光掩模相關基板所使用的基板清洗裝置以及基板清洗方法與流程

本發明涉及一種對光掩模相關基板進行清洗處理的基板清洗裝置以及基板清洗方法。
背景技術：
：以往，作為對光掩模相關基板進行清洗的裝置，已知有回旋方式的基板清洗裝置。這種基板清洗裝置可以通過保持構件將基板設置在保持臺上，并且使保持的基板旋轉，并向其旋轉中心供給所需要的液體，來對基板進行清洗。對基板進行清洗后，利用使保持臺以高速旋轉而產生的離心力對基板進行回旋干燥。回旋干燥后，使保持臺的旋轉停止，從保持臺搬出基板。一般來說，使基板旋轉以獲得離心力時，圓形基板穩定，但半導體基板、液晶顯示面板用玻璃基板、半導體制造裝置用掩模基板等方形固體基板(以下稱作方形基板)不穩定。因此，當方形基板又薄又輕時，考慮以靜電卡盤吸附背面等，通過在背面進行保持的機構加以保持來進行清洗的方法，以確實保持住方形基板。但是，特別是當方形基板為光掩模用基板等時，不能吸附背面。此時，由于方形基板可以利用保持構件來支持端面，因此主要通過保持方形基板的端面來使方形基板旋轉。一般來說，利用旋轉的基板的離心力，并向其旋轉中心部分供給液體，于是供給的液體以放射狀擴散，由此使此液體遍布固體基板(以下只稱作基板)上，在這種基板清洗方法中，想方法使顆粒不附著在基板上(專利文獻1～4)。例如，在專利文獻1中，公開有一種具有超純水噴出噴嘴待機室的基板的清洗裝置，所述超純水噴出噴嘴待機室用于在利用超純水清洗基板前后的待機過程中使超純水噴出噴嘴待機，并且與基板清洗室之間以隔板相隔。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2011-043584號公報；專利文獻2：日本特開2008-130728號公報；專利文獻3：日本特開2009-021448號公報；專利文獻4：日本特開2010-091774號公報。技術實現要素：此處，異物(液體飛濺到周圍形成霧的狀態和環境中的顆粒等的總稱)附著在基板上的原因多種多樣。一般認為例如由于基板的表面以高速進行旋轉，而與環境(空氣)產生摩擦并帶電。帶電的表面會吸引漂浮在周圍的異物，被吸引的異物會附著在基板上、或異物混入到滴至基板上的液體中、或者引起靜電破壞。在光掩模胚的制造中，成膜前的清洗中的這種異物在成膜步驟中會成為各無機材料功能性膜中的異物。另外，在成膜后的清洗中會成為光掩模胚表面的異物，在抗蝕劑涂布步驟中會成為涂布的抗蝕劑中的異物。其結果為，這些異物會成為光掩模胚的致命缺陷的可能性變高。另外，靜電破壞會破壞產生靜電破壞的位置，成為缺陷。因此，對于優選為無缺陷的光掩模胚等而言，在對該基板進行清洗時，特別希望防止異物附著和產生靜電破壞的帶電。另外，只要供給的液體的電阻值較低即可，但多數情況下，供給的液體的電阻值較高(例如超純水)，考慮含有氣體或添加雜質以降低這種液體的電阻值，但氣體和雜質會形成顆粒，因此不優選。本發明是鑒于上述問題而完成，目的在于，提供一種光掩模相關基板所使用的基板清洗裝置及基板清洗方法，所述基板清洗裝置在進行清洗處理時，可以防止異物附著在基板上。為了實現上述目的，本發明提供一種光掩模相關基板所使用的基板清洗裝置，具備：保持構件，其只保持基板的端面；旋轉機構，其使該保持構件旋轉；以及，噴嘴，其向所述基板的至少表面側供給液體，所述基板通過該旋轉機構而與所述保持構件一起旋轉；所述基板清洗裝置的特征在于，至少一個所述保持構件的表面具有導電性，該具有導電性的保持構件接地。如果是這種基板清洗裝置，在進行基板清洗時，可以有效防止基板帶電，防止異物附著在基板上。另外，優選為，將所述液體供給到所述基板的旋轉中心部分。如果是這種基板清洗裝置，可以向基板的整個面供給液體。另外，所述基板的旋轉速度也可以是30rpm以上且1500rpm以下。如此一來，即便當基板以高速旋轉時，如果是本發明的基板清洗裝置，也可以防止異物附著在基板上。另外，優選為，所述基板為方形基板。本發明的基板清洗裝置可以特別適用于清洗方形基板。此時，優選為，所述保持構件只保持所述方形基板的角部。如果是這種基板清洗裝置，在供給的液體因離心力而擴散時，由于只在基板旋轉的最外周端存在保持構件，因此即便供給的液體接觸到保持構件，散布的異物再附著在基板上的可能性很小。另外，從所述噴嘴供給的液體為清洗液，也可以通過該清洗液對所述基板進行清洗。如此一來，本發明可以特別適用于對基板進行清洗處理。另外，所述基板也可以是非導體。另外，所述基板也可以是玻璃基板。作為玻璃基板，優選為石英玻璃。如此一來，即便基板是容易帶電的非導體(例如玻璃基板)，如果是本發明的基板清洗裝置，也可以防止異物附著在基板上。另外，所述液體也可以是非導體。如此一來，即便液體是容易帶電的非導體(例如超純水)，如果是本發明的基板清洗裝置，也可以防止異物附著在基板上或發生靜電破壞。進一步，本發明提供一種光掩模相關基板所使用的基板清洗方法，其利用保持構件只保持基板的端面，通過使該保持構件旋轉來使所述基板旋轉，并向所述基板的至少表面側供給液體，使該液體遍布于所述基板上以清洗所述基板，所述基板清洗方法的特征在于，將至少一個所述保持構件的表面設為具有導電性，并將該具有導電性的保持構件接地。如果是這種基板清洗方法，進行清洗時，可以有效防止基板帶電，防止異物附著在基板上。另外，優選為，將所述液體供給到所述基板的旋轉中心部分。如果是這種基板清洗方法，可以向基板的整個面供給液體。另外，可以將所述基板的旋轉速度設為30rpm以上且1500rpm以下。如此一來，即便當基板以高速旋轉時，如果是本發明的基板清洗方法，也可以防止異物附著在基板上。另外，即便所述基板是方形基板，也可以獲得良好的結果。本發明的基板清洗方法可以特別適用于對方形基板進行清洗。此時，優選為，利用所述保持構件只保持所述方形基板的角部。另外，可以將所述液體設為清洗液，利用該清洗液對所述基板進行清洗。如此一來，本發明的基板清洗方法可以特別適用于對基板進行清洗處理。另外，可以將所述基板設為非導體。另外，可以將所述基板設為石英玻璃基板。作為玻璃基板，優選為石英玻璃。如此一來，即便基板是容易帶電的非導體(例如石英玻璃基板)，如果是本發明的基板清洗方法，也可以防止異物附著在基板上。另外，可以將所述液體設為非導體。如此一來，即便液體是容易帶電的非導體(例如超純水)，如果是本發明的基板清洗方法，也可以防止異物附著在基板上或發生靜電破壞。如果是本發明的基板清洗裝置及基板清洗方法，進行清洗處理時，可以防止基板帶電，并防止異物附著在基板上。附圖說明圖1是表示本發明的基板清洗裝置的一個實例的概略圖。圖2是表示本發明的基板清洗裝置的一個實例的俯視圖。圖3是表示本發明的基板清洗裝置的另一個實例的俯視圖。圖4是表示利用保持構件來保持正方形基板的各邊的中心附近時的圖。圖5是表示利用多個保持構件來保持正方形基板的各邊的中心附近時的圖。圖6是表示利用保持構件來保持長方形基板的各邊的中心附近時的圖。圖7是表示利用保持構件來保持正方形基板的四角時的圖。圖8是表示利用保持構件來保持長方形基板的四角時的圖。圖9是表示利用保持構件來保持長方形基板的各邊的中心附近并使基板旋轉時的圖。圖10是表示利用保持構件來保持長方形基板的四角并使基板旋轉時的圖。圖11是表示與基板的側面充分接觸的保持構件的圖。圖12是表示相對于基板的側面有翹起的保持構件的圖。圖13是表示本發明的基板清洗方法的順序的一個實例的流程圖。圖14是表示實施例1中的保持構件的配置的圖。圖15是表示比較例1中的保持構件的配置的圖。圖16是進行實施例1后的缺陷的掃描電子顯微鏡(scanelectronmicroscope，sem)圖像。圖17是進行比較例1后的缺陷的sem圖像。圖18是進行實施例1后的缺陷的原子力顯微鏡(atomicforcemicroscope，afm)圖像。圖19是進行比較例1后的缺陷的afm圖像。圖20是表示圖18的直線的剖面中的缺陷的深度的圖表。圖21是表示圖19的直線的剖面中的缺陷的深度的圖表。其中，附圖標記說明如下：10基板；11保持構件；12旋轉機構；13噴嘴；14旋轉軸；15支持部；22具有導電性的保持構件；23不具有導電性的保持構件；100基板清洗裝置。具體實施方式以下，更詳細地說明本發明。如上所述，需要一種光掩模相關基板所使用的基板清洗裝置以及基板清洗方法，所述基板清洗裝置在進行清洗處理時，可以防止異物附著在基板上。本發明人為了實現上述目的而進行潛心研究。其結果發現，一種光掩模相關基板所使用的基板清洗裝置及一種光掩模相關基板所使用的基板清洗方法，可以防止進行旋轉的基板的表面帶電，并可以防止異物附著在基板上，所述基板清洗裝置向基板供給液體時，保持進行旋轉的基板的端面的至少一個保持構件的表面具有導電性，該具有導電性的保持構件接地；所述基板清洗方法是將至少一個保持構件的表面設為具有導電性，并將該具有導電性的保持構件接地，從而完成本發明。以下，參照附圖對本發明的實施方式具體地進行說明，但本發明并不限定于這些實施方式。[基板清洗裝置]首先，對本發明的基板清洗裝置進行說明。圖1是表示本發明的基板清洗裝置的一個實例的概略圖。另外，圖2是表示本發明的基板清洗裝置的一個實例的俯視圖。如圖1和圖2所示，本發明的基板清洗裝置100具備：保持構件11，其只保持基板10的端面；旋轉機構12，其使保持構件11旋轉；噴嘴13，其向基板10的至少表面側供給液體，所述基板10通過旋轉機構12而與保持構件11一起旋轉。本發明的基板清洗裝置100的至少一個保持構件11的表面具有導電性，該具有導電性的保持構件接地。而且，圖3是表示本發明的基板清洗裝置的另一個實例的俯視圖，也可以如圖3所示般配置保持構件11。由此，可以利用保持構件11來保持正方形的基板的四角。本發明的基板清洗裝置用于對光掩模相關基板進行清洗。此處，進行保持的基板的形狀并無特別限定，可以列舉例如圓形基板、方形基板等。此處所說的光掩模相關基板包含：光掩模用基板；光掩模胚，其通過在此光掩模用基板上形成1層以上的無機膜來獲得；光掩模(半導體制造裝置用掩模基板)，其對此光掩模胚進行加工而成；以及，制造光掩模胚的中間步驟的光掩模胚制造中間體，所述光掩模胚是將多個無機膜成膜而成；并且包含有利用此光掩模胚進行加工中途的帶抗蝕劑光掩模胚等光掩模制造中間體。對光掩模用基板具體地進行敘述，可以列舉石英玻璃、氟化鈣等對各種曝光的光的波長具有透光性的基板(透明基板)。如此一來，本發明中進行保持的基板也可以是容易帶電的玻璃基板等非導體。作為玻璃基板，優選為石英玻璃。如果是本發明的基板清洗裝置，即便是這種基板的清洗，也可以有效防止靜電釋放而附著異物。其中，由方形基板、特別是石英基板(玻璃基板)構成的光掩模、光掩模胚或者它們的中間步驟的基板又厚又重，優選為，基板為絕緣物，而且無缺陷，因此特別理想使用本發明的基板清洗裝置進行處置，以防止帶電，并防止異物附著在基板上而由此形成缺陷。保持構件的形狀并無特別限定，可以列舉例如圓柱形狀和板狀形狀。保持構件的材料并無特別限定，可以列舉例如金屬、樹脂等。作為樹脂的具體例，可以列舉：聚醚醚酮樹脂((polyetheretherketone，peek)樹脂)、聚苯硫醚樹脂((polyphenylenesulfide，pps)樹脂)等。如果是包含這種樹脂的保持構件，可以防止端面發生損傷，并能獲得良好的清潔度和加工精度。作為金屬的具體例，可以列舉鋁、不銹鋼材料等。如果是包含這種金屬的保持構件，不需要另外賦予導電性。當保持構件的材料中使用樹脂時，優選為含有碳粒子、金屬粒子等導電性填料以對保持構件賦予導電性。另外，也優選為利用金屬膜和導電性樹脂等涂布表面。保持構件的根數并無特別限定，如圖1～3所示，例如，可以設為4～8根。此處，在本發明中，只要用以保持基板的所有保持構件中的一個以上是具有導電性的保持構件即可。例如，當利用8根保持構件來保持基板時，即便7根是不具有導電性的保持構件，只要剩余的1根是具有導電性的保持構件即可。此時，需要剩余的1根接地。2根以上、更優選為所有保持構件是具有導電性的保持構件，以充分防止帶電。此時，即便基板的尺寸公差和通過機械控制而設置的基板位置不同，基板的端面也能接觸任一個賦予導電性的保持構件，能夠更確實地在清洗基板時消除靜電。具有導電性的保持構件可以設為例如通過連接配線(未圖示)來接地的保持構件。設置保持構件的位置并無特別限定。只要對應進行清洗的基板的形狀來變更設置的位置即可。以下，對保持方形基板的情況進行說明。當通過端面來保持方形基板時，理想為先推算出基板的重心，并按照方形基板以此重心為中心進行旋轉的方式來設置保持構件。另外，由于只要在與基板的各邊正相反的位置設置保持構件，保持會穩定，因此理想。另外，當能夠充分地實現保持時，可以省略這些保持構件的一部分位置。另外，當保持不穩定時，理想為，除了這些正相反地配置的保持構件以外，適當地設置輔助保持構件，以防止方形基板從保持構件脫落、脫離。作為保持構件的配置的一個實例，關于接近正方形的方形基板，可以列舉利用保持構件來保持角形基板的各邊的中心部分(中心附近)的配置(參照圖4和圖5)。當方形基板為長方形且旋轉時變不穩定時，優選為通過多個保持構件來保持各邊的配置(參照圖6)。另外，作為另一方式，可以列舉利用保持構件只保持方形基板的角部(當為四角形基板時，只保持四角)的配置(參照圖7和圖8)。特別是當基板的形狀為長方形時，優選為如此地保持基板的四角附近的配置(參照圖8)。當為正多邊形基板時，作為保持構件的配置的例子，可以列舉：保持各邊的中心附近的配置和只保持基板的角部的配置；但即便為正多邊形時，也優選為只保持基板的角部的配置。另外，只保持四角(當為多邊形基板時，保持角部)的配置，由于在基板的對角線的延長線上配置保持構件，因此供給的液體因離心力而擴散時，只在基板旋轉的最外周端存在保持構件，所以即便供給的液體接觸保持構件，散布的異物再附著在基板上的可能性也很小(參照圖10)。另一方面，如果保持邊的中心部，雖然具有由旋轉中心與邊的中心構成的半徑的圓的內周部難以附著異物，但供給的液體會接觸用以保持基板的長邊的保持構件，異物也會散布到基板的外周部，因此外周部附著有異物的可能性變高(參照圖9)。在保持基板的端面的回旋方式的基板清洗裝置中，旋轉機構12可以設為以往所使用的機構，對于其形狀等，并無特別限定。如圖2和圖3所示，可以設為具有旋轉軸14和用以支持保持構件的支持部15。旋轉機構的旋轉速度并無特別限定。優選為例如，通過旋轉機構12而與保持構件11一起旋轉的基板10的旋轉速度為30rpm以上且1500rpm以下。如此一來，即便當基板以高速旋轉時，如果是本發明的基板清洗裝置，也可以防止異物附著在基板上。噴嘴13只要是以往在回旋方式的基板清洗裝置中所使用的噴嘴即可，對于其形狀等，并無特別限定。噴嘴13只要向基板10的至少表面側供給液體即可。優選為噴嘴13向基板10的旋轉中心部分供給液體。如果是這種基板清洗裝置，可以向基板的整個面供給液體。此時，也可以另外設置向基板10的外周部供給液體的噴嘴。另外，也可以另外設置向基板10的背面供給液體的噴嘴，或者另外設置進一步向側面等供給的噴嘴。通過設置向背面供給的噴嘴，可以同時對背面進行清洗。關于從噴嘴供給的液體，當清洗是在制造光掩模胚的步驟中進行時，可以列舉：超純水、功能水(脫氣水、氫氣水等)、使用藥品的液體等。如此一來，當從噴嘴供給的液體為清洗液時，可以利用該清洗液對基板進行清洗。如上所述，在本發明中，從噴嘴供給的液體也可以是容易帶電的非導體(例如超純水)。如果是本發明的基板清洗裝置，即便當向基板上供給這種液體時，也可以防止異物附著在基板上或發生靜電破壞。而且，本發明的基板清洗裝置也可以與以往所使用的電離器和可以對液體賦予導電性的裝置等并用。[基板清洗方法]接著，對本發明的基板清洗方法進行說明。本發明的基板清洗方法是一種光掩模相關基板所使用的基板清洗方法，其利用保持構件11只保持基板10的端面，通過使保持構件11旋轉來使基板10旋轉，并向基板10的至少表面側供給液體，使該液體遍布在基板10上以對基板10進行清洗，所述光掩模相關基板所使用的基板清洗方法，將至少一個保持構件11的表面設為具有導電性，并將該具有導電性的保持構件接地。將本發明的基板清洗方法的實施順序的一個實例制成流程圖且示于圖13。首先，如圖13的(1)所示，利用保持構件11只保持基板10的端面。此時，關于進行保持的基板的種類和形狀、保持構件的材料和配置等，可以設為與上述基板清洗裝置的項目中記載的相同。在本發明中，理想為，具有導電性的保持構件與基板充分接觸。基本上，各保持構件理想為確實地保持方形基板等基板的各端面的保持構件。但是，實際上，由于設置保持構件時的精度的問題和重復進行基板清洗，因此有時保持構件的形狀會緩慢地發生變形或是保持機構自身發生變形，而有各保持構件的保持力顯現出變化的情況。有例如充分保持基板的端面(側面)的保持構件(參照圖11)，另一方面，有時存在稍微有“翹起”的保持構件(參照圖12)。此時，對保持構件的抵接位置賦予導電性(將抵接位置設為具有導電性的位置)，通過將此導電性賦予位置接地，可以去除由于各種原因帶電的基板的帶電，所述保持構件充分保持至少基板的端面。當充分地進行保持的保持構件因重復進行基板清洗而發生變形或者位置精度不準確時，通過對所有保持構件的與基板抵接的位置或預料進行抵接的位置賦予導電性，并將這些賦予導電性的位置接地，以在對于旋轉而言安全的范圍內使用保持構件，可以長期穩定地防止基板帶電。另外，當具有導電性的保持構件發生變形時，通過將發生變形的具有導電性的保持構件更換為新的具有導電性的保持構件，也可以有效地防止基板表面帶電。如上所述，當保持構件中有充分接觸基板的端面的位置和稍微翹起的位置時，通過將充分保持基板端面的保持構件(的位置)設為具有導電性，并將保持構件(的位置)接地，可以有效地防止基板表面帶電。接著，如圖13的(2)所示，通過使保持構件11旋轉來使基板10旋轉。基板的旋轉速度可以設為與上述基板清洗裝置的項目中記載的相同。而且，當對基板進行清洗時，清洗時的基板的旋轉速度可以設為30rpm以上且100rpm以下。接著，如圖13的(3)所示，向基板10的至少表面側供給液體，使該液體遍布基板10上。液體的供給方法等可以設為與上述基板清洗裝置的項目中記載的相同。此時，供給的液體的溫度可以設為常溫25℃，液體的供給時間可以設為90～120sec，但并不限定于此。接著，如圖13的(4)所示，可以使基板10干燥。例如，當利用清洗液對基板進行清洗時，優選為通過回旋干燥使基板干燥。此回旋干燥時的基板的旋轉速度可以設為1500rpm左右。[實施例]以下，示出實施例和比較例更具體地說明本發明，但本發明并不限定于下述實施例。(實施例1)使用本發明的基板清洗裝置，對邊長6英寸的正方形(152mm×152mm)、厚度0.25英寸(6.35mm)的光掩模胚的表面和背面進行清洗。保持構件，如圖14所示，只在基板的角部配置共8根，并將其中的1根設為具有導電性的保持構件22。作為具有導電性的保持構件，使用添加碳的導電性pps(聚苯硫醚)。將具有導電性的保持構件接地。作為剩余7根保持構件，直接使用pps。也就是，使用不具有導電性的保持構件23。作為清洗液，使用脫氣水(去離子水(de-ionizedwater，diw))和添加氨的氫氣水(h2水)。清洗液的溫度設為常溫25℃，供給時間設為90～120sec(最大供給時間120秒)。基板的旋轉速度設為30～100rpm(最大轉數100rpm)。以下示出具體的清洗步驟的順序。1.背面diw2.背面diw/表面添加h2水3.背面diw/表面添加h2水+超聲波(megasonic，ms)4.背面diw/表面添加h2水+ms/diw5.背面diw/表面diw結束上述清洗后，進行基板的回旋干燥。此時，基板的旋轉速度設為1500rpm。(比較例1)除了不使用具有導電性的保持構件(參照圖15)以外，在與實施例1相同的條件下對光掩模胚的表面和背面進行清洗。圖16為進行實施例1后的缺陷的sem(掃描電子顯微鏡)圖像，圖17為進行比較例1后的缺陷的sem圖像。另外，圖18為進行實施例1后的缺陷的afm(原子力顯微鏡)圖像，圖19為進行比較例1后的缺陷的afm圖像。圖20為表示圖18的直線的剖面中的缺陷的深度的圖表，圖21為表示圖19的直線的剖面中的缺陷的深度的圖表。而且，在圖18和圖19中，以顏色的濃淡表示缺陷深度，在各圖像的右側示出此顏色的深度的數值(單位：nm)。另外，圖20和圖21中的縱軸為高度(單位：nm)，橫軸為缺陷的位置(單位：μm)。另外，圖18中的以三角形表示的位置與圖20中的以三角形表示的位置對應，圖19中的以三角形表示的位置與圖21中的以三角形表示的位置對應。如圖16、圖18以及圖20所示，在實施例1中，雖然在光掩模胚的表面能觀察到缺陷(膜的剝離)，但其尺寸很小。另一方面，如圖17、圖19以及圖21所示，在比較例1中，在光掩模胚的表面能觀察到很大的缺陷(膜的剝離)。在實施例1中，由于使用具有導電性保持構件，因此可以有效地防止帶電，其結果為，一般認為可以降低由靜電破壞導致的基板的破壞。另外，表1示出在實施例1的條件下清洗過的30片基板的缺陷的合計數和在比較例1的條件下清洗過的30片基板的缺陷的合計數。[表1]缺陷的數量實施例163比較例1266(樣本數量30個的合計)如表1所示，在實施例1中，對30片基板進行清洗時的缺陷的合計數很少，為63處。另一方面，如表1所示，在比較例1中，對30片基板進行清洗時的缺陷的合計數產生很多，為266處。(實施例2)使用本發明的基板清洗裝置對邊長6英寸的正方形(152mm×152mm)、厚度0.25英寸(6.35mm)的光掩模胚的表面和背面進行清洗。保持構件，如圖14所示，只在基板的角部配置共8根，并將其中1根設為具有導電性的保持構件22。作為具有導電性的保持構件，使用添加碳的導電性pps(聚苯硫醚)。具有導電性的保持構件設為接地的保持構件。作為剩余7根保持構件，直接使用pps。也就是，使用不具有導電性的保持構件23。作為清洗液，使用脫氣水(diw)和氫氣水(h2水)。清洗液的溫度設為常溫25℃，供給時間設為90～120sec(最大供給時間120秒)。供給清洗液時的基板的旋轉速度設為30rpm。以下示出具體的清洗步驟的順序。1.背面diw2.背面diw/表面添加h2水3.背面diw/表面添加h2水+ms(超聲波)4.背面diw/表面添加h2水+ms/diw5.背面diw/表面diw結束上述清洗后，進行基板的回旋干燥。此時，基板的旋轉速度設為1500rpm。利用數字靜電測定器(model2050)hugle股份有限公司(hugleelectronicsinc.)對此清洗中的上述3步驟中的帶電壓(v)進行測定。測定位置為基板中心。(實施例3)使用本發明的基板清洗裝置對邊長6英寸的正方形(152mm×152mm)、厚度0.25英寸(6.35mm)的光掩模胚的表面和背面進行清洗。保持構件，如圖14所示，只在基板的角部配置共8根，并將此所有保持構件設為具有導電性的保持構件22。作為具有導電性的保持構件，使用添加碳的導電性pps(聚苯硫醚)。具有導電性的保持構件設為能接地的保持構件，關于其他條件，在與實施例2相同的條件下對光掩模胚的表面和背面進行清洗，與上述實施例2相同地測定帶電壓(v)。(比較例2)除了不使用具有導電性的保持構件以外，在與實施例2相同的條件下對光掩模胚的表面和背面進行清洗。表2中示出實施例2、實施例3以及比較例2中測定的帶電壓(v)。[表2]帶電壓(v)實施例21300實施例310比較例22300如表2所示，可知在實施例2中，帶電壓(v)小于比較例2，能抑制基板表面帶電。根據這些情況可知，實施例2較比較例2更能抑制基板帶電，結果難以產生由基板帶電引起的異物附著和靜電破壞。而且，可知在實施例3中，帶電壓(v)進一步小于比較例2，很能抑制基板表面帶電。從這些情況可知，實施例3較比較例2更能抑制基板帶電，結果難以顯著產生由基板帶電引起的異物附著和靜電破壞。另外，本發明并不限定于上述實施方式。上述實施方式為示例，具有與本發明的權利要求書所述的技術思想實質相同的結構并發揮相同作用效果的技術方案，均包含在本發明的技術范圍內。當前第1頁12