，然后開啟濺射Cr靶4?6秒后停止，制得第X層調制周期TiAl/Cr金屬層；完成第一金屬亞層的制備；
[0032]在本發明中，制作金屬亞層時要關閉氮氣。靶材在短時間內進行濺射，有利于膜的沉積。
[0033](C)第一陶瓷亞層的制備
[0034]通入質量純度為99.999%的氮氣，氮氣分壓為0.06?0.1Pa ；
[0035]通入質量純度為99.999%的氬氣，氬氣分壓為0.2?0.3Pa ；
[0036]濺射工作氣壓為0.2?0.3Pa，對基體施加50?200V的負偏壓，基體溫度為180?2200C ；TiAl靶濺射功率為60?80W，Cr靶濺射功率40?60W ；
[0037]開啟濺射TiAl靶10?30秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4?6秒后停止，制得第一層調制周期TiAlN/CrN陶瓷層；
[0038]繼續在開啟濺射TiAl靶10?30秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4?6秒后停止，制得第二層調制周期TiAlN/CrN陶瓷層；
[0039]繼續在開啟濺射TiAl靶10?30秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4?6秒后停止，制得第I層調制周期TiAlN/CrN陶瓷層；完成第一陶瓷亞層的制備；
[0040]在本發明中，制作陶瓷亞層時要同時打開氮氣和氬氣，利用氮氣的滲入形成陶瓷膜的沉積。
[0041](D)重復(B)?(C)步驟，直到磁控濺射制膜達到所需厚度，得到金屬陶瓷復合結構的納米多層膜。
[0042]在本發明中，采用短時間濺射-交替沉積進行氮化物陶瓷亞層和金屬亞層的沉積，沉積后的金屬陶瓷復合結構的納米多層膜具有膜致密性，其韌性可以改善切削刀具的高速和強力切削的性能，能夠防止膜層在高受力條件下的脆性崩裂和剝落。
[0043]實施例1
[0044]參見圖4所示，制備陶瓷亞層厚度與金屬亞層厚度比例為7: I的金屬陶瓷復合結構納米多層膜。
[0045]選取靶材:分別選取質量百分比純度為99.9%的TiAl (Al含量45wt%)和質量百分比純度為99.9%的Cr為靶材，以YG6硬質合金塊為基體。
[0046](A)將基體和靶材置于磁控濺射設備的真空室中，對真空室抽真空至本底真空度為 2X KT3Pa ；
[0047](B)第一金屬亞層的制備
[0048]通入質量純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，氬氣分壓為0.24Pa(即濺射時的工作氣壓也是0.24Pa)，濺射氣體總流量為20SCCm，對基體施加100V的負偏壓，基體溫度為1800C ；TiAl靶濺射功率為60W，Cr靶濺射功率40W ；
[0049]開啟濺射TiAl靶15秒后停止(沉積厚度在c = 3nm)，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止(沉積厚度在d = Inm);繼續在開啟濺射TiAl靶15秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止；……；交替沉積X = 20次，累計沉積厚度達到f = 80nm，則完成第一金屬亞層的制備；
[0050](C)第一陶瓷亞層的制備
[0051]通入質量純度為99.999%的氮氣，氮氣分壓為0.06Pa ；
[0052]通入質量純度為99.999%的氬氣，氬氣分壓為0.3Pa ；
[0053]濺射工作氣壓為0.3Pa，對基體施加100V的負偏壓，基體溫度為180°C ；TiAl靶濺射功率為60W，Cr靶濺射功率40W ；
[0054]開啟濺射TiAl靶15秒后停止(沉積厚度在a = 5nm)，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止(沉積厚度在b = 2nm);繼續在開啟濺射TiAl靶15秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止；……；交替沉積y = 80次，累計沉積厚度達到e = 560nm，則完成第一陶瓷亞層的制備；
[0055](D)重復⑶?(C)步驟，即交替沉積m = 8次，直到磁控濺射制膜達到所需厚度H = 5120nm，從而得到金屬陶瓷復合結構的納米多層膜。
[0056]參見圖4A所示的金屬陶瓷復合結構納米多層膜的TEM照片，圖中是對部分層進行的掃描，從圖中可知，采用本發明的方法制作的納米多層膜具有金屬亞層、陶瓷亞層結構。圖中也觀察到膜是較為致密的。
[0057]對實施例1制得的具有8個亞層交替的金屬陶瓷復合結構納米多層膜進行性能測試，薄膜硬度為31GPa，抗氧化溫度為970°C，劃痕法結合力為60牛頓。
[0058]實施例2
[0059]制備陶瓷亞層厚度與金屬亞層厚度比例為3: I的金屬陶瓷復合結構納米多層膜。
[0060]選取靶材:分別選取質量百分比純度為99.9%的TiAl (Al含量45wt%)和質量百分比純度為99.9%的Cr為靶材，以YG6硬質合金塊為基體。
[0061](A)將基體和靶材置于磁控濺射設備的真空室中，對真空室抽真空至本底真空度為 2X KT3Pa ；
[0062](B)第一金屬亞層的制備
[0063]通入質量純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，氬氣分壓為0.3Pa(即濺射時的工作氣壓也是0.3Pa)，濺射氣體總流量為20SCCm，對基體施加120V的負偏壓，基體溫度為2000C ；TiAl靶濺射功率為80W，Cr靶濺射功率40W ；
[0064]開啟濺射TiAl靶30秒后停止(沉積厚度在c = 8nm)，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止(沉積厚度在d = 2nm);繼續在開啟濺射TiAl靶30秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止；……；交替沉積X = 5次，累計沉積厚度達到f = 50nm，則完成第一金屬亞層的制備；
[0065](C)第一陶瓷亞層的制備
[0066]通入質量純度為99.999%的氮氣，氮氣分壓為0.1Pa ；
[0067]通入質量純度為99.999%的氬氣，氬氣分壓為0.3Pa ；
[0068]濺射工作氣壓為0.3Pa，對基體施加120V的負偏壓，基體溫度為200°C ；TiAl靶濺射功率為80W，Cr靶濺射功率40W ；
[0069]開啟濺射TiAl靶30秒后停止(沉積厚度在a = 15nm)，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止(沉積厚度在b = 4nm);繼續在開啟濺射TiAl靶30秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止；……；交替沉積y = 10次，累計沉積厚度達到e = 190nm，則完成第一陶瓷亞層的制備；
[0070](D)重復⑶?(C)步驟，即交替沉積m = 5次，直到磁控濺射制膜達到所需厚度H = 1200nm，從而得到金屬陶瓷復合結構的納米多層膜。
[0071]對實施例2制得的具有5個亞層交替的金屬陶瓷復合結構納米多層膜進行性能測試，薄膜硬度為29GPa，抗氧化溫度為915°C，劃痕法結合力為100牛頓。
[0072]實施例3
[0073]參見圖4所示，制備陶瓷亞層厚度與金屬亞層厚度比例為14:1的金屬陶瓷復合結構納米多層膜。
[0074]選取靶材:分別選取質量百分比純度為99.9%的TiAl (Al含量30wt%)和質量百分比純度為99.9%的Cr為靶材，以YG6硬質合金塊為基體。
[0075](A)將基體和靶材置于磁控濺射設備的真空室中，對真空室抽真空至本底真空度為 2X KT3Pa ；
[0076](B)第一金屬亞層的制備
[0077]通入質量純度為99.999%的氬氣作為工作氣體，氬氣分壓為0.24Pa(即濺射時的工作氣壓也是0.24Pa)，濺射氣體總流量為20SCCm，對基體施加100V的負偏壓，基體溫度為1800C ；TiAl靶濺射功率為60W，Cr靶濺射功率60W ；
[0078]開啟濺射TiAl靶15秒后停止(沉積厚度在c = 2nm)，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止(沉積厚度在d = 0.5nm);繼續在開啟濺射TiAl靶15秒后停止，然后開啟濺射Cr靶4秒后停止；……;交替沉積X = 10次，累計沉積厚度達到f = 25nm，則完成第一金屬亞層的制備；
[0079](C)第一陶瓷亞層