用于qled的像素限定結構、像素單元及顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種用于QLED的像素限定結構、包括其的QLED的像素單元及QLED顯示面板。
【背景技術】
[0002]量子點(QuantumDots)又稱半導體納米晶體，受到光或電的刺激，能發出有色光線，光線的顏色由量子點的組成和大小形狀決定。另外由于它的發光波長范圍極窄，顏色非常純粹，現在已經被用于量子點電視的背光光源。
[0003]量子點發光器件(QLED，Quantum Dot light Emitting Device)是近些年顯示領域的重要突破，它和OLED—樣都是采用電致發光原理進行發光。傳統的OLED制備方法中有機發光層采用蒸鍍法制備，成本昂貴。目前OLED也有溶液制備法的研究，但是目前仍處于研究階段，離應用還有一段距離。《Nature》上題目為“Solut1n-processed, hi gh-performance light-emitting d1des based on quantum dots，，的文章公開了一種QLED的溶液制備法。QLED的功能層一般包括電子注入層，電子傳輸層，發光層，空穴傳輸層，空穴注入層，要實現QLED的發光還需要陽極和陰極。陰極通常用銀材料，陽極通常用ΙΤ0。溶液制備法的優勢在于不需要成本高昂的設備，且為QLED顯示面板的噴墨打印工藝提供了很好的基礎。
[0004]各個QLED器件制作在每一像素單元中由像素界定層(PDL)界定的發光區域內。在利用噴墨打印技術制備QLED器件時，各功能層材料由于包括溶劑因此均呈液態，各液態功能層材料分別包括作為電子注入/傳輸層的氧化鋅材料、作為發光層的量子點材料、作為空穴注入層的聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸鹽(PED0T:PSS)以及作為空穴傳輸層的聚乙烯咔唑(PVK)材料，PDL有利于將噴墨打印噴出的液態功能層材料限定在發光區域中，打印后液態功能層材料中的溶劑揮發后成為干燥的各個功能層。
[0005]公開號為CN104393192A和CN103413819A的專利申請披露了一種應用于OLED的I3DL結構，包括親水絕緣層和疏水絕緣層疊加，利用疏水絕緣層與親水的液態有機發光材料之間的排斥性，使滴落在疏水絕緣層上的液態有機發光材料流入發光區域內，并且進一步利用親水絕緣層與親水的液態有機發光材料之間的親和性使液態材料在發光區域內均勻分散，形成平整的發光層。但是現有技術中揭露的絕緣層形狀并非適用于QLED，因為QLED中的發光材料是量子點，是無機材料，而OLED是有機材料，兩者的溶劑都是有機溶劑，但溶質和溶劑的結合力是不同的，即有機溶劑揮發對于量子點溶質和有機發光物質溶質成膜的影響是不同的。而有機溶劑的揮發會影響各功能材料的分散性，各功能材料分散均勻才能使像素發光均勻，且能夠避免像素內陽極與陰極因液滴不均勻導致邊緣產生易短路情形。
【發明內容】
[0006]本發明的主要目的在于提供一種用于QLED的像素限定結構、包括其的QLED像素單元及QLED顯示面板，以解決現有技術中的像素限定結構不能使各液態功能層材料在發光區域的均勻分散的問題。
[0007]為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種用于QLED的像素限定結構，設置在基板上，該像素限定結構包括多層疊置的絕緣層和設置在絕緣層中的發光區域，相鄰絕緣層的親水-疏水性能相反，絕緣層中位于基板上的絕緣層為第一絕緣層，位于第一絕緣層中的發光區域為第一發光區域;與第一絕緣層相鄰的絕緣層為第二絕緣層，位于第二絕緣層中的發光區域為第二發光區域，第一發光區域和第二發光區域的位于同一側的側壁不在同一平面上，且第一發光區域的最大寬度小于或等于第二發光區域的最小寬度。
[0008]進一步地，上述第一發光區域的垂直于第一絕緣層的截面為倒梯形。
[0009]進一步地，上述倒梯形的底角大于或等于150°。
[0010]進一步地，上述第一發光區域的側壁為向第一絕緣層凸起的弧面。
[0011]進一步地，上述弧面的切面與第一絕緣層的最大夾角小于或等于30°。
[0012]進一步地，上述第二發光區域的側壁垂直于第一絕緣層。
[0013]進一步地，上述第二發光區域的側壁為向第二絕緣層凹陷的弧面。
[0014]進一步地，上述絕緣層的層數至少為三層，且相鄰絕緣層的同一側的側壁不在同一平面內。
[0015]根據本發明的另一方面，提供了一種量子點發光器件的像素單元，包括:基板;像素限定結構，設置在基板上且具有絕緣層和發光區域;多個陽極，設置在基板對應發光區域的位置;發光功能層，設置在陽極上；陰極，設置在發光功能層上，像素限定結構為上述的像素限定結構，陽極與像素限定結構的第一絕緣層的親水-疏水性能相同。
[0016]進一步地，上述發光功能層包括依次遠離陽極層疊設置的可選的第一注入層、可選的第一傳輸層、量子點發光層、可選的第二傳輸層以及可選的第二注入層，第一注入層與第二注入層不同且選自電子注入層和空穴注入層中的一種，第一傳輸層和第二傳輸層不同且選自電子傳輸層和空穴傳輸層中的一種，上述各絕緣層與形成對應其的發光功能層的液態功能層材料的親水-疏水性能相同，且第一絕緣層與形成發光功能層中靠近基板的部分的液態功能層材料的親水-疏水性能相同。
[0017]進一步地，上述絕緣層與發光功能層的層數相同且一一對應設置。
[0018]根據本發明的另一方面，提供了一種QLED顯示面板，具有像素單元，該像素單元為上述的像素單元。
[0019]應用本發明的技術方案，利用第一絕緣層和第二絕緣層對液態功能層材料的相反作用力的基礎上，利用第一發光區域和第二發光區域的形狀進一步優化了液態功能層材料在發光區域的分散性，具體為:位于上方的第二發光區域的最小寬度大于位于下方的第一發光區域的最大寬度，從而使具有無機量子點材料的液態功能層材料更有利于向第一發光區域流動;第一發光區域的側壁與第二發光區域的側壁不在同一平面，使得液態功能層材料在第一發光區域的側壁處表面張力不能延伸至第二發光區域，從而使得液態功能層材料可以均勻分散在發光區域的整個平面，而不會造成液態功能層材料在干燥后邊緣的厚度大于其他位置的厚度，從而有助于形成均勻的發光層。
【附圖說明】
[0020]構成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發明的進一步理解，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0021]圖1示出了根據本發明一種優選實施例的像素限定結構的剖面結構示意圖；
[0022]圖2示出了根據本發明另一種優選實施例的像素限定結構的剖面結構示意圖；
[0023]圖3示出了根據本發明又一種優選實施例的像素限定結構的剖面結構示意圖；
[0024]圖4示出了測量得到的實施例1至7以及對比例I的電壓和電流密度關系曲線；
[0025]圖5示出了測量得到的實施例1至7以及對比例I的光譜圖；以及
[0026]圖6示出了測量得到的實施例1至7以及對比例I的電流密度和亮度關系曲線。
[0027]其中，上述附圖包括以下附圖標記:
[0028]1、絕緣層；11、第一絕緣層;12、第二絕緣層;2、發光區域;21、第一發光區域;22、第二發光區域。
【具體實施方式】
[0029]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結合實施例來詳細說明本發明。
[0030]本領域技術人員應該清楚的是，物質對按照水的親和力的不同分為親水性物質和疏水性物質，因此，本申請的以下所記載的親水-疏水性能相反是指，兩個結構中，其中一個結構為親水性結構，另一個結構為疏水性結構。
[0031]如【背景技術】所描述的，現有技術的像素限定結構仍然存在不能使各液態功能層材料在發光區域2均勻分散的問題，為了解決該問題，在本發明一種典型的實施方式中提供了一種用于QLED的像素限定結構，如圖1至3所示，該像素限定結構設置在基板上，且包括多層疊置的絕緣層I和設置在絕緣層I中的發光區域2，相鄰絕緣層I的親水-疏水性能相反，絕緣層I中位于基板上的絕緣層I為第一絕緣層11，位于第一絕緣層11中的發光區域2為第一發光區域21;與第一絕緣層11相鄰的絕緣層I為第二絕緣層12，位于第二絕緣層12中的發光區域2為第二發光區域22，第一發光區域21和第二發光區域22的位于同一側的側壁不在同一平面上，且第一發光區域21的最大寬度小于或等于第二發光區域22的最小寬度。
[0032]由于像