曝光裝置和曝光方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種曝光裝置和曝光方法。
【背景技術】
[0002]在顯示面板的制備過程中，光刻工藝是一項十分重要的工藝。目前的光刻工藝通常包括:涂敷光刻膠、前烘、曝光、顯影以及后烘。其中，涂敷光刻膠是在前工序成膜后的基板上涂敷光刻膠；前烘是預熱光刻膠，以及去除光刻膠的水分，增加光刻膠與基板之間的附著力；曝光是采用曝光光線通過掩膜板照射在光刻膠上，將光刻膠感光；顯影是通過顯影液將感光部分的光刻膠去除掉，從而形成所需要的圖案；后烘是將圖案中未感光的光刻膠固化，同時增加與基板之間的附著力。
[0003]其中，在進行曝光時需要使用到曝光裝置。現有的曝光裝置一般包括:光源和承載基臺，其中光源用于提供平行的曝光光線，承載基臺用于承載待曝光基板，平行的曝光光線通過與待曝光基板相匹配的掩模板后均勻照射至待曝光基板，并在待曝光基板上形成與掩模板一致的圖形。然而，在實際曝光過程中，由于環境等因素的干擾，使得到達至待曝光基板的上表面的光強不是均勻的。
[0004]為解決上述技術問題，現有技術中往往采用如下兩種方案。其一，調整掩模板局部的彎曲度；其二，在曝光光線的光路中增光路調整單元。
[0005]然而，當對掩模板局部的彎曲度進行調整時，由于要對掩模板進行精細的調整，因此調整過程十分復雜和緩慢；當在曝光光線的光路中增光路調整單元時，會造成曝光裝置的復雜度以及成本的上升。
【發明內容】
[0006]本發明提供一種曝光裝置和曝光方法，可有效的保證到達至待曝光基板的上表面的光強是均勻。
[0007]為實現上述目的，本發明提供了一種曝光裝置，包括:承載基臺，所述承載基臺用于承載待曝光基板，所述承載基臺包括:若干個承載單元，所述待曝光基板被劃分為與所述承載單元一一對應的若干個調節區域，所述承載單元中設置有溫度調節模塊，所述溫度調節模塊用于調節所述待曝光基板上對應的所述調節區域的溫度，以使所述待曝光基板上對應的所述調節區域產生相應的熱膨脹。
[0008]可選地，所述承載單元的數量為16個，全部所述承載單元呈4X4矩陣排布。
[0009]可選地，還包括:光強檢測單元，所述光強檢測單元用于檢測所述待曝光基板中各所述調節區域的上表面的光強。
[0010]可選地，還包括:光強比較單元，所述光強比較單元用于比較所述調節區域的上表面的光強是否大于預設光強；
[0011]若比較出所述調節區域的上表面的光強大于預設光強，則與所述調節區域相對應的所述溫度調節模塊將所述調節區域的溫度調低；
[0012]若比較出所述調節區域的上表面的光強小于預設光強，則與所述調節區域相對應的所述溫度調節模塊將所述調節區域的溫度調高；
[0013]若比較出所述調節區域的上表面的光強等于預設光強時，則所述溫度調節模塊維持所述調節區域的溫度不變。
[0014]為實現上述目的，本發明還提供了一種曝光方法，所述曝光方法基于曝光裝置，所述曝光裝置包括:承載基臺，所述承載基臺用于承載待曝光基板，所述承載基臺包括:若干個承載單元，所述待曝光基板被劃分為與所述承載單元一一對應的若干個調節區域，所述承載單元中設置有溫度調節模塊；
[0015]所述曝光方法包括:
[0016]所述溫度調節模塊調節所述待曝光基板上對應的所述調節區域的溫度，以使所述待曝光基板上對應的所述調節區域產生相應的熱膨脹。
[0017]可選地，所述承載單元的數量為16個，全部所述承載單元呈4X4矩陣排布。
[0018]可選地，所述曝光裝置還包括:光強檢測單元；
[0019]所述溫度調節模塊調節所述待曝光基板上對應的所述調節區域的溫度的步驟之前還包括:
[0020]所述光強檢測單元檢測所述待曝光基板中各所述調節區域的上表面的光強。
[0021]可選地，所述曝光裝置還包括:光強比較單元；
[0022]所述光強檢測單元檢測所述待曝光基板中各所述調節區域的上表面的光強的步驟之后還包括:
[0023]光強比較單元比較所述調節區域的上表面的光強是否大于預設光強；
[0024]所述溫度調節模塊調節所述待曝光基板上對應的所述調節區域的溫度的步驟具體包括:
[0025]當所述光強比較單元比較出所述調節區域的上表面的光強大于預設光強，則與所述調節區域相對應的所述溫度調節模塊將所述調節區域的溫度調低；
[0026]當所述光強比較單元比較出所述調節區域的上表面的光強小于預設光強，則與所述調節區域相對應的所述溫度調節模塊將所述調節區域的溫度調高；
[0027]當所述光強比較單元比較出某一調節區域的上表面的光強等于預設光強時，與調節區域相對應的所述溫度調節模塊維持所述調節區域的溫度不變。
[0028]本發明具有以下有益效果:
[0029]本發明提供了一種曝光裝置和曝光方法，該曝光裝置包括:承載基臺，其中承載基臺用于承載待曝光基板，承載基臺包括:若干個承載單元，待曝光基板被劃分為與承載單元一一對應的若干個調節區域，承載單元中設置有溫度調節模塊，溫度調節模塊用于調節待曝光基板上對應的調節區域的溫度，以使待曝光基板上對應的調節區域產生相應的熱膨脹。本發明的技術方案通過調節待曝光基板上各調節區域的溫度，以使得待曝光基板上各調節區域產生相應的熱膨脹，從而對各調節區域的上表面的光強進行調節，從而能有效的保證待曝光基板的上表面的光強的均勻分布。
【附圖說明】
[0030]圖1為本發明實施例一提供的曝光裝置的結構示意圖；
[0031]圖2為圖1中曝光基臺的俯視圖；
[0032]圖3為本發明實施例二提供的曝光方法的流程圖；
[0033]圖4為本發明實施例三提供的曝光方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0034]為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對本發明提供的曝光裝置和曝光方法進行詳細描述。
[0035]圖1為本發明實施例一提供的曝光裝置的結構示意圖，圖2為圖1中曝光基臺的俯視圖，如圖1和圖2所示，該曝光裝置包括:光源4和承載基臺1，其中，光源4用于提供平行的曝光光線，承載基臺I用于承載待曝光基板2，承載基臺I包括:若干個承載單元7，待曝光基板2被劃分為與承載單元7 —一對應的若干個調節區域3，承載單元7中設置有溫度調節模塊8，溫度調節模塊8用于調節待曝光基板2上對應的調節區域3的溫度，以使待曝光基板2上對應的調節區域3產生相應的熱膨脹。
[0036]下面將以承載基臺I包括16個承載單元7，且全部16個承載單元7呈4X4矩陣排布的情況為例，對本發明的發明原理進行詳細說明。
[0037]假定到達至待曝光基板2的左上角的調節區域3中的光強較弱(小于預設光強)時，可調節與該左上角的調節區域3相對應的承載單元7 (位于承載基臺的左上角的承載單元)內的溫度調節模塊8，以使得待曝光基板2上該左上角的調節區域3的溫度上升，此時待曝光基板2上該左上角的調節區域3的熱膨脹的形變量變大，該左上角的調節區域3與光源4的之間的距離縮小，此時到達至該調節區域3的光強變強。
[0038]假定到達至待曝光基板2上左下角的調節區域3中的光強較強(大于預設光強)時，可調節與該左下角調節區域3相對應的承載單元7 (位于承載基臺的左下角的承載單元)內的溫度調節模塊8，以使得待曝光基板2上該左下角的調節區域3的溫度下降，此時待曝光基板2上該左下角的調節區域3的熱膨脹的形變量變小，該左下角的調節區域3與光源4的之間的距離增大，因此到達至該調節區域3的光強變弱。
[0039]通過上述調節過程，可使得待曝光基板2上各個調節區域3中的光強均相同，即到達至待曝光基板2的上表面的光強是均勻的。
[0040]作為一種可選的實施方案，該溫度調節模塊8具體可以為循環水管道，通過控制循環水管道內的水溫，從而可對曝光基板上對應的調節區域3的溫度進行控制。當然，本實施例中的溫度調節模塊8還可以為其他具有溫度調節功能的結構。
[0041]可選地，該曝光裝置還包括:光強檢測單元5，光強檢測單元5用于檢測待曝光基板2中各調節區域3的上表面的光強。通過該光強檢測單元5可實現對待曝光基板2中各調節區域3的上表面的光強進行自動檢測，以為各調節區域3下方對應的溫度調節模塊8的調節提供參考。
[0042]進一步地，該曝光裝置還包括:光強比較單元6，光強比較單元6與各溫度調節模塊8連接，光強比較單元6用于比較調節區域3的上表面的光強是否大于預設光強，若比較出調節區域3的上表面的光強大于預設光強，則與調節區域3相對應的溫度調節模塊8將調節區域3的溫度調低；若比較出調節區域3的上表面的光強