小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則與調(diào)節(jié)區(qū)域3相對應(yīng)的溫度調(diào)節(jié)模塊8將調(diào)節(jié)區(qū)域3的溫度調(diào)高；若比較出調(diào)節(jié)區(qū)域3的上表面的光強(qiáng)等于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，則溫度調(diào)節(jié)模塊8維持調(diào)節(jié)區(qū)域3的溫度不變。
[0043]需要說明的是，上述預(yù)設(shè)光強(qiáng)可通過預(yù)先的實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行設(shè)定。當(dāng)各調(diào)節(jié)區(qū)域3上表面的光強(qiáng)均等于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，則說明到達(dá)至待曝光基板2的上表面的光強(qiáng)是均勻的。本實施例中通過設(shè)置光強(qiáng)檢測單元5和光強(qiáng)比較單元6，可實時地對各調(diào)節(jié)區(qū)域3的溫度進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，從而實現(xiàn)對各調(diào)節(jié)區(qū)域3上表面的光強(qiáng)進(jìn)行精確控制。同時，上述調(diào)節(jié)過程無需人工干預(yù)，從而可有效的減小人工成本。
[0044]本發(fā)明的技術(shù)方案通過調(diào)節(jié)待曝光基板2上各調(diào)節(jié)區(qū)域3的溫度，以使得待曝光基板2上各調(diào)節(jié)區(qū)域3產(chǎn)生相應(yīng)的熱膨脹，從而對各調(diào)節(jié)區(qū)域3的上表面的光強(qiáng)進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而能有效的保證待曝光基板的上表面的光強(qiáng)的均勻分布。
[0045]需要說明的是，在本發(fā)明中，當(dāng)承載基臺I中的承載單元7越多時，則待曝光基臺上對應(yīng)的調(diào)節(jié)區(qū)域3的數(shù)量越多，此時調(diào)節(jié)待曝光基臺上表面的光強(qiáng)均勻分布的精準(zhǔn)度也越高。但是，隨著承載單元7的數(shù)量的增加，設(shè)備的復(fù)雜度會上升，設(shè)備的成本也會相應(yīng)提升。基于精準(zhǔn)度與設(shè)備成本的考慮，本實施例中優(yōu)選地將承載基臺I設(shè)置為包括16個承載單元7且全部16個承載單元7呈4X4矩陣排布的結(jié)構(gòu)。然而，上述承載基臺I的結(jié)構(gòu)僅為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方案，這并不會對本申請的技術(shù)方案產(chǎn)生限制，對于承載基臺I的其他結(jié)構(gòu)，此處不再一一舉例。
[0046]圖3為本發(fā)明實施例二提供的曝光方法的流程圖，如圖3所示，該曝光方法基于曝光裝置，該曝光裝置包括:承載基臺，承載基臺用于承載待曝光基板，承載基臺包括:若干個承載單元，待曝光基板被劃分為與承載單元一一對應(yīng)的若干個調(diào)節(jié)區(qū)域，承載單元中設(shè)置有溫度調(diào)節(jié)模塊，該曝光方法包括:
[0047]步驟S1:溫度調(diào)節(jié)模塊調(diào)節(jié)待曝光基板上對應(yīng)的調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度，以使待曝光基板上對應(yīng)的調(diào)節(jié)區(qū)域產(chǎn)生相應(yīng)的熱膨脹。
[0048]可選地，承載單元的數(shù)量為16個，全部承載單元呈4X4矩陣排布。
[0049]步驟SI的具體描述可參見上述實施例一中對本發(fā)明的發(fā)明原理描述的內(nèi)容，此處不再贅述。
[0050]圖4為本發(fā)明實施例三提供的曝光方法的流程圖，如圖4所示，該曝光方法基于曝光裝置，該曝光裝置不僅包括上述實施例二中的承載基臺，還包括光強(qiáng)檢測單元和光強(qiáng)比較單元，其中光強(qiáng)檢測單元與光強(qiáng)比較單元連接，光強(qiáng)比較單元與各溫度調(diào)節(jié)模塊連接，該曝光方法包括:
[0051]步驟Sll:光強(qiáng)檢測單元檢測待曝光基板中各調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)。
[0052]步驟S12:光強(qiáng)比較單元比較調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)是否大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)。
[0053]在步驟S12中，當(dāng)光強(qiáng)比較單元比較出某一調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，則執(zhí)行步驟S13。
[0054]當(dāng)光強(qiáng)比較單元比較出某一調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，則執(zhí)行步驟 S14。
[0055]當(dāng)光強(qiáng)比較單元比較出某一調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)等于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，則執(zhí)行步驟 S15。
[0056]步驟S13:與調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的溫度調(diào)節(jié)模塊將調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)低。
[0057]在步驟S13中，當(dāng)將待曝光基板上相應(yīng)的某一調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)低之后，待曝光基板上的該調(diào)節(jié)區(qū)域的熱膨脹的形變量變小，該調(diào)節(jié)區(qū)域與光源的之間的距離增大，因此到達(dá)至該調(diào)節(jié)區(qū)域的光強(qiáng)變?nèi)酢?br>[0058]步驟S14:與調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的溫度調(diào)節(jié)模塊將調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)高。
[0059]在步驟S14中，當(dāng)將待曝光基板上相應(yīng)的某一調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)高之后，待曝光基板上的該調(diào)節(jié)區(qū)域的熱膨脹的形變量變大，該調(diào)節(jié)區(qū)域與光源的之間的距離減小，因此到達(dá)至該調(diào)節(jié)區(qū)域的光強(qiáng)變強(qiáng)。
[0060]步驟S15:與調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的溫度調(diào)節(jié)模塊維持調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度不變。
[0061]在步驟S15中，當(dāng)將待曝光基板上相應(yīng)的某一調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度維持不變時，待曝光基板上的該調(diào)節(jié)區(qū)域的熱膨脹的形變量也維持不變，該調(diào)節(jié)區(qū)域與光源的之間的距離不變，因此到達(dá)至該調(diào)節(jié)區(qū)域的光強(qiáng)維持不變。
[0062]在本發(fā)明實施例三提供的曝光方法中，通過設(shè)置光強(qiáng)檢測單元和光強(qiáng)比較單元，可實時地對各調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整，從而實現(xiàn)對各調(diào)節(jié)區(qū)域上表面的光強(qiáng)進(jìn)行精確控制。同時，上述調(diào)節(jié)過程無需人工干預(yù)，從而可有效的減小人工成本。
[0063]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種曝光裝置，其特征在于，包括:承載基臺，所述承載基臺用于承載待曝光基板，所述承載基臺包括:若干個承載單元，所述待曝光基板被劃分為與所述承載單元一一對應(yīng)的若干個調(diào)節(jié)區(qū)域，所述承載單元中設(shè)置有溫度調(diào)節(jié)模塊，所述溫度調(diào)節(jié)模塊用于調(diào)節(jié)所述待曝光基板上對應(yīng)的所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度，以使所述待曝光基板上對應(yīng)的所述調(diào)節(jié)區(qū)域產(chǎn)生相應(yīng)的熱膨脹。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述承載單元的數(shù)量為16個，全部所述承載單元呈4X4矩陣排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，還包括:光強(qiáng)檢測單元，所述光強(qiáng)檢測單元用于檢測所述待曝光基板中各所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，還包括:光強(qiáng)比較單元，所述光強(qiáng)比較單元用于比較所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)是否大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)； 若比較出所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則與所述調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的所述溫度調(diào)節(jié)模塊將所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)低； 若比較出所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則與所述調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的所述溫度調(diào)節(jié)模塊將所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)高； 若比較出所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)等于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，則所述溫度調(diào)節(jié)模塊維持所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度不變。
5.一種曝光方法，其特征在于，所述曝光方法基于曝光裝置，所述曝光裝置包括:承載基臺，所述承載基臺用于承載待曝光基板，所述承載基臺包括:若干個承載單元，所述待曝光基板被劃分為與所述承載單元一一對應(yīng)的若干個調(diào)節(jié)區(qū)域，所述承載單元中設(shè)置有溫度調(diào)節(jié)模塊； 所述曝光方法包括: 所述溫度調(diào)節(jié)模塊調(diào)節(jié)所述待曝光基板上對應(yīng)的所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度，以使所述待曝光基板上對應(yīng)的所述調(diào)節(jié)區(qū)域產(chǎn)生相應(yīng)的熱膨脹。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述承載單元的數(shù)量為16個，全部所述承載單元呈4X4矩陣排布。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光裝置還包括:光強(qiáng)檢測單元; 所述溫度調(diào)節(jié)模塊調(diào)節(jié)所述待曝光基板上對應(yīng)的所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度的步驟之前還包括: 所述光強(qiáng)檢測單元檢測所述待曝光基板中各所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光方法，其特征在于，所述曝光裝置還包括:光強(qiáng)比較單元; 所述光強(qiáng)檢測單元檢測所述待曝光基板中各所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)的步驟之后還包括: 光強(qiáng)比較單元比較所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)是否大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)； 所述溫度調(diào)節(jié)模塊調(diào)節(jié)所述待曝光基板上對應(yīng)的所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度的步驟具體包括: 當(dāng)所述光強(qiáng)比較單元比較出所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)大于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則與所述調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的所述溫度調(diào)節(jié)模塊將所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)低； 當(dāng)所述光強(qiáng)比較單元比較出所述調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)小于預(yù)設(shè)光強(qiáng)，則與所述調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的所述溫度調(diào)節(jié)模塊將所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度調(diào)高； 當(dāng)所述光強(qiáng)比較單元比較出某一調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)等于預(yù)設(shè)光強(qiáng)時，與調(diào)節(jié)區(qū)域相對應(yīng)的所述溫度調(diào)節(jié)模塊維持所述調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度不變。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種曝光裝置和曝光方法，該曝光裝置包括：承載基臺，其中承載基臺用于承載待曝光基板，承載基臺包括：若干個承載單元，待曝光基板被劃分為與承載單元一一對應(yīng)的若干個調(diào)節(jié)區(qū)域，承載單元中設(shè)置有溫度調(diào)節(jié)模塊，溫度調(diào)節(jié)模塊用于調(diào)節(jié)待曝光基板上對應(yīng)的調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度，以使待曝光基板上對應(yīng)的調(diào)節(jié)區(qū)域產(chǎn)生相應(yīng)的熱膨脹。本發(fā)明的技術(shù)方案通過調(diào)節(jié)待曝光基板上各調(diào)節(jié)區(qū)域的溫度，以使得待曝光基板上各調(diào)節(jié)區(qū)域產(chǎn)生相應(yīng)的熱膨脹，從而對各調(diào)節(jié)區(qū)域的上表面的光強(qiáng)進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而能有效的保證待曝光基板的上表面的光強(qiáng)的均勻分布。
【IPC分類】G03F7-20
【公開號】CN104614951
【申請?zhí)枴緾N201510097055
【發(fā)明人】朱鳳稚
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請日】2015年3月4日