in。 在深度方向上距離固化膜表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范圍處至少各1點、合 計3點以上測定硅元素濃度，算出其平均值，得到內部硅元素濃度的平均值（Y)。需要說明 的是，在40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范圍處能夠多次測定時，將多次測定的娃元 素濃度的平均值記作該區域的硅元素濃度。
[0142] 〈剪切強度〉 剪切強度的測定可使用將帶固化性樹脂膜形成層的片材在23°C、相對濕度50%的環境 下保管7天的片材來進行。
[0143] (1-1)上段芯片的制作 利用晶片背側研磨裝置（DISCO公司制、DGP8760)，在表面進行了干式拋光處理的硅晶 片（200mm直徑、厚度500 μπι)的干式拋光處理面上，使用膠帶固定器（卩 > 亍7夕公司制、 Adwill (注冊商標）RAD2500m/8)貼附實施例或比較例中得到的帶固化性樹脂膜形成層的 片材的固化性樹脂膜形成層，將支撐片材的外周部固定于環錠細紗機。其后，使用紫外線照 射裝置（y 7夕公司制、Adwill (注冊商標）RAD2000)，由前述片材的支撐片材面照射 紫外線（350mW/cm2、190mJ/cm 2)。
[0144] 接著，使用切割裝置（DI SCO公司制、DFD651)，切割成5mm X 5mm尺寸的芯片，將芯 片與固化性樹脂膜形成層一起從支撐片材上拾取，得到上段芯片。切割時的切入量相對于 支撐片材切入20 μ m。
[0145] (1-2)測定用試驗片的作成 在涂布有聚酰亞胺系樹脂（日立化成r 1示> 夕口シス亍人只''公司制造的 PLH708)的硅晶片（200mm直徑、厚度725 μπι)上，與上述同樣地使用膠帶固定器粘貼切割膠 帶（y 7夕公司制、Adwill D-650)。接著，與上述同樣地使用切割裝置，將硅晶片切割 成12mmX 12mm的芯片尺寸，拾取芯片。在芯片的涂布有聚酰亞胺系樹脂的面(聚酰亞胺面） 上，將上述（1-1)中得到的上段芯片借助固化性樹脂膜形成層在l〇〇°C且300gf/chip、l秒 鐘的條件下進行焊接。其后，以125°C加熱60分鐘、進而以175°C加熱120分鐘而使固化性 樹脂膜形成層固化，從而得到試驗片。
[0146] 將所得試驗片在85°C 85%RH的環境下放置48小時使其吸濕，相對于吸濕后的試 驗片，進行3次最高溫度260°C、加熱時間1分鐘的IR回流焊（回流焊爐：相模理工株式 會社制、WL-15-20DNX型)，進而進行168小時的壓力鍋試驗(條件：121°C、2. 2個大氣壓、 100%RH)，從而得到進行了濕熱處理的試驗片(測定用試驗片）。
[0147] (1-3)剪切強度的測定 將膠接檢驗儀（Dage公司制、BOND TESTER Series4000)的測定臺設定為250°C，將測 定用試驗片在測定臺上放置30秒鐘。在比焊接界面(樹脂膜界面）高100 μπι的高度，以 500 μ m/s的速度向平行于樹脂膜界面的方向(剪切方向)施加應力，測定粘接狀態破壞時的 力(剪切強度）（N)。需要說明的是，針對6個樣品的測定用試驗片，測定各自的剪切強度， 將其平均值記作剪切強度（N)。
[0148] [固化性樹脂膜形成層的成分] 構成固化性樹脂膜形成層的各成分如下所示。除了將硅烷偶聯劑的配合量變更為表1 所示之外，設為相同的組成，配合各成分而制備固化性樹脂膜形成層。
[0149] (A:聚合物成分） (Al)丙烯酸系聚合物：日本合成化學工業株式會社制3-步二一;l/N-4617 (Mw:約 37萬）100質量份 (A2)非丙烯酸系樹脂：熱塑性聚酯樹脂(東洋紡株式會社制A < 口 > 220)40. 54質量 份 (B:固化性成分） (Bll)環氧化合物： (Blla)液狀環氧樹脂：含有20重量％雙酚A型環氧樹脂的丙烯酸顆粒制品(株式會社 日本觸媒制工步七7卜BPA328、環氧當量235g/eq) 58. 01質量份 (Bllb)固體環氧樹脂：甲酚酚醛清漆型環氧樹脂（日本化藥株式會社制E0CN-104S、環 氧當量213~223g/eq、軟化點90~94°C ) 38. 67質量份 (Bllc)固體環氧樹脂：多官能型環氧樹脂（日本化藥株式會社制EPPN-502H、環氧當量 158~178g/eq、軟化點 60~72°C ) 48. 34 質量份 (Blld)固體環氧樹脂：DCPD型環氧樹脂(大日本墨化學株式會社制EPICL0N HP-7200HH、環氧當量 265~300g/eq、軟化點 75~90°C) 19. 33 質量份 (B12)熱固化劑：酚醛清漆型酚醛樹脂(旭有機材工業株式會社制PAPS-PN4、酚性羥基 當量104g/eq、軟化點111°C ) 70.24質量份 (B13)固化促進劑：2_苯基-4, 5-二(羥基甲基）咪唑（四國化成工業株式會社制? 1 7 / - ;I/ 2ΡΗΖ) (λ 26 質量份 (Β21)能量射線反應性化合物：二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯（日本化藥株式會社制 KAYARAD R-684) 22. 3 質量份 (Β22)光聚合引發劑：α -羥基環己基苯基酮（于A ' シ々；1/亍4 S力；1/：^''株 式會社制 < 少力、? 1 7 184) 0· 67質量份 (C :硅烷偶聯劑） γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化學工業株式會社制ΚΒΜ-403甲氧基當量 12. 7mmol/g、數均分子量236. 3)(表1所述的配合量） (D :無機填料） Si填料(株式會社卜夕亇Y制UF-310) 127. 03質量份。
[0150] [實施例和比較例] 除了將硅烷偶聯劑的配合量如表1記載那樣變更之外，以相同的組成制作固化性樹脂 膜形成層用組成物，用甲乙酮以固體成分濃度達到50重量％的方式進行稀釋，在進行了有 機硅處理的剝離膜（y 7夕公司制、SP-PET381031)上以干燥后厚度達到約60ym的方 式進行涂布·干燥(干燥條件：利用烘箱以l〇〇°C干燥2分鐘)，得到形成在剝離膜上的固化 性樹脂膜形成層。其后，將固化性樹脂膜形成層與作為支撐片材的聚乙烯膜(厚度100 μπκ 表面張力33mN/m)進行貼合，將固化性樹脂膜形成層轉印在支撐片材上，從而得到期望的帶 固化性樹脂膜形成層的片材。將各評價結果示于表1。 I煙
【主權項】
1. 帶固化性樹脂膜形成層的片材，其具有支撐片材、以及以可剝離的形式形成在該支 撐片材上的固化性樹脂膜形成層， 該固化性樹脂膜形成層包含固化性粘結劑成分和硅烷偶聯劑（C)，且 在固化性樹脂膜形成層的固化后的樹脂膜中，樹脂膜的至少1個表面的源自硅烷偶聯 劑（C)的表面娃元素濃度（X)為在深度方向上距離該表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的 各深度范圍處至少各1點、合計3點以上測定的源自硅烷偶聯劑（C)的內部硅元素濃度的 平均值（Y)的3. 4倍以上。
2. 權利要求1所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材，其中，固化后的樹脂膜的兩表面 的表面硅元素濃度（X)為內部硅元素濃度的平均值（Y)的3. 4倍以上。
3. 權利要求1或2所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材，其中，相對于Ig所述固化性 樹脂膜形成層的硅烷偶聯劑當量大于Omeq/g且為4.OXl(T2meq/g以下。
4. 權利要求1~3中任一項所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材，其中，所述硅烷偶聯 劑（C)具有環氧基。
5. 權利要求1~4中任一項所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材，其中，所述硅烷偶聯 劑（C)的數均分子量為120~1000。
6. 權利要求1~5中任一項所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材，其中，固化性樹脂膜 形成層或其固化后的樹脂膜作為用于將半導體芯片固定于基板或其它半導體芯片的粘接 膜而發揮功能。
7. 權利要求1~5中任一項所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材，其中，固化性樹脂膜 形成層的固化后的樹脂膜作為半導體晶片或芯片的保護膜而發揮功能。
8. 半導體裝置的制造方法，其具備如下工序：在權利要求6所述的帶固化性樹脂膜形 成層的片材中的固化性樹脂膜形成層上貼合半導體晶片，切割該半導體晶片而制成半導體 芯片，使所述樹脂膜形成層固結殘留于該半導體芯片背面并從支撐片材上剝離，將該半導 體芯片借助所述樹脂膜形成層熱壓接于被粘處。
9. 半導體裝置的制造方法，其包括如下工序：在權利要求7所述的帶固化性樹脂膜形 成層的片材中的固化性樹脂膜形成層上貼合半導體晶片，將固化性樹脂膜形成層固化而得 到具有保護膜的半導體芯片。
10. 權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其還包括以下的工序（1)~ (3)，以任意 順序進行工序（1)~ (3): 工序（1):對固化性樹脂膜形成層或作為其固化后的樹脂膜的保護膜與支撐片材進行 剝離； 工序（2):將固化性樹脂膜形成層固化而得到保護膜； 工序（3):對半導體晶片與固化性樹脂膜形成層或保護膜進行切割。
【專利摘要】其目的在于，提高作為粘接膜、保護膜的前體而發揮功能的樹脂膜形成層或其固化后的樹脂膜與作為被粘物的半導體芯片、半導體晶片的粘接性。本發明所述的帶固化性樹脂膜形成層的片材的特征在于，其具有支撐片材、以及以可剝離的方式形成在該支撐片材上的固化性樹脂膜形成層，該固化性樹脂膜形成層包含固化性粘結劑成分和硅烷偶聯劑（C），且在固化性樹脂膜形成層的固化后的樹脂膜中，樹脂膜的至少1個表面的源自硅烷偶聯劑（C）的表面硅元素濃度（X）為在深度方向上距離該表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范圍處至少各1點、合計3點以上測定的源自硅烷偶聯劑（C）的內部硅元素濃度的平均值（Y）的3.4倍以上。
【IPC分類】H01L23-31, C09J201-00, C09J11-06, C09J7-00, B32B5-14, B32B27-18, H01L23-29, B32B7-06, H01L21-52
【公開號】CN104797423
【申請號】CN201380062060
【發明人】小曾根雄一, 古館正啟, 市川功
【申請人】琳得科株式會社
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2013年11月29日
【公告號】WO2014084357A1