，在凹凸轉動元件22上涂覆調色劑及對感光鼓1上 的靜電圖像顯影進行描述。將在下文進行更加詳細的描述。在供給部分W中，雙組分顯影 劑10由供給元件24供給到具有規律地布置在其表面的凹凸結構的凹凸轉動元件22。
[0091] 在將雙組分顯影劑10供給到凹凸轉動元件22并由回收輥23回收的傳送處理中， 與凹凸轉動元件22的套筒221接觸的雙組分顯影劑10中的調色劑與凹凸結構接觸，以從 磁體載體脫離，并且以薄層穩定且均勻地涂覆在凹凸結構上。除被涂覆的調色劑以外的雙 組分顯影劑10在回收部分U內通過磁力由回收輥回收，并且由供給元件24攪拌并再次供 給到箭頭k的路線，然后重復上述過程。
[0092] 另一方面，未被回收反而薄且均勻地涂覆在凹凸轉動元件22上的調色劑在顯影 部分T與感光鼓1接觸，并且通過凹凸轉動元件22和感光鼓1之間的電位差被顯影在感光 鼓1上。在這種情況下，由于對凹凸轉動元件22的涂覆是以規律的方式均勻的，通過恰當 地設置由套筒221的運動速度vh和感光鼓1的運動速度vm決定的速度比vh/vm，均勻且高 密度的調色劑圖像可以在感光鼓1上被顯影。
[0093] 作為相較現有技術的HV顯影方法的優勢，除了獲得均勻且高密度的調色劑圖像 之外，還可以提到顯影量的穩定性。對于HV顯影方法，如果確定了電位差AV，涂覆量取決 于Q/M (下文等式1)
[0094] [等式 1]
[0095] AV oc Q/S = M/SXQ/M…（1)
[0096] 換句話說，當顯影劑的Q/M由于環境變化或持續時間而變化時，涂覆量變化，并且 顯影量由此具有很大變化。因此，在HV顯影方法中，需要通過感測Q/M進行復雜的電位控 制。相反，在本發明中，由于調色劑與在凹凸轉動元件22上形成的凹凸結構的傾斜表面多 點接觸，相較與平面點接觸的情況，可以借助較小的靜電附著力進行涂覆。換句話說，即使 當靜電附著力由于調色劑電荷量變化而變化時，涂覆在凹凸結構上的調色劑量很少變化， 因此可以達到穩定的涂覆量且達到穩定的顯影量而不依賴于復雜的控制。
[0097] 在后文中，將對在凹凸轉動元件22上涂覆調色劑并且在感光鼓1上對靜電圖像顯 影進行詳細描述。在顯影容器21內的雙組分顯影劑10由供給元件24攪拌并傳送到供