阻氣膜、電子器件及阻氣膜的制造方法與流程

本發明涉及一種利用于電子器件的制造等中的阻氣膜、利用該阻氣膜的電子器件及該阻氣膜的制造方法。

背景技術：

在有機EL顯示器等顯示裝置、半導體裝置、太陽能電池等具有因水分而劣化的元件的各種電子器件；容納因水分或氧而變質的藥劑的輸液袋；容納同樣因水分或氧而劣化的食品的管或包裝袋等中利用阻氣膜。

阻氣膜中，作為一例具有如下結構：將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等樹脂薄膜作為支撐體，在該支撐體上形成有包含具有阻氣性的材料的阻氣層。

例如，專利文獻1中，作為包裝袋用阻氣膜(包裝袋用層疊膜)，記載有層疊型阻氣膜，該層疊型阻氣膜在支撐體上具有印刷層，在印刷層上具有粘結層，在粘結層上具有阻氣層，在阻氣層上具有密封膠層。

并且，專利文獻1中還記載有對支撐體實施用于使包裝袋的開封性良好的傷痕加工。而且，專利文獻1中還記載有在印刷層上形成用于對傷痕加工的形成位置進行定位的識別標記(注視標記(eye mark))。

這種阻氣膜中，作為可得到更高的阻氣性的結構，已知有具有有機無機層疊結構的阻氣膜，該有機無機層疊結構通過交替形成成為基底層(底涂層)的有機層和包含形成于該有機層上的無機化合物的無機層而成。該阻氣膜中的阻氣性主要在無機層顯現。

具有有機無機層疊結構的阻氣膜通過具有成為基底層的有機層而能夠將顯現阻氣性的無機層作為連續膜而適當地形成，因此具有非常高的阻氣性。并且，還已知通過具有多個有機層與無機層的層疊結構，可得到更高的阻氣性。

作為具有有機無機層疊結構的阻氣膜，例如專利文獻2中記載有如下阻氣膜(阻隔性薄膜基板)：在塑料薄膜的表面具有包含至少一層有機層和至少兩層無機層的有機層與無機層的交替層疊體，有機層包含選自聚脲、聚氨酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯及聚丙烯酸甲酯中的一種以上的有機化合物，并且有機化合物的99.5質量％以上在25℃下為固體。

然而，有機電致發光器件(有機EL器件)或太陽能電池等電子器件通常形成在玻璃基板上。

相對于此，近年來，可實現輕量性和柔性優異的電子器件，因此開始將樹脂薄膜用作基板。通過將樹脂薄膜用作電子器件的基板，能夠以輥對輥(Roll to Roll)的方式制作，因此在生產效率和生產成本方面也有利。

在此，通常有機EL器件或太陽能電池的耐水性較弱，容易因水分而劣化。因此，將阻氣膜作為基板而制作有機EL器件等，由此還可考慮到防止水分的進入。

例如，上述專利文獻2中記載有將具有有機無機層疊結構的阻氣膜作為基板而制作有機EL器件的內容。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-102048號公報

專利文獻2：日本特開2007-30387號公報

技術實現要素：

發明要解決的技術課題

為了將具有有機無機層疊結構的阻氣膜作為基板而制作電子器件，需要形成如專利文獻1中所述的識別標記，以使進行元件的形成部件的對位等。

然而，具有有機無機層疊結構的阻氣膜中，主要顯現阻氣性的無機層較硬且較脆。因此，根據識別標記的形成位置，無機層中應力集中在局部而導致損傷無機層，且導致阻氣性大幅降低。

并且，用作電子器件的基板的阻氣膜中并不存在如專利文獻1所示的包裝袋用阻氣膜那樣可形成識別標記的印刷層。

本發明的目的在于解決這種以往技術的問題點，且在于提供一種阻氣膜、利用該阻氣膜的電子器件及該阻氣膜的制造方法，該阻氣膜可較佳地利用于如有機EL器件的電子器件的制造等，且具有識別標記，其中，該阻氣膜具有基于有機無機層疊結構的較高的阻氣性，而且還可防止由識別標記引起的無機層的損傷。

用于解決技術課題的手段

為了解決該課題，本發明提供一種阻氣膜，該阻氣膜的特征在于，具有：支撐體；有機無機層疊結構，形成在支撐體上且具有至少一層有機層及至少一層無機層，并交替層疊有機層及無機層而成；及識別標記，形成于至少一層有機層的形成面。

這種本發明的阻氣膜中，優選在支撐體的表面形成識別標記及有機層。

并且，優選形成于識別標記的形成面的有機層吸收因識別標記而產生的凹凸而具有平坦的表面。

并且，優選形成于識別標記的形成面的有機層具有識別標記的兩倍以上的厚度。

而且，優選識別標記的厚度為200nm以下，且形成于識別標記的形成面的有機層的厚度為500nm以上。

并且，本發明提供一種電子器件，其特征在于，在本發明的阻氣膜上形成有構成電子器件的電子元件。

并且，本發明提供一種阻氣膜的制造方法，其特征在于，在支撐體上形成有機無機層疊結構，并且在形成至少一層有機層之前，在有機層的形成面形成識別標記，該有機無機層疊結構具有至少一層有機層和至少一層無機層，且交替層疊有機層和無機層而成。

這種本發明的阻氣膜的制造方法中，優選在支撐體形成識別標記及有機層。

并且，優選通過利用組合物的涂布法來形成有機層，該組合物包含聚合性化合物。

發明效果

根據本發明，在具有顯現較高的阻氣性的有機無機層疊結構的阻氣膜中，形成有識別標記，并且識別標記被有機層覆蓋，因此能夠防止由于識別標記引起無機層中應力集中在局部而無機層受損。

從而，根據本發明，能夠利用形成有識別標記且具有較高的阻氣性的阻氣膜而制造有機EL器件等電子器件。

附圖說明

圖1為示意性地表示本發明的阻氣膜的一例的圖。

圖2(A)及圖2(B)為示意性地表示本發明的阻氣膜另一例的圖。

圖3為示意性地表示本發明的阻氣膜的另一例的圖。

圖4(A)及圖4(B)為示意性地表示以往的阻氣膜的一例的俯視圖，圖4(C)為示意性地表示本發明的阻氣膜的一例的俯視圖。

圖5(A)為示意性地表示以往的阻氣膜的一例的圖，圖5(B)為示意性地表示本發明的阻氣膜的一例的圖。

具體實施方式

以下，根據附圖中所表示的較佳實施例，對本發明阻氣膜、電子器件及阻氣膜的制造方法進行詳細說明。

圖1中示意性地表示本發明的阻氣膜的一例。

圖1所示的阻氣膜10基本上具有如下而構成，即支撐體12、形成于支撐體12的表面的第一層有機層14、形成于有機層14的表面的第一層無機層16、形成于第一層無機層16的表面的第二層有機層14、形成于第二層有機層14的表面的第二層無機層16。并且，在支撐體12的表面形成有識別標記20。

以下將進行詳細說明，形成于無機層16的底層的有機層14作為用于適當形成無機層16的基底層(底涂層)而發揮作用。即，圖1所示的阻氣膜10具有兩組成為基底的有機層14和在其上的無機層16的組合。

另外，本發明的阻氣膜并不限定于該結構，若具有交替形成有機層14和無機層16的有機無機層疊結構，則可利用各種結構。

例如，如圖2(A)中示意性地表示的阻氣膜30，可以在最上層具有第三層有機層14。該情況下，最上層的有機層14作為用于保護無機層16的保護層而發揮作用。

或者，如圖2(B)中示意性地表示的阻氣膜32，可以為僅具有一組無機層16和成為基底的有機層14的組合的結構。或者，可以為具有三組以上的無機層16和成為基底的有機層14的組合的結構。

而且，還可以為在支撐體12上形成無機層16，并在其上具有一組以上的無機層16和成為基底的有機層14的組合的結構。有機層14基本上通過涂布法形成，但在形成有機層14的組合物中包含溶解支撐體12的成分的情況下，通過該結構能夠保護支撐體12。

阻氣膜10中，關于支撐體12，并不限定于具有有機無機層疊結構的阻氣膜，還可以利用在各種阻氣膜或各種層疊型阻氣膜中作為支撐體而利用的各種公知的片狀物。

作為支撐體12，具體而言，優選例示包含聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯等各種樹脂材料(高分子材料)的薄膜。

并且，本發明中，可以將在這種樹脂材料制薄膜的表面形成有保護層、粘結層、反光層、防反射層、遮光層、平坦化層、緩沖層、應力緩和層等用于獲得各種功能的層(膜)的物體用作支撐體12。

圖1(圖2(A)及圖2(B))所示的阻氣膜10中，在支撐體12的表面即有機層14的形成面形成識別標記20。識別標記20使用于在阻氣膜10的表面或背面形成電子器件等的圖案時，在阻氣膜10的表面或背面層疊其他基材等時等的對位等。

關于識別標記20，在以下進行詳細說明。

另外，本例中，阻氣膜10的表面為形成有機層及無機層的一側，背面為未形成有機層及無機層的一側。

阻氣膜10具有兩層有機層14。如圖示例，形成于無機層16的下側的有機層14作為用于適當形成顯現阻氣性的無機層16的基底層而發揮功能。

通過具有成為這種基底層的有機層14，包埋支撐體12的表面的凹凸、粘附在支撐體12的表面的雜質等而可將無機層16的成膜面設成適合無機層16的成膜的狀態。由此，可去除如支撐體12的表面的凹凸或雜質的痕跡等成為無機層16的無機化合物不易附著膜的區域，且可在基板的整個表面，無間隙地形成適當的無機層16。

另外，如圖2(A)所示的阻氣膜30，形成于阻氣膜的表面(最表層)的有機層14作為用于保護無機層16的保護層(外涂層)而發揮作用的情況如上述。

有機層14為包含有機化合物的層，基本上是聚合單體或低聚物等而成。有機層14的形成材料并無限定，可利用各種公知的有機化合物。

具體而言，優選例示聚酯、丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟樹脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、纖維素酰化物、聚氨酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂環式聚烯烴、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴環改性聚碳酸酯、脂環改性聚碳酸酯、芴環改性聚酯、丙烯酸化合物等熱塑性樹脂或聚硅氧烷、其他有機硅化合物的膜。該些可以并用多種。

其中，從玻璃化轉變溫度或強度優異等方面考慮，優選由自由聚合性化合物和/或于官能團具有醚基的陽離子聚合性化合物的聚合物構成的有機層14。

其中，除了上述玻璃化轉變溫度或強度優異以外，從折射率較低，透明性較高的光學特性優異等方面考慮，尤其優選例示以丙烯酸酯和/或丙烯酸甲酯的單體或低聚物等的聚合物為主成分的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂來作為有機層14。

其中，尤其優選例示二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(DPGDA)、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(DPHA)等以2官能以上、尤其3官能以上的丙烯酸酯和/或丙烯酸甲酯的單體或低聚物等的聚合物為主成分的丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂。并且，優選使用多種這種丙烯酸樹脂或甲基丙烯酸樹脂。

另外，除了這種主要成為有機層14的有機化合物以外，有機層14還可以含有溶劑、表面活性劑、聚合引發劑、硅烷偶聯劑等各種成分。

在此，有機層14優選不包含溶解后述的溶解識別標記20的成分。

有機層14的厚度并無限定，優選設為500～5000nm。

通過將有機層14的厚度設為500nm以上，能夠包埋支撐體12的表面的凹凸或粘附于支撐體12的表面的雜質而將有機層14的表面，即無機層16的成膜面平坦化。

并且，通過將有機層14的厚度設為5000nm以下，能夠較佳地抑制產生因有機層14過厚而引起的有機層14的龜裂和阻氣膜10的翹曲等問題。

考慮到以上方面，有機層14的厚度更優選設為1000～3000nm。

在此，在形成有識別標記20的層表面所形成的有機層14，換言之，覆蓋識別標記20的有機層14優選包埋因識別標記20引起的形成面的段差而其表面平坦。

而且，為了形成平坦的有機層14，覆蓋識別標記20的有機層14優選具有識別標記20的厚度的兩倍以上的厚度。即，圖1所示的阻氣膜10中，形成于支撐體12的表面的有機層14優選具有識別標記20的厚度的兩倍以上的厚度。

通過將覆蓋識別標記20的有機層14的厚度設為識別標記20的厚度的兩倍以上，能夠吸收因具有識別標記20而產生的支撐體12的凹凸而使該有機層14的表面平坦。由此，能夠在覆蓋識別標記20的有機層14上適當形成無機層16。

具體而言，覆蓋識別標記20的有機層14的厚度優選500nm以上，更優選1000nm以上，進一步優選2000nm以上。

將進行后述，識別標記20的厚度優選200nm以下。因此，通過將覆蓋識別標記20的有機層14的厚度設為500nm以上，能夠進一步較佳地吸收因具有識別標記20而產生的支撐體12的凹凸來使該有機層14的表面平坦。

另外，本發明中，覆蓋識別標記20的有機層14的表面平坦表示，作為一例，在以識別標記20為中心的半徑1mm的范圍內，有機層14表面的最高位置與最低位置的高度差為100nm以下。

并且，以識別標記20為中心的半徑1mm的范圍是指具有與內切識別標記20的圓的中心相同的中心的半徑1mm的圓的內側。

這種表面平坦的有機層14可使用將上述TMPTA等聚合性化合物溶解于溶劑而成的液狀組合物，并通過形成包含有機化合物的層的所謂涂布法而形成。

本發明中，如圖1所示的阻氣膜10，具有多個有機層14的情況下，各有機層14的厚度可以相同，也可以彼此不同。并且，各有機層14的形成材料可以相同也可以不同。

無機層16為包含無機化合物的層。

阻氣膜10中的阻氣性主要由無機層16顯現。

無機層16的形成材料并無限定，可利用各種包含顯現阻氣性的無機化合物的層。

具體而言，優選例示包含氧化鋁、氧化鎂、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈦、氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物；氮化鋁等金屬氮化物；碳化鋁等金屬碳化物；氧化硅、氧化氮化硅、氧碳化硅、氧化氮化碳化硅等硅氧化物；氮化硅、氮化碳化硅等硅氮化物；碳化硅等硅碳化物；它們的氫化物；它們的兩種以上的混合物；及它們的含氫化合物等無機化合物的膜。

尤其，氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁從透明性較高并且能夠顯現優異的阻氣性的方面考慮，優選利用。其中，氮化硅除了阻氣性優異以外，透明性也較高，因此尤其優選利用。

關于無機層16的膜厚，根據形成材料，適當確定能夠顯現作為目標的阻氣性的厚度即可。另外，根據本發明人的研究，無機層16的厚度優選設為10～200nm。

通過將無機層16的厚度設為10nm以上，可形成穩定地顯現充分的阻氣性的無機層16。并且，無機層16通常較脆，若過厚則有可能產生龜裂或裂紋、剝離等，從而通過將無機層16的厚度設為200nm以下，能夠防止產生龜裂。

并且，考慮到這種方面，無機層16的厚度優選設為15～100nm，尤其優選設為20～75nm。

另外，本發明中，如圖1所示的阻氣膜10或圖2(A)所示的阻氣膜30，具有多個無機層16的情況下，各無機層16的厚度可以相同也可以不同。并且，同樣地，阻氣膜具有多個無機層16的情況下，各無機層16的形成材料可以相同也可以不同。

阻氣膜10在支撐體12的表面具有識別標記20。

阻氣膜10中，在將阻氣膜10用作基板的電子器件的制造等中，識別標記20可利用于各種用途。

作為一例，識別標記20可利用于通過輥對輥(Roll to Roll)等沿長邊方向輸送長條狀阻氣膜10時的阻氣膜10的蛇行(meandering)的控制等。以下的說明中，還將“輥對輥”稱為“RtoR”。

并且，識別標記20可利用于施加張力的情況等阻氣膜10變形時的張力或變形的控制。

并且，將阻氣膜10作為基板的電子器件的制造中，識別標記20還可利用于形成構成電子器件的電子元件等的一種或多種圖案等時的元件等的形成位置的對位、阻氣膜10的變形測定或校正、阻氣膜10與圖案等的形成裝置之間的間隙的測定或控制等中。

并且，識別標記20還可利用于進行阻氣膜10彼此的貼合或阻氣膜10與其他基材的貼合等時的對位、對時、間隙的控制等中。

而且，識別標記20還可利用于阻氣膜10的制造信息或長條狀阻氣膜10的長邊方向上的位置信息的獲取等。

即，本發明的阻氣膜10中，識別標記20可利用于各個部件的對位或輸送的控制，各種信息的提供等，也可作為成為電子器件等的制造中的位置的基準的所謂全球對準標記而利用。

本發明的阻氣膜10中，利用于這種用途的識別標記20形成于有機層14的形成面。換言之，本發明的阻氣膜10中，在識別標記20的形成面形成有機層14。即，識別標記20被有機層14覆蓋。

如圖1所示的阻氣膜10，優選在支撐體12形成識別標記20及有機層14。

本發明中，通過具有這種結構，在具有有機無機層疊結構的阻氣膜中，實現了可作為有機EL器件等的基板而較佳地利用的阻氣膜。

如上述，作為阻氣性較高的阻氣膜，已知有具有交替形成顯現阻氣性的無機層16和成為該無機層的基底層的有機層14而成的有機無機層疊結構的阻氣膜。并且，還可考慮將具有有機無機層疊結構的阻氣膜用作有機EL器件等電子器件的基板。

為了將具有有機無機層疊結構的阻氣膜用作電子器件的基板，需要形成用于進行構成電子器件的電子元件的圖案的定位的對準標記等識別標記。

在具有有機無機層疊結構的阻氣膜形成識別標記的情況下，通常考慮在表面或背面形成識別標記。即，若為圖1所示的阻氣膜10，則考慮在最表層的無機層16的表面或支撐體12的背面形成識別標記。

然而，根據本發明人的研究，若在阻氣膜10的表面或背面形成識別標記20，則由于因識別標記20而產生的凹凸，在電子器件的制造工序或操作時的物理接觸、伴隨電子器件的制造時的加熱的工序或藥液工序等中，有可能對無機層16的局部施加力或應力，從而導致損傷無機層16。

具有有機無機層疊結構的阻氣膜10中，顯現阻氣性的為無機層16。因此，若無機層16受損，則導致阻氣性降低。

并且，如圖4(A)及圖5(A)中示意性表示，將阻氣膜10使用于電子器件的基板的情況下，為了避免因無機層16受損而引起的阻氣性降低的影響，考慮在識別標記20與電子器件的形成區域DA或密封端部P之間設置裕度空間。即，考慮將電子器件的形成間隔設為較寬，并將電子器件的形成區域DA或密封端部P與識別標記20之間的間隔設為較寬，從有可能因識別標記20而無機層16受損且以虛線表示的區域d去除形成區域DA或密封端部P。

然而，在該情況下，電子器件的成品效率即面積使用效率變差而導致電子器件的制造成本增大。

為了使電子器件的成品效率良好，如圖4(B)中示意性表示，還可考慮減少識別標記20的數量。

然而，如上述若減少識別標記20的數量，則導致構成電子器件的各圖案之間的對位精度或薄膜等的貼合位置精度降低。

另外，圖4(A)～圖4(C)、圖5(A)及圖5(B)中，符號C為各電子器件各自的切斷部。

并且，圖5(A)及圖5(B)中，符號36為密封部件，符號38為密封薄膜。而且，圖5(A)中，左側電子器件的密封部件36例示邊緣密封，右側電子器件的密封部件36例示整面密封。

在阻氣膜10的表面或背面形成識別標記20的情況下，考慮以無機層16不受損的方式進行之后的工序。然而，該情況下，為了以無機層16不受損的方式進行之后的工序，因各種工序或設備的制約而有可能增加電子器件等的生產成本。

而且，阻氣膜10通過RtoR制造的情況較多，并且利用通過RtoR制造的阻氣膜10的電子器件的制造工序等中利用RtoR的情況也較多。在此，若在表面或背面具有識別標記20，則由于因識別標記而產生的凹凸，卷繞阻氣膜10時，在寬度方向上只有識別標記的形成位置隆起而無法進行均勻的卷取。

相對于此，關于本發明的阻氣膜10，在具有有機無機層疊結構的阻氣膜中，覆蓋識別標記20而形成有機層14。

因此，本發明的阻氣膜10中，可由有機層14包埋因具有識別標記20而產生的凹凸。因此，物理接觸、伴隨加熱的工序或藥液工序中，防止對無機層16的局部施加力或應力，從而防止無機層16受損。并且，通過RtoR卷繞時，也可均勻地卷繞阻氣膜10。

而且，本發明的阻氣膜10中，確保了識別標記20的形成位置和其周邊的平坦性及阻氣性。因此，如圖4(C)及圖5(B)中示意性表示將阻氣膜10使用于有機EL器件等電子器件的基板時，能夠將電子器件的形成區域DA或密封端部P與識別標記20之間的間隔最小化。其結果，能夠提高電子器件的成品效率，并降低電子器件的制造成本。而且，無需減少識別標記20的數量，因此能夠以高精度進行構成電子器件的各圖案之間的對位、薄膜等的貼合。并且，還能夠防止因無機層16的損傷而產生的水分等對電子器件產生的不良影響。

有機層14與無機層16的層疊方向上的識別標記20的形成位置并不限定于圖1所示的支撐體12的表面。

即，若為有機層14的形成面，則識別標記20可形成于層疊方向上的各層。例如，如圖3中示意性表示，可以在第一層無機層16的表面形成識別標記20及第二層有機層14。或者，可以在不同的多個層中形成識別標記20。

但是，考慮到識別標記20的形成容易性、防止無機層16受損等，如圖1所示，識別標記20優選僅在支撐體12形成而在支撐體12的表面形成有機層14。

阻氣膜10的面方向上的識別標記20的形成位置、數量及大小根據阻氣膜10的用途、阻氣膜10的大小、后工序中的狹縫寬度、電子器件的布置、識別標記20的用途、識別標記20的形狀、識別標記檢測機的能力等適當設定即可。另外，利用RtoR的情況下，阻氣膜10的大小是指阻氣膜10的寬度。

識別標記20的形狀可根據識別標記20的用途等而使用記號、數字、文字、圖案化的花樣、未圖案化的花樣等各種形狀。

作為一例，將識別標記20用作對位，即所謂的對準標記的情況下，例示十字、印刷等中所使用的規矩線、四邊形等多邊形、圓或橢圓或點、莫爾條紋干涉圖案等。

將識別標記20用作薄膜的變形量測定用標記的情況下，例示十字、印刷等中所使用的規矩線、四邊形等多邊形、圓或橢圓或點、莫爾條紋干涉圖案等。

將識別標記20利用于間隙控制的情況下，例示各種形狀的光反射性區域、莫爾條紋圖案等。

而且，將識別標記用作制造信息、工序條件信息、長邊的位置信息的各種信息源的情況下，例示文字、數字、各種記號等。

識別標記20的形成材料可利用在對準標記等中所利用的公知的各種材料。因此，識別標記20的形成材料中可利用在各種對準標記等中所利用的各種公知的具有光吸收性或光反射性的材料或公知的透明、半透明的材料。

作為一例，作為具有光吸收性或光反射性的材料，例示鉻、鋁等各種金屬材料、各種油墨等。并且，作為透明、半透明材料，例示氧化銦錫(ITO)或氧化鋅等透明導電性材料或氧化硅、氧化鋁、氮化硅等介電質材料等。

另外，識別標記20通常由可通過可見光檢測的材料形成。然而，根據需要，可以由僅以特定波長光可檢測的材料形成識別標記20，如僅以紅外線可檢測的材料、僅以紫外線可檢測的材料等。

識別標記20的厚度根據覆蓋識別標記20的有機層14的厚度、阻氣膜10的厚度、層疊方向上的識別標記20的位置、阻氣膜10的面方向上的識別標記20的位置等適當設定即可。

在此，如上述，識別標記20的厚度優選為有機層14的1/2以下。由此，通過吸收因具有識別標記20而產生的支撐體12的凹凸，可在工序中使覆蓋識別標記20的有機層14的表面平坦化。

具體而言，識別標記20的厚度優選為200nm以下，更優選為100nm以下，進一步優選為50nm以下。如上述，覆蓋識別標記20的有機層14的厚度優選為500nm以上。因此，將識別標記20的厚度設為200nm以下，由此通過吸收因具有識別標記20而產生的支撐體12的凹凸而可進一步較佳地使覆蓋識別標記20的有機層14的表面平坦。

并且，識別標記20的厚度優選還考慮識別標記20的形成材料來設定。作為一例，在識別標記20的形成材料為金屬等具有光吸收性或光反射性的材料的情況下，識別標記20的厚度優選為30nm以上。并且，識別標記20的形成材料為介電質等透明、半透明的材料的情況下，識別標記20的厚度優選為150nm以上。

根據識別標記的形成材料設定識別標記20的厚度，由此能夠可靠地檢測識別標記20等，因此優選。

而且，識別標記并不限定于如圖示例那樣的凸狀，也可以為凹狀。

識別標記為凹狀的情況下，上述識別標記20的厚度可以取代識別標記的深度。并且，可使用金屬材料或油墨對凹狀識別標記標顏色。

本發明的電子器件為如下：在這種本發明的阻氣膜10(30、32)的表面或背面或兩面形成構成有機EL器件的有機EL元件、構成太陽能電池的光電轉換元件等構成電子器件的電子元件而成。

本發明的電子器件可利用所有的公知的各種電子器件。具體而言，例示有機EL器件、太陽能電池、電子紙、電致變色器件、觸摸面板等。

這種電子器件通過公知的方法制作即可。

另外，本發明的阻氣膜10具有識別標記20，因此能夠使用其來進行構成電子元件的圖案的形成位置的定位或RtoR中的阻氣膜10的蛇行的控制。因此，根據本發明，可穩定地得到適當的電子器件。

以下，通過對圖1所示的阻氣膜10的制造方法的一例進行說明來對本發明的阻氣膜的制造方法進行說明。

另外，本發明的制造方法中，可以通過RtoR制作阻氣膜10或者還可以使用切片狀支撐體12并由所謂的單片式(批量式)來形成阻氣膜10。

如眾所周知，RtoR是指如下制作方法：從將長條狀被成膜材料卷繞成輥狀而成的材料輥送出被成膜材料，并將被成膜材料沿長邊方向輸送的同時進行成膜，將已成膜的被成膜材料再次卷繞成輥狀。考慮到生產性，本發明的制造方法中優選利用RtoR。

另外，以下所示的制作方法中，通過RtoR形成的阻氣膜與通過單片式形成的阻氣膜基本上相同。

首先，在支撐體12的一面的規定位置形成識別標記20。

識別標記20根據形成材料而通過公知的方法形成即可。

例如，以金屬形成識別標記20的情況下，例示基于使用掩膜的金屬膜的成膜的形成方法；在支撐體12形成金屬膜之后，利用光刻等進行蝕刻的形成方法；基于使用金屬漿料等的印刷的形成方法等。另外，金屬膜的成膜通過真空蒸鍍、濺射、等離子體CVD等公知的氣相沉積法形成即可。

并且，以油墨形成識別標記20的情況下，通過凸版印刷、凹版印刷、網版印刷、噴墨等公知的印刷方法形成識別標記20即可。

接著，在支撐體12的形成有識別標記20的一面形成有機層14。

有機層14根據欲形成的有機層14而通過公知的方法形成即可。作為一例，有機層14通過如下所謂的涂布法形成：制備包含有機溶劑、成為有機層14的聚合性化合物(單體、二聚體、三聚體、低聚物、聚合物等)、表面活性劑、硅烷偶聯劑等的組合物，并將該涂布液進行涂布、干燥，進而根據需要通過紫外線照射等聚合(交聯)聚合性化合物。

在此，如上述，有機層14優選不包含溶解識別標記20的成分。因此，通過涂布法形成有機層14的情況下，優選使用不溶解識別標記20的溶劑來制備成為有機層14的組合物。并且，除了溶劑以外，成為有機層14的組合物優選還不包含溶解識別標記20的成分。

接著，在有機層14的表面形成無機層16。

無機層16也根據欲形成的無機層16而通過公知的方法形成即可。作為一例，無機層16通過CCP-CVD或ICP-CVD等的等離子體CVD、磁控濺射或反應性濺射等濺射、真空蒸鍍等氣相成膜法形成。

接著，在無機層16表面，以與上述相同的方式形成第二層有機層14。另外，該第二層有機層14可以使用包含溶解識別標記的溶劑等的組合物來形成。

而且，在第二層有機層14的表面，以與上述相同的方式形成第二層無機層16來制作阻氣膜10。

通過進一步重復進行該有機層14與無機層16的形成，可得到具有三組以上的基底的有機層14和無機層16的組合的阻氣膜。并且，可以在最上層，以相同的方式形成用于保護無機層16的有機層14。

另外，制作圖3所示的阻氣膜32的情況下，在支撐體12的表面不形成識別標記20，而形成第一層有機層14及無機層16之后，在第一層無機層16的表面，以與上述相同的方式形成識別標記20。

接著，在形成有識別標記20的無機層16上，以與上述相同的方式形成第二層有機層14及無機層16即可。

以上，對本發明的阻氣膜、電子器件及阻氣膜的制造方法進行了詳細說明，但本發明并不限定于上述實施例，在不脫離本發明的宗旨的范圍內，可進行各種改良或變更。

實施例

以下，舉出本發明的具體實施例來對本發明進行進一步詳細的說明。

[實施例1]

制作了在支撐體12上具有識別標記20、第一層有機層14、第一層無機層16、第二層有機層14及第二層無機層16的如圖1所示的阻氣膜10。

支撐體12使用了寬度1000mm、厚度100μm、長度100m的PET薄膜(TOYOBO CO.,LTD.制COSMOSHINE A4300)。

＜識別標記20的形成＞

將支撐體12的輥裝填于通過真空蒸鍍進行成膜的基于RtoR的通常的成膜裝置的規定位置，并將支撐體12插入到規定的輸送路徑中。使用該裝置在整個支撐體12形成厚度200nm的鋁膜并卷繞成輥狀。

接著，將形成有鋁膜的支撐體12的輥裝填于具有抗蝕劑涂布/干燥部的基于RtoR的通常的裝置的規定位置，并將支撐體12插入到規定的輸送路徑中。使用該裝置，在形成于支撐體12的鋁膜上形成厚度500nm的抗蝕劑膜并卷繞成輥狀。

而且，將形成有抗蝕劑膜的支撐體12的輥裝填于通過光刻法形成圖案的基于RtoR的通常的裝置的規定位置，并將支撐體12插入到規定的輸送路徑中，該裝置具有接觸曝光部、顯影部、沖洗部、蝕刻部、清洗部及干燥部。使用該裝置，在支撐體12表面形成包含鋁的厚度200nm的識別標記20并卷繞成輥狀。

識別標記20的形狀為十字形，線寬度為50μm，縱橫長度為250μm。

識別標記20在支撐體12的寬度方向上以20cm的間隔、在支撐體12的長邊方向上以30cm的間隔形成。

＜第一層有機層14的形成＞

對TMPTA(DAICEL CYTEC CO.制)及光聚合引發劑(LAMBERTI公司制、ESACURE KTO46)進行稱量，以使質量比成為95:5，將這些溶解于MEK后制備了用于形成有機層14的固體成分濃度15質量％的組合物。

將該涂布液填充于基于RtoR的通常的成膜裝置的涂布部的規定位置，該裝置具有基于模涂布機的涂布部、基于溫風的干燥部及基于紫外線照射的固化部。并且，將已卷取形成有識別標記20的支撐體12的輥裝填于該成膜裝置的規定位置并將支撐體12插入到規定的輸送路徑中。

成膜裝置中，將形成有識別標記20的支撐體12沿長邊方向輸送的同時通過模涂布機涂布涂布液，并使其經3分鐘通過50℃的干燥部。然后，照射紫外線(累積照射量約600mJ/cm²)之后，通過UV固化來使其固化并卷繞，在支撐體12的形成有識別標記20的面形成有機層14并卷繞成輥狀。有機層14的厚度為2000nm。

＜第一層無機層16的形成＞

將形成有有機層14的支撐體12的輥裝填于通過CCP-CVD(容量結合型等離子體CVD)而進行成膜的、基于RtoR的通常的CVD成膜裝置的規定位置，并將支撐體12插入到規定的輸送路徑中。

該CVD成膜裝置中，沿長邊方向輸送形成有有機層14的支撐體12的同時在有機層14上，作為無機層16而形成氮化硅膜并卷繞成輥狀。

原料氣體使用硅烷氣體(流量160sccm)、氨氣(流量370sccm)、氫氣(流量590sccm)及氮氣(流量240sccm)。電源使用頻率13.56MHz的高頻電源，并將等離子體激發功率設為800W。將成膜壓設為40Pa。無機層16的膜厚為30nm。

＜第二層有機層14及無機層16的形成＞

改變厚度，除此以外，以與上述相同的方式，在第一層無機層16上形成第二層有機層14，而且以與上述相同的方式在第二層有機層14上形成了第二層無機層。第二層有機層14的膜厚為1000nm，且第二層無機層的膜厚為30nm。

[比較例1]

不在支撐體12的表面形成識別標記20，除此以外，以與實施例1相同的方式，制作了將有機層14和無機層16交替形成各兩層的阻氣膜。

[比較例2]

不在支撐體12的表面形成識別標記20，并以與實施例1相同的方式，制作將有機層14和無機層16交替形成各兩層的阻氣膜，并以與實施例1相同的方式，在第二層(最表層)無機層16的表面形成了識別標記20。

[阻氣性試驗]

通過鈣測定方法測定了已制作的阻氣膜的水蒸氣滲透率。具體而言，利用G.NISATO、P.C.P.BOUTEN、P.J.SLIKKERVEER等SID Conference Record of the International Display Research Conference 1435-1438頁中所記載的方法測定了水蒸氣滲透率[g/(m²·day)]。

其結果，實施例1的阻氣膜10的水蒸氣滲透率為6.2×10^-6g/(m²·day)。

并且，比較例1的阻氣膜的水蒸氣滲透率為5.8×10^-6g/(m²·day)。

而且，比較例2的阻氣膜的水蒸氣滲透率為2.8×10^-4g/(m²·day)。

即，本發明的阻氣膜10盡管具有識別標記20，但具有與比較例1的阻氣膜相同的阻氣性，該比較例1的阻氣膜具有不具有識別標記20的通常的有機無機層疊結構。相對于此，在表面形成有識別標記20的比較例2的阻氣膜由于識別標記20而導致無機層16受損，與其他兩個相比，認為阻氣性被降低。

從以上的結果，明確了本發明的效果。

符號說明

10、30、32-阻氣膜

12-支撐體

14-有機層

16-無機層

20-識別標記

36-密封部件

38-密封薄膜