一種oled及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種0LED及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示技術(shù)中，有機電致發(fā)光二極管（0LED)因具有更薄、更輕、耐低溫、響應(yīng)速度 快的優(yōu)勢而備受人們的高度關(guān)注，不僅如此，0LED顯示屏還不受外形限制，可彎曲任意形 狀，成本低廉，在顯示器市場更具有競爭力，而且一直處于上升趨勢。其中，被動式有機電致 發(fā)光二極管（PM-0LED)主要采用行掃描方式工作，制作工藝相對較為簡單，在小尺寸、低分 辨率的點矩陣顯示屏中應(yīng)用廣泛。PM-0LED的電阻主要包括器件的電阻和走線的電阻，由于 PM-0LED器件具有二極管特性，即器件的電阻隨著外部電壓的上升而減小，因此，對于在較 高電壓下工作的PM-0LED來說，要想降低功耗，走線的電阻就顯得尤為重要。如果PM-0LED 的驅(qū)動電路僅采用氧化銦錫（IT0)做走線，由于IT0的面電阻較大，導(dǎo)致走線的電阻較大， 從而增加了 0LED器件的功耗。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中MoAlMo(鉬鋁鉬）的走線結(jié)構(gòu)雖然能夠在一定程度上降低功耗，但是 走線的電阻率仍然較大，且走線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種0LED及其制作方法，降低了 0LED器件的功 耗，實現(xiàn)同步刻蝕，不會造成側(cè)蝕，降低工藝難度，簡化工藝流程。
[0005] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種0LED的制作方法，該0LED的制作方法包括：
[0006] 提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；
[0007] 在所述器件區(qū)形成0LED的以IT0為材料的第一電極；
[0008] 在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在所述Cu層表面 的CuNi合金保護層；
[0009] 對所述走線層進行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電 極連接；
[0010] 在所述第一電極表面依次形成有機發(fā)光功能層以及0LED的第二電極。
[0011] 優(yōu)選的，在上述0LED的制作方法中，所述在所述走線區(qū)形成走線層包括：
[0012] 在所述走線區(qū)形成厚度范圍為3300A-3500A的所述Cu導(dǎo)電層，所述范圍包括 端點值；
[0013] 在所述Cu導(dǎo)電層表面形成厚度為300人-600人的所述CuNi合金保護層，所述范 圍包括端點值。
[0014] 優(yōu)選的，在上述0LED的制作方法中，所述對所述走線層進行刻蝕包括：
[0015] 在所述CuNi合金保護層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層；
[0016] 利用刻蝕液對所述走線層進行刻蝕，所述刻蝕液為去離子水、雙氧水以及冰乙酸 的混合液，其體積比為300:16:9 ;
[0017] 剝離所述掩膜層。
[0018] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，在所述CuNi合金保護層表面形成設(shè)定圖案的 掩膜層包括：
[0019] 利用顯影液在所述CuNi合金保護層表面形成設(shè)定圖案的掩膜層，所述顯影液為 氫氧化鈉溶液，其濃度為〇. 5% -0. 7%，包括端點值。
[0020] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，所述剝離所述掩膜層包括：
[0021] 利用剝離液對所述掩膜層進行剝離，所述剝離液為氫氧化鈉溶液，其濃度為 5% -7%，包括端點值。
[0022] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，所述ITO的厚度范圍為1400A-1800A,包括 端點值。
[0023] 優(yōu)選的，在上述OLED的制作方法中，所述第二電極為反射式電極。
[0024]本發(fā)明還提供一種OLED，其特征在于，包括：
[0025] 透明基板，包括：器件區(qū)以及包圍所述器件區(qū)的走線區(qū)；
[0026] 設(shè)置在所述器件區(qū)的OLED結(jié)構(gòu)，包括：位于所述器件區(qū)的第一電極、位于所述第 一電極表面的有機發(fā)光功能層以及位于所述有機發(fā)光功能層表面的第二電極，所述第一電 極材料為IT0 ;
[0027] 設(shè)置在所述走線區(qū)的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接，所述走線包 括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在所述Cu層表面的CuNi合金保護層。
[0028] 優(yōu)選的，在上述OLED中，所述Cu導(dǎo)電層的厚度為3300A-3500A,包括端點值；所 述CuNi合金保護層的厚度為300A-600A，包括端點值。
[0029] 本發(fā)明提供的OLED的制作方法包括：提供一透明基板，所述透明基板包括：器件 區(qū)以及包圍器件區(qū)的走線區(qū)；在所述器件區(qū)形成OLED的以IT0為材料的第一電極；在所述 走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層以及覆蓋在Cu層表面的CuNi合金保護層； 對所述走線層進行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線，所述走線的第一端與所述第一電極連接；在 所述第一電極表面依次形成有機發(fā)光功能層以及OLED的第二電極。
[0030] 目前，在傳統(tǒng)的制作OLED的過程中，使用三層結(jié)構(gòu)的輔助金屬MoAlMo作為走線， 由于金屬A1與IT0接觸電阻較大，通過使用金屬Mo作為緩沖層，來降低A1與IT0之間的接 觸電阻。本發(fā)明中提供的Cu導(dǎo)電層的導(dǎo)電性能比A1好，能夠降低器件功耗，而且其與IT0 的接觸電阻比A1與IT0之間的接觸電阻更小，所以無需增加金屬Mo來降低接觸電阻，在結(jié) 構(gòu)上去掉了傳統(tǒng)制作OLED技術(shù)中用來降低Cu導(dǎo)電層與IT0層接觸電阻的緩沖層，簡化走 線結(jié)構(gòu)。且采用CuNi合金保護層，其與Cu導(dǎo)電層的刻蝕速度相近，可以實現(xiàn)同步刻蝕。
【附圖說明】
[0031] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù) 提供的附圖獲得其他的附圖。
[0032] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中常見的一種MoAlMo走線的側(cè)視圖；
[0033] 圖2為本發(fā)明實施例提供的一種0LED制作方法流程圖；
[0034] 圖3為本發(fā)明實施例提供的一種0LED走線層的側(cè)視圖；
[0035] 圖4為本發(fā)明實施例提供的一種0LED基板的俯視圖；
[0036] 圖5為本發(fā)明實施例提供的一種0LED走線的側(cè)視圖；
[0037] 圖6為本發(fā)明實施例提供的一種設(shè)置在器件區(qū)的0LED結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0038] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0039] 請參考圖1，傳統(tǒng)的PM-0LED通常選用輔助金屬MoAlMo來制作走線。首先在玻璃 基板101的表面形成一定厚度的導(dǎo)電金屬IT0102,之后在導(dǎo)電金屬IT0102的表面依次形 成一層金屬Mo層103、金屬A1層104和金屬Mo層105,形成以金屬A1層104為中間層的 三明治結(jié)構(gòu)，其中，起主要導(dǎo)電作用的是金屬A1層104,底層的金屬Mo層103作為緩沖層， 起到降低金屬A1層104和IT0102之間的接觸電阻的作用，頂層的金屬Mo層105作為保護 層，制作過程中防止金屬A1層104被氧化和腐蝕。然而，由于輔助金屬MoAlMo的面電阻過 高，導(dǎo)致器件的功耗較大，由于A1與IT0接觸電阻較大，必須使用Mo做緩沖層來降低接觸 電阻，導(dǎo)致走線結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
[0040] 為解決上述問題，本申請實施例提供了一種0LED的制作方法，參考圖2,圖2為本 發(fā)明實施例提供的一種0LED制作方法流程圖，所述流程圖包括：
[0041] 步驟S1 :提供一透明基板，所述透明基板包括：器件區(qū)以及包圍器件區(qū)的走線區(qū)。
[0042] 所述透明基板可以為透明玻璃基板，當(dāng)0LED發(fā)光時，用于透光。
[0043] 步驟S2 :在所述器件區(qū)形成0LED的以IT0為材料的第一電極。
[0044] 可以通過化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜等方式在所述器件區(qū)形成厚度范圍為 1400人-1800人的IT0層，包括端點值，具有較好的導(dǎo)電作用，通過位于器件區(qū)的IT0層進 行刻蝕形成第一電極。
[0045] 步驟S3 :參考圖3,在所述走線區(qū)形成走線層，所述走線層包括：Cu導(dǎo)電層301以 及覆蓋于Cu導(dǎo)電層301表面的CuNi合金保護層302。為了保證走線與第一電極通過搭接 實現(xiàn)電連接，在步驟S2中形成第一電極時，形成在透明基板101的器件區(qū)的IT0層102也 覆蓋走線區(qū)，走線層形成在位于走線區(qū)的IT0層102的表面。
[0046] 在該步驟中，當(dāng)傳統(tǒng)走線MoAlMo的厚度為3500A-4000A時，其面電阻為〇.2Q/ 口，抗氧化抗腐蝕能力差，而厚度為3300人-3500入Cu和CU合金的面電阻只有〇. 08D/ 口，而且其抗氧化抗腐蝕的能力強。因此，在走線區(qū)厚度范圍優(yōu)選為3300A-350〇A49Cu 導(dǎo)電層301可以通過化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜的方式形成于IT0層102的表面，所述范 圍包括端點值，在此厚度范圍內(nèi)，器件的導(dǎo)電性能優(yōu)良；同樣，在Cu導(dǎo)電層301表面可以通 過化學(xué)氣相沉積或者真空鍍膜的方式形成厚度范圍優(yōu)選為300A-600A的CuNi合金保護 層302,所述范圍包括端點值，在此厚度范圍內(nèi)，能夠更好的保護Cu導(dǎo)電層301不被氧化和 腐蝕。
[0047] 由于Cu導(dǎo)電層301的電阻率低于傳統(tǒng)走線A1導(dǎo)電層104的電阻率，具有較好的 導(dǎo)電性能，而且其與ITO的接觸電阻小，無需在Cu導(dǎo)電層301和ITO之間增加降低接觸電 阻的中間層，簡化了走線結(jié)構(gòu)。選用活潑性相近的CuNi合金保護層302,防止了Cu導(dǎo)電層 301被氧化和腐蝕。
[0048] 步驟S4 :如圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例提供的一種OLED基板200的俯視圖，對 所述走線層進行刻蝕，形成設(shè)定圖案的走線203,走線203的第一端與第一電極102連接，第 二端用于與電路板連接，此外，在走線區(qū)202還包括用于和OLED第二電極連接的走線204， 走線204的第二端用于與電路板連接。參考圖5,圖5為一種OLED走線側(cè)視圖，即對走線層 刻蝕之后形成走線的側(cè)視圖。