阻氣性膜的制作方法

本發明涉及一種阻氣性膜。
背景技術：
：在撓性電子設備、特別是撓性有機el設備中，可使用阻氣性膜作為基板膜或密封膜。對用于這些設備的阻氣性膜，要求較高阻隔性。一般而言，阻氣性膜通過利用蒸鍍法、濺射法、cvd法等氣相成膜法在基材膜上形成無機阻隔層來制造。近年來，開始研究對在基材上涂布溶液而形成的前體層施加能量，從而形成阻氣層的制造方法。特別是廣泛進行使用聚硅氮烷化合物作為前體的研究，作為兼具基于涂布的高生產性和阻隔性的技術正在進行研究。特別是使用了波長為172nm的準分子光的聚硅氮烷層的改性備受關注。在此，在國際公開第2011/122547號(相當于美國專利申請公開第2014/374665號說明書)中公開有一種成形體，其具有在含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴類化合物的離子而得到的層。另外，在日本特表2009-503157號公報(相當于美國專利申請公開第2010/166977號說明書)中公開有如下方法：將含有聚硅氮烷及催化劑的溶液涂布于基材上，接著除去溶劑而形成聚硅氮烷層，然后，在含有水蒸氣的氣氛中，用含有低于230nm的波長成分的vuv放射線及含有230～300nm的波長成分的uv放射線對上述的聚硅氮烷層進行照射，由此，在基材上形成阻氣層。并且，在日本特開2009-255040號公報中公開一種撓性阻氣膜的制造方法，其包括：在樹脂基材上涂敷聚硅氮烷而形成膜厚250nm以下的聚合物膜的第一步驟；對所形成的聚合物膜照射真空紫外光的第二步驟；在上述第二步驟中所形成的膜上重復上述第一步驟及上述第二步驟并重疊膜而形成的第三步驟。技術實現要素：但是，就用準分子光對國際公開第2011/122547號(相當于美國專利申請公開第2014/374665號說明書)、日本特表2009-503157號公報(相當于美國專利申請公開第2010/166977號說明書)、及日本特開2009-255040號公報所記載的聚硅氮烷進行改性而形成的阻氣層而言，雖然直到40℃左右的低溫下阻氣性良好，但是，在80℃85％rh的高溫高濕的非常嚴苛的環境下，可知阻氣性經時地降低。如上所述，謀求抑制通過對聚硅氮烷進行改性而得到的阻氣層在高溫高濕條件下的性能劣化，從而可以用作電子設備用的阻氣性膜。因此，本發明的目的在于，提供一種高溫高濕環境下耐久性優異的阻氣性膜。本發明人為了解決上述的技術問題，進行了深入研究。其結果發現：通過一種阻氣性膜，解決上述技術問題，所述阻氣性膜在樹脂基材上具有：層(a)，其含有過渡金屬化合物，并且通過氣相成膜法形成；含硅層(b)，其與所述層(a)相接并通過如下方法得到，所述方法包括涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥，沿厚度方向進行xps組成分析時得到的原子組成分布圖中，包含具有特定的組成的區域，由此完成本發明。即，本發明為一種阻氣性膜，其在樹脂基材上具有：層(a)，其含有過渡金屬化合物，并且，通過氣相成膜法形成；含硅層(b)，其與所述層(a)相接并通過如下方法得到，所述方法包括涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥，其中，沿所述阻氣性膜的厚度方向進行xps組成分析時得到的原子組成分布圖中，在以simxny表示組成時，具有滿足下述式(1)及式(2)的區域(a)，[數學式1]simxny0.2≤x≤3.0(1)0≤y≤0.6(2)m:過渡金屬x:過渡金屬與硅原子的存在原子比y:氮原子與硅原子的存在原子比。附圖說明圖1是表示本發明的一個實施方式的阻氣性膜的剖面示意圖，10為阻氣性膜，11為基材，12為層(b)，13為層(a)。圖2是表示本發明的其它實施方式的阻氣性膜的剖面示意圖，10為阻氣性膜，11為基材，12為層(b)，13為層(a)。圖3是實施例中使用的真空紫外線照射裝置的剖面示意圖，1為裝置室，2為具有照射172nm的真空紫外線的雙重管結構的xe準分子燈，3為兼具外部電極的準分子燈的架，4為試樣臺，5為形成有聚硅氮烷化合物涂布層的試樣，6為遮光板。具體實施方式本發明為一種阻氣性膜，其在樹脂基材上具有：層(a)(以下，也簡稱為層(a))，其含有過渡金屬化合物并且，通過氣相成膜法形成；含硅層(b)(以下，也簡稱為層(b))，其與所述層(a)相接并通過如下方法得到，所述方法包括涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥，沿所述阻氣性膜的厚度方向進行xps組成分析時得到的原子組成分布圖中，在以simxny表示組成時，具有滿足下述式(1)及式(2)的區域(a)(以下，也簡稱為區域(a))。具有這種構成的本發明的阻氣性膜在高溫高濕環境下耐久性優異。[數學式2]simxny0.2≤x≤3.0(1)0≤y≤0.6(2)m:過渡金屬x:過渡金屬與硅原子的存在原子比y:氮原子與硅原子的存在原子比為什么利用本發明的阻氣性膜可得到上述效果，詳細情況尚未清楚，但可考慮如下所述的機制。需要說明的是，下述的機制是推測的，本發明并不受下述機制任何限制。包括涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而得到的含硅層(b)通過具有特定的組成而顯現阻氣性。另外，與通過氣相成膜法形成的情況不同，層(b)在成膜時幾乎沒有微粒等異物混入，可以形成缺陷非常少的阻氣層。但是，該層(b)相對于氧化不是完全穩定，有時在高溫高濕環境下緩慢地被氧化，阻氣性降低。與此相對，本發明的阻氣性膜中，鄰接于層(b)的層(a)含有過渡金屬化合物，沿阻氣性膜的厚度方向進行xps組成分析時得到的原子組成分布圖中，在以simxny表示組成時，具有滿足上述式(1)及式(2)的區域(a)。層(a)與層(b)相比容易被氧化，因此認為，層(a)首先被氧化，由此可抑制層(b)的氧化，從而高溫高濕環境下的耐久性優異。并且認為，由于具有區域(a)，高溫高濕環境下的耐久性進一步提高。以下，對本發明的優選的實施方式進行說明。需要說明的是，本發明并不僅限定于以下的實施方式。另外，為了說明的方便，附圖的尺寸比率被夸大，有時與實際的比率不同。另外，在附圖的說明中，對相同的要素附加相同的符號，省略重復的說明。在本說明書中，只要沒有特殊說明，操作及物性等測定在室溫(20～25℃)/相對濕度40～50％rh的條件下進行測定。圖1是表示本發明的一個實施方式的阻氣性膜的剖面示意圖。圖1的阻氣性膜10依次配置有基材11、層(b)12及層(a)13。另外，圖2是表示本發明的其它實施方式的阻氣性膜的剖面示意圖。圖2的阻氣性膜10依次配置有基材11、層(a)13及層(b)12。即，只要層(a)及層(b)鄰接而配置，則從基材側可以為層(a)、層(b)的順序，也可以為層(b)、層(a)的順序。另外，不僅在基材的一面形成層(a)、層(b)的形態，而且可以在基材的兩面形成層(a)及層(b)。并且，可以在基材與各層之間、或在各層上配置其它層。從由于層(a)配置于與基材相對表面的層(b)上，層(a)更容易被氧化，更顯著地發揮基于層(a)對層(b)的保護方面考慮，優選以基材、層(b)、層(a)的順序配置。[(a)含有過渡金屬化合物的層]本發明的阻氣性膜具有通過氣相成膜法形成的含有過渡金屬化合物的層(a)。層(a)在電化學上與層(b)相比容易被氧化，從而抑制層(b)的氧化。作為層(a)中所含的過渡金屬化合物，沒有特別限定，可列舉例如：過渡金屬的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、或氧碳化物。其中，從更有效地抑制層(b)的氧化的觀點出發，過渡金屬化合物優選為過渡金屬氧化物。過渡金屬化合物可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。過渡金屬原子是指從第3族元素至第12族元素，作為過渡金屬，可列舉：sc、ti、v、cr、mn、fe、co、ni、cu、zn、y、zr、nb、mo、tc、ru、pd、ag、la、ce、pr、nd、pm、sm、eu、gd、tb、dy、ho、er、tm、yb、lu、hf、ta、w、re、os、ir、pt、及au等。其中，過渡金屬化合物中的過渡金屬優選為與硅相比氧化還原電位低的金屬。通過調整為含有與硅相比氧化還原電位低的過渡金屬的化合物的層，可得到更良好的阻隔性。作為與硅相比氧化還原電位低的金屬的具體例，可列舉例如：鈮、鉭、釩、鋯、鈦、鉿、釔、鑭、鈰等。這些金屬可以單獨使用，或2種以上混合而使用。其中，特別是作為第5族元素的鈮、鉭、釩，由于其抑制層(b)的氧化的效果高，因此可以優選使用。即，本發明的優選的一個實施方式為一種阻氣性膜，其中，過渡金屬為選自釩、鈮、及鉭中的至少1種金屬。并且，從光學特性的觀點出發，過渡金屬化合物中的過渡金屬特別優選可得到透明性良好的化合物的鈮、鉭。將主要的金屬的標準氧化還原電位示于下述表。[化學式1]金屬標準氧化還原電位(v)化學計量的氧化物最大價數si-0.91sio24nb-1.10nbo2.55ta-1.12tao2.55v-1.19vo2.55zr-1.53zro24ti-1.63tio24hf-1.70hfo24y-2.37yo1.53la-2.37lao1.53ce-2.50ceo24就層(a)中的過渡金屬化合物的含量而言，只要產生本發明的效果，就沒有特別限定，過渡金屬化合物的含量相對于層(a)的總質量優選為50質量％以上，更優選為80質量％以上，進一步優選為95質量％以上，特別優選為98質量％以上，最優選為100質量％(即層(a)由過渡金屬化合物構成)。從容易調整金屬元素和氧的組成比的觀點出發，層(a)的形成方法為氣相成膜法。作為氣相成膜法，沒有特別限制，可列舉例如：濺射法、蒸鍍法、離子噴鍍法等物理氣相成長法(pvd)法、等離子體cvd(化學氣相沉積(chemicalvapordeposition))法、ald(原子層沉積(atomiclayerdeposition))等化學氣相成長法。其中，從可以對下層不產生損傷而成膜，具有高的生產性方面考慮，優選利用濺射法形成。利用濺射法的成膜可以將2極濺射、磁控管濺射、使用有中間的頻率區域的雙重磁控管(dms)濺射、離子束濺射、ecr濺射等單獨使用或2種以上組合而使用。另外，靶材的施加方式根據靶材種類適當選擇，可以使用dc(直流)濺射、及rf(高頻)濺射的任意濺射。另外，可以使用利用了金屬模式和作為氧化物模式的中間的過渡模式的反應性濺射法。通過控制濺射現象使得成為過渡區域，可以以高的成膜速度使金屬氧化物成膜，因此優選。在進行dc濺射或dms濺射時，在其靶材使用過渡金屬，并且在工藝氣體中導入氧，由此可以形成過渡金屬氧化物的薄膜。另外，在以rf(高頻)濺射進行成膜的情況下，可以使用過渡金屬氧化物的靶材。作為用于工藝氣體的非活性氣體，可以使用he、ne、ar、kr、xe等，優選使用ar。并且，通過在工藝氣體中導入氧、氮、二氧化碳、一氧化碳，可以制作過渡金屬的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳氧化物等過渡金屬化合物薄膜。作為濺射法中的成膜條件，可列舉施加電功率、放電電流、放電電壓、時間等，但這些條件可以根據濺射裝置、或膜的材料、膜厚等而適當選擇。其中，從成膜速率更高、具有更高的生產性方面考慮，優選將過渡金屬的氧化物用作靶材的濺射法。層(a)可以為單層，也可以為2層以上的疊層結構。在層(a)為2層以上的疊層結構時，層(a)中所含的過渡金屬化合物可以相同，也可以不同。層(a)認為是具有抑制層(b)的氧化并維持阻氣性的功能的層，因此，未必一定需要阻氣性。因此，就層(a)而言，即使為比較薄的層，也可發揮效果。具體而言，在基材-層(b)-層(a)的層構成的情況下，從阻氣性的面內均勻性的觀點出發，層(a)的厚度(在為2層以上的疊層結構的情況下，為其總厚度)優選為1～200nm，更優選為2～100nm，進一步優選為3～50nm。特別是如果其為50nm以下，則層(a)成膜的生產性進一步提高。另外，在基材-層(a)-層(b)的層構成的情況下，從阻氣性的面內均勻性的觀點出發，層(a)的厚度(在為2層以上的疊層結構的情況下，為其總厚度)優選為1～200nm，更優選為2～150nm，進一步優選為10～150nm。[(b)含硅的層]層(b)為包括涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而得到的含硅的層。作為可以在本發明中使用的上述的含硅化合物，可以列舉例如：聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷、聚硅氮烷、聚硅氮烷、聚硅烷、聚碳硅烷等。其中，優選具有選自硅-氮鍵、硅-氫鍵、及硅-硅鍵中的至少1種。作為含硅化合物的更優選的具體例，可以優選使用具有硅-氮鍵和硅-氫鍵的聚硅氮烷、具有硅-氮鍵的聚硅氮烷、具有硅-氫鍵的聚硅氧烷、具有硅-氫鍵的聚倍半硅氧烷、具有硅-硅鍵的聚硅烷。通過使用源自具有選自硅-氮鍵、硅-氫鍵、及硅-硅鍵中的至少1種含硅化合物的含硅層(b)，在以simxnyoz表示區域(a)的原子組成時，容易形成(4+ax)－(3y+2z)＞0的區域(b)。在此，m為過渡金屬，a為過渡金屬m的化學計量的價數(最大價數)。本發明的含硅層(b)包含涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而得到。層(b)顯現阻氣性，另外，與用氣相成膜法形成的情況不同，在成膜時沒有微粒等異物混入，因此，成為缺陷少的阻氣層。層(b)可以為單層，也可以為2層以上的疊層結構。關于聚硅氧烷、聚倍半硅氧烷、及聚硅氮烷的具體例，可列舉日本特開2012-116101號公報的段落“0093”～“0121”中記載的化合物。作為聚硅氧烷，優選氫化(氫)聚硅氧烷。聚硅烷的形態沒有特別限制，可以為非環狀聚硅烷(直鏈狀聚硅烷、支鏈狀聚硅烷、網眼狀聚硅烷等)、或環狀聚硅烷等均聚物，也可以為無規共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物、梳子型共聚物等共聚物。在聚硅烷為非環狀聚硅烷的情況下，聚硅烷的末端基(末端取代基)可以為氫原子，也可以為鹵原子(氯原子等)、烷基、羥基、烷氧基、甲硅烷基等。聚硅烷的作為具體例，可列舉：聚二甲基硅烷、聚(甲基丙基硅烷)、聚(甲基丁基硅烷)、聚(甲基戊基硅烷)、聚(二丁基硅烷)、聚(二己基硅烷)等聚二烷基硅烷、聚(二苯基硅烷)等聚二芳基硅烷、聚(甲基苯基硅烷)等聚(烷基芳基硅烷)等均聚物；二甲基硅烷-甲基己基硅烷共聚物等二烷基硅烷和其它二烷基硅烷的共聚物、苯基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物等芳基硅烷-烷基芳基硅烷共聚物、二甲基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物、二甲基硅烷-苯基己基硅烷共聚物、二甲基硅烷-甲基萘基硅烷共聚物、甲基丙基硅烷-甲基苯基硅烷共聚物等二烷基硅烷-烷基芳基硅烷共聚物等共聚物等。聚碳硅烷為在分子內的主鏈上具有(-si-c-)鍵的高分子化合物。其中，作為用于本發明的聚碳硅烷，優選含有以下述式(d)表示的重復單元。[化學式2]式中，rw、rv分別獨立地表示氫原子、羥基、烷基、芳基、烯基、或1價的雜環基。多個rw、rv可以分別相同，也可以不同。作為1價的雜環基的雜環，只要是除碳原子之外含有至少1個氧原子、氮原子、硫原子等雜原子的3～10元的環狀化合物即可，沒有特別限制。1價的雜環基的作為具體例，可列舉：2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、2-噻嗯基、3-噻嗯基、2-呋喃基、3-呋喃基、3-吡唑基、4-吡唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、1,2,4-三嗪-3-基、1,2,4-三嗪-5-基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、5-嘧啶基、3-噠嗪基、4-噠嗪基、2-吡嗪基、2-(1,3,5-三嗪)基、3-(1,2,4-三嗪)基、6-(1,2,4-三嗪)基、2-噻唑基、5-噻唑基、3-異噻唑基、5-異噻唑基、2-(1,3,4-噻二唑)基、3-(1,2,4-噻二唑)基、2-噁唑基、4-噁唑基、3-異噁唑基、5-異噁唑基、2-(1,3,4-噁二唑)基、3-(1,2,4-噁二唑)基、5-(1,2,3-噁二唑)基等。這些基團可以在任意的位置上具有烷基、芳基、烷氧基、芳氧基等取代基。式中，r表示亞烷基、亞芳基或2價的雜環基。作為r的亞烷基，可列舉：亞甲基、亞乙基、亞丙基、三亞甲基、四亞甲基、五亞甲基、六亞甲基、八亞甲基等碳數1～10的亞烷基。作為亞芳基，可列舉：對亞苯基、1,4-亞萘基、2,5-亞萘基等碳數6～20的亞芳基。作為2價的雜環基，只要是除碳原子還含有氧原子、氮原子、硫原子等雜原子中的至少1個的3～10元的雜環化合物所導出的2價基團，就沒有特別限制。作為2價的雜環基的具體例，可列舉：2,5-噻吩二基等噻吩二基基；2,5-呋喃二基基等呋喃二基基；2,5-硒吩二基等硒吩二基基；2,5-吡咯二基基等吡咯二基基；2,5-吡啶二基基、2,6-吡啶二基基等吡啶二基基；2,5-噻吩并[3,2-b]噻吩二基基、2,5-噻吩并[2,3-b]噻吩二基基等噻吩并噻吩二基基；2,6-喹啉二基等喹啉二基基；1,4-異喹啉二基基、1,5-異喹啉二基基等異喹啉二基基；5,8-喹喔啉二基基等喹喔啉二基基；4,7-苯并[1,2,5]噻二唑二基基等苯并[1,2,5]噻二唑二基基；4,7-苯并噻唑二基基等苯并噻唑二基基；2,7-咔唑二基基、3,6-咔唑二基基等咔唑二基基；3,7-酚噁嗪二基基等酚噁嗪二基基；3,7-酚噻嗪二基基等酚噻嗪二基基；2,7-二苯并噻咯二基等二苯并噻咯二基；2,6-苯并[1,2-b:4,5-b’]二噻吩二基、2,6-苯并[1,2-b:5,4-b’]二噻吩二基、2,6-苯并[2,1-b:3,4-b’]二噻吩二基、2,6-苯并[1,2-b:3,4-b’]二噻吩二基等苯并二噻吩二基等。需要說明的是，r的亞烷基、亞芳基、2價的雜環基可以在任意的位置上具有烷基、芳基、烷氧基、鹵原子等取代基。其中，式(d)中，rw、rv分別獨立地為氫原子、烷基或芳基，更優選含有r為亞烷基或亞芳基的重復單元，rw、rv分別獨立地為氫原子或烷基，進一步優選含有r為亞烷基的重復單元。具有式(d)表示的重復單元的聚碳硅烷的重均分子量通常為400～12,000。作為層(b)的形成材料，更優選聚硅氮烷。聚硅氮烷為具有硅-氮鍵的聚合物，為具有si-n、si-h、n-h等鍵的sio2、si3n4、及兩者的中間固溶體sioxny等陶瓷前體無機聚合物。具體而言，聚硅氮烷優選具有下述的結構。[化學式3]通式(i):-[si(r1)(r2)-n(r3)]n-上述通式(i)中，r1、r2及r3分別獨立地為氫原子、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。此時，r1、r2及r3分別可以相同或可以不同。另外，上述通式(i)中，n為整數，優選對其進行確定，使得以具有上述通式(i)表示的結構的聚硅氮烷具有150～150,000g/摩爾的數均分子量。在具有上述通式(i)表示的結構的化合物中，優選的方式之一為r1、r2及r3的全部為氫原子的全氫聚硅氮烷。或者，作為聚硅氮烷，具有下述通式(ii)表示的結構。[化學式4]通式(ii)-[si(r1’)(r2’)-n(r3’)]n’-[si(r4’)(r5’)-n(r6’)]p-上述通式(ii)中，r1’、r2’、r3’、r4’、r5’及r6’分別獨立地為氫原子、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。此時，r1’、r2’、r3’、r4’、r5’及r6’分別可以相同或可以不同。另外，上述通式(ii)中，n’及p為整數，優選對其進行確定，使得以具有通式(ii)表示的結構的聚硅氮烷具有150～150,000g/摩爾的數均分子量。需要說明的是，n’及p可以相同或可以不同。上述通式(ii)的聚硅氮烷中，優選r1’、r3’及r6’各自表示氫原子，r2’、r4’及r5’各自表示甲基的化合物；r1’、r3’及r6’各自表示氫原子，r2’、r4’各自表示甲基，r5’表示乙烯基的化合物；r1’、r3’、r4’及r6’各自表示氫原子，r2’及r5’各自表示甲基的化合物。或者，作為聚硅氮烷，具有下述通式(iii)表示的結構。[化學式5]通式(iii):-[si(r1”)(r2”)-n(r3”)]n”-[si(r4”)(r5”)-n(r6”)]p”-[si(r7”)(r8”)-n(r9”)]q-上述通式(iii)中，r1”、r2”、r3”、r4”、r5”、r6”、r7”、r8”及r9”分別獨立地為氫原子、取代或非取代的烷基、取代或非取代的芳基、取代或非取代的乙烯基或(三烷氧基甲硅烷基)烷基。此時，r1”、r2”、r3”、r4”、r5”、r6”、r7”、r8”及r9”分別可以相同或可以不同。另外，上述通式(iii)中，n”、p”及q為整數，優選進行確定，使得以具有通式(iii)表示的結構的聚硅氮烷為150～150,000g/摩爾的數均分子量。需要說明的是，n”、p”及q可以相同或可以不同。上述通式(iii)的聚硅氮烷中，優選r1”、r3”及r6”各自表示氫原子，r2”、r4”、r5”及r8”各自表示甲基，r9”表示(三乙氧基甲硅烷基)丙基，r7”表示烷基或氫原子的化合物。另一方面，具有如下優點：與該si鍵合的氫原子部分的一部分被烷基等取代而得到的有機聚硅氮烷，通過具有甲基等烷基而改善與作為基底的基材的粘接性，且可以使硬而脆的聚硅氮烷形成的陶瓷膜具有韌性，在進一步將(平均)膜厚加厚的情況下，也能夠抑制裂縫的產生。因此，可以根據用途適當選擇這些全氫聚硅氮烷和有機聚硅氮烷，也可以進行混合而使用。全氫聚硅氮烷推定為存在直鏈結構和以6元環及8元環為中心的環結構的結構。其分子量以數均分子量(mn)計為約600～2000左右(聚苯乙烯計)，有液體或固體的物質，其狀態因分子量不同而不同。聚硅氮烷以溶解于有機溶劑的溶液狀態進行市售，可以將市售品直接作為層(b)形成用涂布液而使用。作為聚硅氮烷溶液的市售品，可列舉：azelectronicmaterials公司制造的nn120-10、nn120-20、nax120-20、nn110、nn310、nn320、nl110a、nl120a、nl120-20、nl150a、np110、np140、sp140等。這些聚硅氮烷溶液可以單獨使用，或也可以組合2種以上而使用。作為可以在本發明中使用的聚硅氮烷的其它實例，并不限制于以下，可列舉例如：使硅醇鹽與上述聚硅氮烷反應而得到的硅醇鹽加成聚硅氮烷(日本特開平5-238827號公報)、使縮水甘油反應而得到的縮水甘油加成聚硅氮烷(日本特開平6-122852號公報)、使醇反應而得到的醇加成聚硅氮烷(日本特開平6-240208號公報)、使金屬羧酸鹽反應而得到的金屬羧酸鹽加成聚硅氮烷(日本特開平6-299118號公報)、使含有金屬的乙酰丙酮絡合物反應而得到的乙酰丙酮絡合物加成聚硅氮烷(日本特開平6-306329號公報)、添加金屬微粒而得到的金屬微粒添加聚硅氮烷(日本特開平7-196986號公報)等在低溫下進行陶瓷化的聚硅氮烷。使用聚硅氮烷的情況下，作為真空紫外線照射前的層(b)中的聚硅氮烷的含有率，將層(b)的總質量設為100質量％時，可以為100質量％。另外，在真空紫外線照射前的層(b)含有聚硅氮烷以外的物質的情況下，層中的聚硅氮烷的含有率優選為10質量％以上99質量％以下，更優選為40質量％以上95質量％以下，特別優選為70質量％以上95質量％以下。(層(b)形成用涂布液)作為用于制備層(b)形成用涂布液的溶劑，只要可以溶解含硅化合物即可，沒有特別限制，優選為不含有與含硅化合物容易地反應的水及反應性基團(例如羥基、或胺基等)，且相對于含硅化合物為非活性的有機溶劑，更優選為非質子性的有機溶劑。具體而言，作為溶劑，可以列舉非質子性溶劑；例如戊烷、己烷、環己烷、甲苯、二甲苯、索爾維索(芳烴油溶劑，solvesso)、松節油等脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴等烴溶劑；二氯甲烷、三氯乙烷等鹵烴溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮等酮類；二丁基醚、二噁烷、四氫呋喃等脂肪族醚、脂環式醚等醚類：例如四氫呋喃、二丁基醚、單-及聚亞烷基二醇二烷基醚(二甘醇二甲醚類)等。上述溶劑與聚硅氮烷的溶解度或溶劑的蒸發速度等目的一致而選擇，可以單獨使用，或也可以以2種以上的混合物的形態而使用。層(b)形成用涂布液中的含硅化合物的濃度沒有特別限制，由于層的膜厚或涂布液的適用期不同而不同，優選為1～80質量％，更優選為5～50質量％，進一步優選為10～40質量％。在進行層(b)的改性的情況下，為了促進改性，層(b)形成用涂布液優選含有催化劑。作為可適用于本發明的催化劑，優選堿性催化劑，特別列舉：n,n-二乙基乙醇胺、n,n-二甲基乙醇胺、三乙醇胺、三乙基胺、3-嗎啉代丙基胺、n,n,n’,n’-四甲基-1,3-二氨基丙烷、n,n,n’,n’-四甲基-1,6-二氨基己烷等胺催化劑、pt乙酰丙酮等pt化合物、丙酸pd等pd化合物、rh乙酰丙酮等rh化合物等金屬催化劑、n-雜環式化合物。其中，優選使用胺催化劑。作為此時添加的催化劑的濃度，在以硅化合物為基準時，優選為0.1～10質量％，更優選為0.5～7質量％的范圍。通過將催化劑添加量設為該范圍，可以避免反應急劇地進行而導致的過量的硅烷醇形成及膜密度的降低、膜缺陷的增大等。在層(b)形成用涂布液中，可以根據需要使用下述列舉的添加劑。例如，纖維素醚類、纖維素酯類；例如乙基纖維素、硝基纖維素、乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素等天然樹脂；例如橡膠、松香樹脂等、合成樹脂；例如，聚合樹脂等、縮合樹脂；例如氨基塑料、特別是尿素樹脂、三聚氰胺甲醛樹脂、醇酸樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酯樹脂或改性聚酯樹脂、環氧樹脂、聚異氰酸酯或嵌段化聚異氰酸酯、聚硅氧烷等。(涂布層(b)形成用涂布液的方法)作為對層(b)形成用涂布液進行涂布的方法，可采用現有公知的適當的濕式涂布方法。作為具體例，可列舉：旋涂法、輥涂法、流動涂敷法、噴墨法、噴涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、棒涂法、點膠涂敷法、凹版印刷法等。涂布厚度可根據優選的厚度或目的而適當地設定。涂布涂布液之后，使涂膜進行干燥。通過使涂膜進行干燥，可以除去涂膜中所含有的有機溶劑。此時，涂膜中所含的有機溶劑可以全部進行干燥，也可以一部分殘留。即使在殘留一部分有機溶劑的情況下，也可得到優選的層(b)。需要說明的是，殘留的溶劑可在后面被除去。涂膜的干燥溫度由于所采用的基材不同而不同，優選為50～200℃。例如，在將玻璃化轉變溫度(tg)為70℃的聚對苯二甲酸乙二醇酯基材用作基材的情況下，干燥溫度優選考慮熱導致的基材的變形等而設定為150℃以下。上述溫度可通過使用電熱板、烘箱、爐子等而被設定。干燥時間優選設定為短時間，例如在干燥溫度為150℃的情況下，優選設定為30分鐘以內。另外，干燥氣氛可以為大氣氣氛下、氮氣氛下、氬氣氛下、真空氣氛下、控制了氧濃度的減壓氣氛下等任意條件。對層(b)形成用涂布液進行涂布而得到的涂膜可以包括在真空紫外線的照射前或真空紫外線的照射中除去水分的工序。作為除去水分的方法，優選維持低濕度環境而進行除濕的方式。由于低濕度環境下的濕度根據溫度而變化，因此，溫度和濕度的關系在露點溫度的指定中表示更優選的方式。優選的露點溫度為4℃以下(溫度25℃/濕度25％)，更優選的露點溫度為-5℃以下(溫度25℃/濕度10％)，所維持的時間優選根據層(b)的膜厚而適當設定。具體而言，優選露點溫度為-5℃以下，所維持的時間為1分鐘以上。需要說明的是，露點溫度的下限沒有特別限制，通常為-50℃以上，優選為-40℃以上。從通過在改性處理前、或改性處理中除去水分來促進轉化為硅烷醇的層(b)的脫水反應的觀點出發，為優選的方式。＜真空紫外線照射＞可以將如上述那樣形成的含有含硅化合物的涂膜直接設為層(b)，但也可以通過對得到的涂膜照射真空紫外線，進行向氮氧化硅等的轉化反應而形成層(b)。在從基材側依次具有層(b)和層(a)的方式中，通過進行真空紫外線照射，具有形成層(b)后至形成層(a)的、不易受到經時保存環境的影響導致的阻氣性劣化的優點。在從基材側依次具有層(a)和層(b)的方式中，通過進行真空紫外線照射，阻氣性提高，因此，優選進行真空紫外線照射。真空紫外線照射既可以適于間歇處理，也可以適于連續處理，可以根據使用的樹脂基材的形狀而適當選定。例如，在間歇處理的情況下，可以用具備紫外線產生源的紫外線燒成爐進行處理。一般已知紫外線燒成爐自身，例如可以使用eyegraphics株式會社制造的紫外線燒成爐。另外，在對象為長條膜狀的情況下，可以通過一邊對其進行輸送一邊在具備如上所述的紫外線產生源的干燥區域連續地照射紫外線而進行陶瓷化。紫外線照射所需要的時間取決于使用的基材或層(b)的組成、濃度，但一般為0.1秒鐘～10分鐘，優選為0.5秒鐘～3分鐘。真空紫外線照射導致的改性為如下方法：使用比含硅化合物(特別是聚硅氮烷化合物)內的原子間鍵合力大的100～200nm的光能量，優選使用100～180nm的波長的光能量，將原子的鍵合僅通過被稱為光量子工藝的光子的作用，一邊直接切斷，一邊進行活性氧或臭氧引起的氧化反應，由此，在比較低溫(約200℃以下)下，進行含有氧氮化硅的膜的形成。需要說明的是，進行準分子照射處理時，優選并用熱處理。本發明中的真空紫外線源只要使100～180nm的波長的光產生即可，優選在約172nm具有最大放射的準分子輻射器(例如xe準分子燈)、在約185nm具有亮線的低壓水銀蒸氣燈、以及具有230nm以下的波長成分的中壓及高壓水銀蒸氣燈、及在約222nm具有最大放射的準分子燈。其中，xe準分子燈由于以單一波長放射波長較短的172nm的紫外線，因此，發光效率優異。該光由于氧的吸收系數大，因此，可以用微量的氧，以高濃度產生自由基的氧原子種或臭氧。另外，已知波長較短的172nm的光的能量使有機物的鍵合解離的能力高。通過該活性氧或臭氧和紫外線放射具有較高的能量，可以在短時間內實現涂膜的改性。準分子燈由于光的產生效率高，因此，可以施加低電功率使其照明。另外，不發出成為光引起溫度上升的要因的長波長的光，在紫外線區域內，即以短波長照射能量，因此，具有抑制照射對象物表面溫度上升的特征。因此，適于認為容易受到熱的影響的pet等撓性膜材料。在真空紫外線照射時的反應中需要氧，但真空紫外線存在氧引起的吸收，因此，紫外線照射工序中的效率容易降低，因此，真空紫外線的照射優選盡可能在氧濃度及水蒸氣濃度低的狀態下進行。即，真空紫外線照射時的氧濃度優選設為10～20,000體積ppm(0.001～2體積％)，更優選設為50～10,000體積ppm(0.005～1體積％)。另外，轉化工序之間的水蒸氣濃度優選為1,000～4,000體積ppm(0.1～0.4體積％)的范圍。作為在真空紫外線照射時使用的充滿照射氣氛的氣體，優選設為干燥非活性氣體，特別是從成本的觀點出發，優選設為干燥氮氣。氧濃度的調整可以通過對向照射庫內導入的氧氣、非活性氣體的流量進行計量，并改變流量比而進行調整。在真空紫外線照射工序中，涂膜受到的涂膜表面上的該真空紫外線的照度優選為1mw/cm2～10w/cm2，更優選為30mw/cm2～200mw/cm2，進一步優選為50mw/cm2～160mw/cm2。如果其為1mw/cm2以上，則改性效率提高，如果其為10w/cm2以下，則可以降低可產生于涂膜的磨損、或對基材的損傷。就改性時涂膜表面上真空紫外線的照射能量(照射量)而言，在從基材側依次具有層(b)和層(a)的方式中，優選為0.1～10j/cm2，更優選為0.1～7j/cm2，進一步優選為0.1～3j/cm2。在從基材側依次具有層(a)和層(b)的方式中，優選為1～10j/cm2，更優選為3～7j/cm2。如果為該范圍，則可以抑制過量改性導致的裂縫的產生或樹脂基材的熱變形，另外，生產率提高。使用的真空紫外線可以由利用含有co、co2及ch4中的至少一種氣體形成的等離子體產生。并且，含有co、co2及ch4中的至少一種的氣體(以下，稱為含碳氣體)可以單獨使用含碳氣體，優選以稀有氣體或h2為主要氣體，少量添加含碳氣體。作為等離子體的生成方式，可列舉電容耦合等離子體等。[樹脂基材]作為本發明的樹脂基材，具體而言，可列舉包含聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯樹脂、透明氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、纖維素酰化物樹脂、聚氨酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環式聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚砜樹脂、環烯烴共聚物、芴環改性聚碳酸酯樹脂、脂環改性聚碳酸酯樹脂、芴環改性聚酯樹脂、丙烯酰基化合物等熱塑性樹脂的基材。該樹脂基材可以單獨使用，或組合2種以上而使用。樹脂基材優選由具有耐熱性的材料形成。具體而言，使用線膨脹系數為15ppm/k以上100ppm/k以下、且玻璃化轉變溫度(tg)為100℃以上300℃以下的樹脂基材。該基材滿足作為電子部件用途、顯示器用疊層膜所需要的條件。即，將本發明的阻氣性膜用于這些用途的情況下，阻氣性膜有時暴露于150℃以上的工序。該情況下，阻氣性膜中的基材的線膨脹系數超過100ppm/k時，在將阻氣性膜移動至如上所述的溫度的工序時，容易產生基板尺寸不穩定，從而隨著熱膨脹及收縮攔截性能發生劣化的不便，或者發生不耐受熱工序的不良情況。如果其低于15ppm/k，則有時膜如玻璃那樣開裂的撓性劣化。基材的tg或線膨脹系數可以根據添加劑等進行調整。作為可用作基材的熱塑性樹脂的更優選的具體例，可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet：70℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen：120℃)、聚碳酸酯(pc：140℃)、脂環式聚烯烴(例如日本zeon株式會社制造、zeonor(注冊商標)1600：160℃)、聚芳酯(par：210℃)、聚醚砜(pes：220℃)、聚砜(psf：190℃)、環烯烴共聚物(coc：日本特開2001-150584號公報所記載的化合物：162℃)、聚酰亞胺(例如三菱gas化學株式會社制造、neopulim(注冊商標)：260℃)、芴環改性聚碳酸酯(bcf-pc：日本特開2000-227603號公報所記載的化合物：225℃)、脂環改性聚碳酸酯(ip-pc：日本特開2000-227603號公報所記載的化合物：205℃)、丙烯酰基化合物(日本特開2002-80616號公報所記載的化合物：300℃以上)等(括號內表示tg)。由于本發明的阻氣性膜作為有機el元件等電子設備被利用，因此，樹脂基材優選為透明。即，光線透射率通常為80％以上，優選為85％以上，進一步優選為90％以上。光線透射率可以通過使用jisk7105：1981中記載的方法，即積分球式分光透射率測定裝置測定全光線透射率及散射光量，由全光線透射率減去擴散透射率而算出。但是，即使將本發明的阻氣性膜用于顯示器用途的情況下，沒有設置于觀察側的情況等未必一定要求透明性。因此，這種情況下，也可以使用不透明的材料作為塑料膜。作為不透明的材料，可列舉例如：聚酰亞胺、聚丙烯腈、公知的液晶聚合物等。另外，上述列舉的樹脂基材可以為未拉伸膜，也可以為拉伸膜。該樹脂基材可以通過現有公知的一般的方法來制造。關于這些基材的制造方法，可以適當采用國際公開第2013/002026號的段落“0051”～“0055”中記載的事項。樹脂基材的表面可以進行用于提高密合性的公知的各種處理，例如電暈放電處理、火焰處理、氧化處理、或等離子體處理等，也可以根據需要組合上述處理而進行。該樹脂基材可以為單層，也可以為2層以上的疊層結構。該樹脂基材為2層以上的疊層結構的情況下，各樹脂基材可以為相同的種類，也可以為不同的種類。本發明的樹脂基材的厚度(其為2層以上的疊層結構的情況下，為其總厚度)優選為10～200μm，更優選為20～150μm。[層(a)、層(b)的層順序]層(a)、層(b)的層順序可以為樹脂基材/層(b)/層(a)的順序，也可以為樹脂基材/層(a)/層(b)的順序。＜樹脂基材/層(b)/層(a)的方式＞樹脂基材/層(b)/層(a)的順序的方式的情況下，優選形成層(b)，接著形成層(a)。即，本方式的阻氣性膜的優選的制造方法包括：包括在樹脂基材上涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥的形成含硅層(b)的工序；在所述含硅層(b)上通過氣相成膜法形成含有過渡金屬化合物的層(a)的工序。這是因為，只要形成區域(a)，則可以進行層(b)的真空紫外線照射導致的改性，也可以不進行。只要形成區域(a)，則可得到良好的阻氣性，可以高速成膜，且可得到高的生產性。但是，從更有效地形成區域(a)的觀點出發，層(b)基于真空紫外線照射進行的改性優選將照射能量調整為低于3j/cm2，更優選調整為低于1j/cm2，也可以優選選擇0j/cm2，即不進行基于真空紫外線照射的改性的方式。在形成層(b)時，在不進行真空紫外線照射的情況下，優選涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而得到的涂膜在5～40℃下、在相對濕度0～60％rh的條件下保存1～1000小時，其后，形成層(a)。即，就本發明的優選的一個實施方式而言，層(b)是涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而得到的涂膜在5～40℃下、在相對濕度0～60％rh的條件下保存1～1000小時而得到的。通過這種保存工序，可以抑制在從層(b)的涂布干燥后至形成層(a)期間，在層(b)的表面組成中產生不優選的變化，因此，認為高溫高濕條件下的阻氣性能提高。不優選的變化為如下變化：在以使用聚硅氮烷作為含硅化合物的情況為例列舉時，大氣中的水分和聚硅氮烷進行反應，層(b)表面的氮含量降低，氧含量增加。從阻氣性能的觀點出發，樹脂基材/層(b)/層(a)的順序的方式中的層(b)的1層膜厚(其為2層以上的疊層結構的情況下，為其總厚度)優選為10～1000nm，更優選為50～600nm，進一步優選為50～300nm。如果為該范圍，則阻氣性和耐久性的平衡變得良好，故優選。＜樹脂基材/層(a)/層(b)的方式＞樹脂基材/層(a)/層(b)的順序的方式的情況下，從阻氣性的觀點出發，優選形成層(a)之后，涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而形成涂膜，進一步更優選通過真空紫外線處理進行改性而形成層(b)。即，本方式的阻氣性膜的優選的制造方法包括：在樹脂基材上通過氣相成膜法形成含有過渡金屬化合物的層(a)的工序；包括在所述含有過渡金屬化合物的層(a)上涂布含有含硅化合物的涂布液并進行干燥而形成含硅層(b)的工序。該樹脂基材/層(a)/層(b)的順序的方式的情況下，接近于層(a)的層(b)的區域進行了改性時，基于層(a)產生的層(b)的氧化抑制效果提高，因此，優選在層(b)中至層(a)側的下表面進行改性。因此，從上表面照射172nm的真空紫外線對層(b)進行改性的情況下，為了使172nm光到達至層(b)的下表面，優選層(b)的厚度比較薄。具體而言，層(b)的1層膜厚(其為2層以上的疊層結構的情況下，為其總厚度)優選為300nm以下，更優選為200nm以下，進一步優選為150nm以下，特別優選為100nm以下。另一方面，即使層(b)過薄，阻氣性也劣化，因此，考慮阻氣性時，優選為5nm以上，更優選為10nm以上，進一步優選為20nm以上，特別優選為40nm以上。即，就本發明的優選的一個實施方式而言，層(b)的厚度為5nm以上、300nm以下。作為形成本方式中的區域(a)的方法，可列舉例如在形成層(a)之后，在5～40℃下、在相對濕度0～60％rh的條件下保存1～1000小時，其后形成層(b)的方法。[原子組成圖]本發明的阻氣性膜在厚度方向進行xps組成分析時得到的原子組成分布圖中，在用simxny表示組成時，具有滿足下述式(1)及式(2)的區域(a)(以下，也簡稱為區域(a))。具有這種構成的本發明的阻氣性膜，其高溫高濕環境下的耐久性優異。[數學式3]simxny0.2≤x≤3.00≤y≤0.6m：過渡金屬x：過渡金屬與硅原子的存在原子比y：氮原子與硅原子的存在原子比優選為所述含硅化合物含有聚硅氮烷，且所述y滿足下述式(3)的方式。[數學式4]0.05≤y≤0.6x為過渡金屬與硅原子的存在原子比，y為氮與硅原子的存在原子比，但區域(a)需要同時滿足式(1)及式(2)。即，發現顯現高的阻氣性的條件是：至少硅原子和過渡金屬原子同時存在的區域，且過渡金屬原子/硅原子的比率為0.2以上3.0以下。阻氣性顯現的機制不明確，但推定是：硅原子和過渡金屬原子同時存在，通過形成硅原子和過渡金屬原子直接鍵合成的高密度區域而顯現阻氣性。可以認為，即使過渡金屬原子/硅原子的比率低于0.2，另外，即使超過3.0，也由于硅原子和過渡金屬原子的鍵合減少，因此阻氣性降低。在本發明中，使用聚硅氮烷作為含硅化合物的方式的情況下，可得到特別顯著高的阻氣性。在該方式中，發現：形成硅原子、過渡金屬原子和氮原子同時存在的區域，過渡金屬原子/硅原子的比率為0.2以上3.0以下，且氮原子/硅原子的比率為0.05以上0.6以下，為顯現顯著高的阻氣性的條件。認為聚硅氮烷的硅-氮鍵(si-n鍵合)與用氣相成膜法等方法形成的過渡金屬原子相接時，或在與過渡金屬原子相接的狀態下施加真空紫外線等能量，由此容易形成為硅-過渡金屬的鍵合，推定為：與使用不具有其它硅-氮鍵的含硅化合物的情況相比，可得到顯著高的阻氣性。可以認為，氮原子/硅原子的比率低于0.05的情況相當于層(b)中所含的聚硅氮烷的含有比率低的情況，或聚硅氮烷改性而硅-氮鍵減少的情況等，從而阻氣性降低。另外，可以認為，氮原子/硅原子的比率超過0.6的情況下，氮原子增加，相應地相對而言硅原子和過渡金屬原子減少，硅-過渡金屬的鍵合也減少，因此，同樣地阻氣性降低。需要說明的是，區域(a)的厚度在下述所示的xps分析中，以sio2計得到深度方向以2.5nm為刻度的深度圖，因此，為2.5nm的整數倍的厚度。另外，區域(a)具有多種m的情況下，由對各金屬的含量進行加權得到的總和算出x。這種區域(a)的組成或厚度的控制可以通過如下等方法而進行，即，在形成如上所述的層(a)(或層(b))之后，至形成層(b)(或層(a))期間，在較低的溫度及濕度的條件下對膜進行保存，在干燥氮氣氛下進行保存。從可得到更高的阻氣性的觀點出發，在用simxnyoz表示區域(a)的原子組成時，優選在所述區域(a)中進一步具有下述式(4)表示的區域(b)。[數學式5]simxnyoz(4+ax)-(3y+2z)＞0(4)m：過渡金屬a：過渡金屬m的化學計量的價數x：過渡金屬與硅原子的存在原子比y：氮原子與硅原子的存在原子比z：氧原子與硅原子的存在原子比上述式(4)意指o和n的總計鍵數比si和m的總計鍵數少。其為推定，但可以認為，在上述式(4)的(4+ax)－(3y+2z)超過0的情況下，形成si和m的直接的鍵合，可以認為，(4+ax)－(3y+2z)的值越大，si和m的直接鍵合的比例越多，區域(a)的組成的密度越增加，阻氣性越進一步提高。區域(b)中的(4+ax)－(3y+2z)的最大值更優選為1以上，進一步優選為2以上，特別優選為3以上。(4+ax)－(3y+2z)的值的控制可以如下進行：例如，以通過濺射進行含有過渡金屬m的層的形成的情況為例列舉時，使用金屬、或化學計量上氧缺損的金屬氧化物作為靶材，適當調整在濺射時導入的氧的量。形成區域(b)的位置沒有特別限制，優選為層(a)和層(b)的界面附近。意指：如果在界面附近形成區域(b)，則在層(a)和層(b)的界面上形成si和m的復合氮氧化物層，這認為是因為，該si和m的共氧化氮化物層顯現較高的濕熱耐性。需要說明的是，區域(b)具有多種m的情況下，由各金屬的含量的加權的總和算出x。區域(a)及區域(b)的組成可以通過以下的方法進行測定。區域(a)的組成的測定通過xps分析，對層(a)和層(b)的界面附近測定厚度方向的組成分布圖，用simxnyoz表示組成。此時，由x和y的關系判定是否具有區域(a)。另外，在具有區域(a)的情況下，求出(4+ax)－(3y+2z)的值，進一步判定是否具有區域(b)。《xps分析條件》·裝置：ulvac-phi制造的quanterasxm·x射線源：單色化al-kα·濺射離子：ar(2kev)·深度圖：以sio2計相當于2.5nm的濺射后，重復測定，得到sio2計深度方向每2.5nm的深度圖·定量：用shirley法求出背景，由得到的峰面積使用相對靈敏度系數法進行定量。數據處理使用ulvac-phi株式會社制造的multipak。[具有各種功能的層]在本發明的阻氣性膜中，可以設置具有各種功能的層。(錨固涂層)在形成本發明的層(a)及層(b)側的樹脂基材的表面，以提高樹脂基材與層(a)或層(b)的密合性為目的，可以形成錨固涂層。作為用于錨固涂層的錨固涂劑，可以將聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸類樹脂、乙烯乙烯醇樹脂、乙烯基改性樹脂、環氧樹脂、改性苯乙烯樹脂、改性聚硅氧烷樹脂、及烷基鈦酸酯等單獨使用或2種以上組合而使用。在這些錨固涂劑中，可以加入現有公知的添加劑。而且，上述的錨固涂劑可以通過利用輥涂、凹版涂布、刀涂、浸涂、噴涂等公知的方法涂敷于支承體上，并對溶劑、稀釋劑等進行干燥除去而進行錨固涂敷。作為上述的錨固涂劑的涂布量，優選為0.1～5.0g/m2(干燥狀態)左右。另外，錨固涂層可以利用物理蒸鍍法或化學蒸鍍法這樣的氣相法而形成。例如，如日本特開2008-142941號公報所記載的那樣，可以以改善粘接性等目的形成以氧化硅為主體的無機膜。或者，通過形成日本特開2004-314626號公報所記載的錨固涂層，在其上利用氣相法形成無機薄膜時，可以某種程度上攔截從基材側產生的氣體，以控制無機薄膜的組成的目的形成錨固涂層。另外，錨固涂層的厚度沒有特別限制，優選為0.5～10μm左右。(棒涂層)在樹脂基材的表面(一個表面或兩個表面)可以具有棒涂層。作為棒涂層中所含的材料的實例，可列舉例如熱固化性樹脂或活性能量線固化性樹脂，但從成形容易方面考慮，優選活性能量線固化性樹脂。這種固化性樹脂可以單獨使用，或2種以上組合而使用。活性能量線固化性樹脂是指：通過紫外線或電子束那樣的活性能量線照射，經過交聯反應等而進行固化的樹脂。作為活性能量線固化性樹脂，優選使用含有具有烯屬不飽和雙鍵的單體的成分，通過照射紫外線或電子束那樣的活性能量線而使其固化，形成含有活性能量線固化性樹脂的固化物的層，即棒涂層。作為活性能量線固化性樹脂，作為代表的樹脂列舉紫外線固化性樹脂或電子束固化性樹脂等，但優選通過紫外線照射而進行固化的紫外線固化性樹脂。可以使用預先形成棒涂層的市售的樹脂基材。(平滑層)在本發明的阻氣性膜中，在樹脂基材和層(a)或層(b)之間可以具有平滑層。本發明所使用的平滑層為了使突起等存在的樹脂基材的粗面進行平坦化，或者填埋由于存在于樹脂基材的突起而在透明無機化合物層上產生的凹凸或針孔并從而進行平坦化而設置。這種平滑層基本上使感光性材料、或熱固化性材料固化而制作。作為平滑層的感光性材料，可列舉例如：含有具有自由基反應性不飽和化合物的丙烯酸酯化合物的樹脂組合物、含有丙烯酸酯化合物和具有硫醇基的巰基化合物的樹脂組合物；使環氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚亞烷基二醇丙烯酸酯、甲基丙烯酸甘油酯等多官能丙烯酸酯單體溶解而成的樹脂組合物等。具體而言，可以使用jsr株式會社制的uv固化型有機/無機雜化棒涂材opstar(注冊商標)系列。另外，可以使用如上所述的樹脂組合物的任意混合物，只要是含有分子內具有1個以上的光聚合性不飽和鍵的反應性的單體的感光性樹脂即可，沒有特別限制。作為熱固化性材料，具體而言，可列舉：clariant公司制造的tuttoprom系列(有機聚硅氮烷)、ceramiccoat株式會社制造的spcoat耐熱透明涂料、株式會社adeka制造的納米雜化聚硅氧烷、dic株式會社制造的unidic(注冊商標)v-8000系列、epiclon(注冊商標)exa-4710(超高耐熱性環氧樹脂)、信越化學工業株式會社制造的各種聚硅氧烷樹脂、日東紡株式會社制造的無機-有機納米合成材料ssg涂層、由丙烯酸多元醇和異氰酸酯預聚物形成的熱固化性聚氨酯樹脂、酚醛樹脂、尿素三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚硅氧烷樹脂等。其中，特別優選為具有耐熱性的環氧樹脂基材的材料。平滑層的形成方法沒有特別限制，優選利用旋涂法、噴霧法、刮板涂敷法、浸漬法等濕式涂敷法、或蒸鍍法等干式涂敷法而形成。在平滑層的形成中，可以在上述的感光性樹脂中根據需要加入抗氧化劑、紫外線吸收劑、增塑劑等添加劑。另外，與平滑層的疊層位置無關，即使在任意平滑層中，可以為了成膜性提高及防止膜產生針孔等而使用適當的樹脂或添加劑。作為平滑層的厚度，從提高膜的耐熱性，并容易調整膜的光學特性的平衡的觀點出發，優選為1～10μm的范圍，進一步優選設為2μm～7μm的范圍。平滑層的平滑性為用jisb0601：2001中指定的表面粗糙度顯現的值，十點平均粗糙度rz優選為10nm以上、30nm以下。如果為該范圍，則即使在以涂布形式涂布阻氣層的情況下，即使以線棒、無線棒等涂布方式使涂布裝置與平滑層表面接觸的情況下，涂布性的損害也較少，另外，也容易使涂布后的凹凸平滑化。[電子設備]本發明的阻氣性膜可以優選適用于由于空氣中的化學成分(氧、水、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等)而引起性能劣化的設備。即，本發明提供一種電子設備，其包含本發明的阻氣性膜和電子設備本體。作為用于本發明的電子設備的電子設備本體的實例，可以列舉例如：有機電致發光元件(有機el元件)、液晶顯示元件(lcd)、薄膜晶體管、觸摸面板、電子紙、太陽能電池(pv)等。從更有效地得到本發明的效果的觀點出發，該電子設備本體優選為有機el元件或太陽能電池，更優選為有機el元件。實施例使用以下的實施例及比較例說明本發明的效果。但是，本發明的技術的范圍并不僅限于以下的實施例。(比較例1：阻氣性膜1的制作)[樹脂基材]與在兩面進行了易粘接處理的厚度為100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜(東麗株式會社制造、lumirror(注冊商標)(u48))的形成層(b)的表面相反的表面面上，形成具有厚度為0.5μm的防結塊功能的透明棒涂層。即，涂布uv固化型樹脂(aica工業株式會社制、產品編號：z731l)并使干燥膜厚為0.5μm，然后，在80℃下進行干燥，其后，在空氣下，使用高壓水銀燈在照射能量0.5j/cm2的條件下進行固化。接著，在形成樹脂基材的層(b)一側的表面上，如下形成厚度2μm的透明棒涂層。涂布jsr株式會社制造的uv固化型樹脂opstar(注冊商標)z7527，使干燥膜厚為2μm，然后，在80℃下進行干燥，其后，在空氣下，使用高壓水銀燈照射能量0.5j/cm2的條件下進行固化。這樣，得到帶棒涂層的樹脂基材。以下、在實施例及比較例中，為了方便，將該帶棒涂層的樹脂基材簡稱為樹脂基材。[層(b)的形成]作為含硅化合物，使用作為氫倍半硅氧烷聚合物的fox-14(東麗道康寧株式會社制造、14質量％mibk溶液)。作為催化劑，相對于固體成分添加0.5質量％的乙酰丙酮鉑，進一步用甲基異丁基酮(mibk)進行稀釋，制作固體成分8質量％的涂布液。利用旋涂法將涂布液涂布在上述樹脂基材上，并使其干燥膜厚為100nm，在80℃下干燥2分鐘。將其設為阻氣性膜1。(實施例1：阻氣性膜2的制作)將上述阻氣性膜1在20℃、相對濕度50％rh的環境下保存24小時。其后，使用磁控管濺射裝置，使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成層(a)。[層(a)的形成]使用氧缺損型nb2o5靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的dc濺射進行成膜。預先利用玻璃基板進行成膜，通過調整氧分壓而進行組成條件的探索，發現從表層開始的深度10nm附近的組成成為nb2o3的條件。使用該條件，以厚度15nm進行成膜。將其設為阻氣性膜2。將該成膜條件設為“成膜條件a”。以下的制膜條件也通過進行同樣的預先研究來探索條件。(比較例2：阻氣性膜3的制作)在上述樹脂基材上，與實施例1同樣地操作，直接形成層(a)。將其設為阻氣性膜3。區域(a)的組成的測定對阻氣性膜2，在后述的條件下進行xps測定。將結果示于下述表1。如下述表1所示，確認形成區域(a)。＜阻氣性膜的ca法評價＞按照以下的測定方法評價阻氣性膜1～3的水蒸氣透過性。將如下所述制作的ca法評價試樣(利用透過濃度進行評價的類型)在40℃90％rh環境下保存，每5小時至100小時觀察ca的腐蝕率，測定透過濃度(任意4點的平均)。比較例的阻氣性膜1及3在5小時的時刻測定的透過濃度低于透過濃度初期值的50％，與此相對，本發明的阻氣性膜2在100小時的時刻測定的透過濃度為透過濃度初期值的50％以上，具有高阻氣性。(實施例2：阻氣性膜4的制作)[層(b)的形成]就層(b)而言，將含有下述所示的聚硅氮烷的涂布液涂布在上述樹脂基材上及進行干燥而形成涂膜，根據需要進行基于真空紫外線照射進行的改性而形成。將含有20質量％全氫聚硅氮烷的二丁基醚溶液(az電子材料株式會社制造、nn120-20)和含有胺催化劑(n,n,n',n'-四甲基-1,6-二氨基己烷(tmdah))的全氫聚硅氮烷20質量％的二丁基醚溶液(az電子材料株式會社制造、nax120-20)以4:1(質量比)的比例進行混合，并且為了調整干燥膜厚，用二丁基醚適當稀釋，制備涂布液。利用旋涂法將涂布液涂布在上述樹脂基材上，使干燥膜厚為150nm，在80℃下干燥2分鐘。接著，對干燥的涂膜，使用具有波長172nm的xe準分子燈的圖3的真空紫外線照射裝置，在下述表2-1所示的照射能量條件下進行真空紫外線照射處理。此時，照射氣氛用氮置換，氧濃度調整為0.1體積％。另外，將設置試樣的載樣臺溫度調整為80℃。圖3中，1為裝置室，將氮和氧從未圖示的氣體供給口適量供給至內部，從未圖示的氣體排出口進行排氣，由此，可以從室內部實質上除去水蒸氣，將氧濃度維持在指定的濃度。2為具有照射172nm的真空紫外線的雙重管結構的xe準分子燈(準分子燈光強度：130mw/cm2)，3為兼具外部電極的準分子燈的架。4為試樣臺。試樣臺4可以利用未圖示的移動裝置使裝置室1內在水平上以指定的速度往返移動。另外，試樣臺4可以利用未圖示的加熱裝置維持在指定的溫度。5為形成有聚硅氮烷化合物涂布層的試樣。試樣臺進行水平移動時，調整試樣臺的高度，使得試樣的涂布層表面和準分子燈管面的最短距離為3mm。6為遮光板，在xe準分子燈2的老化中，不對試樣的涂布層照射真空紫外線。在真空紫外線照射工序中照射于試樣涂布層表面的能量使用hamamatsuphotonics株式會社制造的紫外線累積光量計：c8026/h8025uvpowermeter，使用172nm的傳感器頭進行測定。在測定時，將傳感器頭設置于試樣臺4中央并使xe準分子燈管面與傳感器頭的測定面的最短距離為3mm，且供給氮和氧，使裝置室1內的氣氛成為與真空紫外線照射工序相同的氧濃度，使試樣臺4以0.5m/min的速度移動而進行測定。在測定之前，為了使xe準分子燈2的照度穩定，在xe準分子燈照明后設置10分鐘的老化時間，其后使試樣臺移動而開始測定。以該測定中得到的照射能量為基礎調整試樣臺的移動速度，由此進行調整，使得成為表2-1所示的照射能量。另外，在真空紫外線照射時，在10分鐘的老化后進行。[層(a)的形成]在形成層(a)之前，將層(b)形成已完成的膜在20℃、相對濕度50％rh的環境下保存24小時。其后，使用磁控管濺射裝置，使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成層(a)。使用氧缺損型nb2o5靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的dc濺射進行成膜，膜厚設為15nm。調整氧分壓，使膜組成成為nb2o3(成膜條件a)。這樣，制作阻氣性膜4。(實施例3：阻氣性膜5的制作)將形成層(b)時的真空紫外線的照射能量變更為0.2j/cm2，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜5。(實施例4：阻氣性膜6的制作)在形成層(b)時，不進行真空紫外線的照射，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜6。(實施例5：阻氣性膜7的制作)使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成層(a)，除此之外，與實施例4同樣地操作，制作阻氣性膜7。使用氧缺損型nb2o5靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的dc濺射進行成膜，膜厚設為30nm。調整氧分壓，使膜組成為nb2o3。將該成膜條件設為“成膜條件b”。(實施例6：阻氣性膜8的制作)使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成層(a)，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜8。使用氧缺損型nb2o5靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的dc濺射進行成膜，膜厚設為15nm。調整氧分壓，使膜組成為nb2o4。將該成膜條件設為“成膜條件c”。(實施例7：阻氣性膜9的制作)使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成層(a)，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜9。使用ta2o5靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的rf濺射進行成膜，膜厚設為15nm。調整氧分壓，使膜組成為ta2o3。將該成膜條件設為“成膜條件d”。(實施例8：阻氣性膜10的制作)使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成層(a)，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜10。使用ce靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的rf濺射進行成膜，膜厚設為15nm。調整氧分壓，使膜組成為ceo1.9。該成膜條件設為“成膜條件e”。(比較例3：阻氣性膜11的制作)除未形成層(a)之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜11。(比較例4：阻氣性膜12的制作)使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成含有si的層，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜12。使用多晶體si靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的dc濺射進行成膜，膜厚設為15nm。調整氧分壓，使膜組成為sio2。將該成膜條件設為“成膜條件f”。(比較例5：阻氣性膜13的制作)使用下述所示的靶材及成膜條件，在層(b)上形成含有al的層，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜13。使用al靶材作為靶材，通過使用ar和o2作為工藝氣體的dc濺射進行成膜，膜厚設為15nm。調整氧分壓，使膜組成為al2o3。將該成膜條件設為“成膜條件g”。(實施例9：阻氣性膜14的制作)在樹脂基材上以層(a)-層(b)的順序形成層，除此之外，與實施例2同樣地操作，制作阻氣性膜14。需要說明的是，形成層(a)之后，在形成層(b)之前，將已形成層(a)的膜在20℃、相對濕度50％rh的環境下保存24小時。(實施例10：阻氣性膜15的制作)將層(a)的干燥膜厚設為40nm，除此之外，與實施例9同樣地操作，制作阻氣性15。(實施例11：阻氣性膜16的制作)將層(a)的干燥膜厚設為100nm，除此之外，與實施例9同樣地操作，制作阻氣性16。(實施例12：阻氣性膜17的制作)將層(a)的干燥膜厚設為250nm，除此之外，與實施例9同樣地操作，制作阻氣性17。(實施例13：阻氣性膜18的制作)在樹脂基材上、以層(a)-層(b)的順序形成層，除此之外，與實施例6同樣地操作，制作阻氣性膜18。(比較例6：阻氣性膜19的制作)除未形成層(a)之外，與實施例12同樣地操作，制作阻氣性膜19。(比較例7：阻氣性膜20的制作)在樹脂基材上以層(a)-層(b)的順序形成層，除此之外，與比較例4同樣地操作，制作阻氣性膜20。(比較例8：阻氣性膜21的制作)在樹脂基材上以層(a)-層(b)的順序形成層，除此之外，與比較例5同樣地操作，制作阻氣性膜21。(評價方法)區域(a)的組成的測定通過xps分析，對層(a)和層(b)的界面附近，測定厚度方向的組成分布圖，用simxnyoz表示組成。此時，由x和y的關系判定是否具有區域(a)。另外，在具有區域(a)的情況下，求出(4+ax)－(3y+2z)的值，進一步判定是否具有區域(b)。《xps分析條件》·裝置：ulvac-phi制造的quanterasxm·x射線源：單色化al-kα·濺射離子：ar(2kev)·深度圖：以sio2計相當于2.5nm的濺射后，重復測定，得到以sio2計深度方向以2.5nm為刻度的深度圖。·定量：用shirley法求出背景，由得到的峰面積使用相對靈敏度系數法進行定量。數據處理使用ulvac-phi公司制造的multipak。＜阻氣性膜的ca法評價＞按照以下的測定方法評價各阻氣性膜的水蒸氣透過性(阻氣性)。將如下述那樣制作的ca法評價試樣(利用透過濃度進行評價的類型)在85℃85％rh環境下保存，每間隔一定時間觀察ca的腐蝕率。1小時、5小時、10小時、20小時，其以后每20小時進行觀察，測定透過濃度(任意4點的平均)，將測定的透過濃度成為低于透過濃度初期值的50％的時刻的觀察時間設為阻氣性的指標。在500小時的保存下測定的透過濃度為透過濃度初期值的50％以上的情況設為500小時以上。對將阻氣性膜的阻氣層表面進行uv清洗之后，在阻氣層面上以厚度20μm貼合作為密封樹脂層的熱固化型的片狀粘接劑(環氧類樹脂)。將其沖切成50mm×50mm的尺寸之后，放入手套箱內，進行24小時干燥處理。對50mm×50mm尺寸的無堿玻璃板(厚度0.7mm)的一個表面進行uv清洗。使用alstechnology株式會社制造的真空蒸鍍裝置，在玻璃板的中央隔著掩模以20mm×20mm的尺寸蒸鍍ca。ca的厚度設為80nm。取出手套箱內的已進行ca蒸鍍的玻璃板，進行配置使得貼合有密封樹脂層的阻氣性膜的密封樹脂層面和玻璃板的ca蒸鍍面相接，通過真空層壓進行粘接。此時，進行110℃的加熱。并且，將粘接的試樣在設定為110℃的電熱板上使玻璃板為下而放置，使其固化30分鐘，制作評價用槽。將各實施例及比較例的阻氣性膜的制造條件及原子組成分別示于表2及表3，將評價結果分別示于表4及表5。由上述結果可知：就阻氣性膜4～10、及14～18而言，高溫高濕環境下的耐久性優異。可知：通過與不具有區域(a)的阻氣性膜11～13、及19～21的比較，這種效果通過區域(a)存在而實現。進一步可知：(4+ax)－(3y+2z)的最大值為3以上阻氣性膜5～7、及16～17，高溫高濕環境下的耐久性更優異。需要說明的是，本申請基于2015年2月25日所申請的日本專利申請第2015-35040號，其公開內容通過參照作為整體被引用。當前第1頁12