中音壓縮式驅動裝置的制作方法

本發明涉及音響設備技術領域，尤其涉及一種中音壓縮式驅動裝置。

背景技術：

隨著科學研究技術的不斷發展，對揚聲器的性能提出了更高的要求，其要求具有高的音質、語言清晰度、高的可靠性等特性。而揚聲器的上述特性與散熱性能、振膜及音圈有關。然而，現有的音圈與磁路系統配合安裝，在長時使用后，音圈發熱的同時會提高磁路系統的溫度，音圈與磁路系統密封于高音缸體內，因而不能快速散熱，從而會影響到音質。

此外，現有振膜一般采用圓頂形的振膜，圓頂形的振膜必須具有高的物理剛性，這種物理剛性的取得一是靠選擇高的彈性模量材料，二是靠增加膜的厚度得以實現。然而，上述方法相應地也增加了膜片的重量，需要更高的功率來驅動膜片，從而降低了揚聲器的效率。而若是減輕振膜的重量，則需減少振膜的厚度，或者采用較輕的材料，而薄的振膜厚度或采用較輕的材料則容易產生分割振動，導致失真的發生。

技術實現要素：

為此，本發明的目的在于提供一種中音壓縮式驅動裝置，以解決目前驅動裝置散熱性能差、容易產生分割振動導致失真等問題。

為實現上述目的，本發明主要采用以下技術方案為：

一種中音壓縮式驅動裝置，包括由下至上依次設置的高音缸體、磁路系統、振膜組件、壓縮型等化器、擴散型等化器及襯蓋，所述高音缸體上表面設有環形凹槽，環形凹槽的外側壁上分布有若干散熱筋柱；所述磁路系統包括磁杯、容置于磁杯中的磁鐵、以及設置于磁鐵上且容置于磁杯中的華司，磁鐵、華司與磁杯之間形成一磁間隙，所述磁杯容置于環形凹槽中，并位于散熱筋柱與環形凹槽內側壁間，所述散熱筋柱對磁杯進行抵頂限位；所述振膜組件設置于高音缸體上端的開口處，振膜組件包括振膜、音圈及若干保持片，所述保持片設置于振膜上下兩側，所述音圈上端固定至振膜上，下端穿設于磁間隙內，所述壓縮型等化器設于振膜組件上方并與之相連，所述擴散型等化器設置于襯蓋下表面上，該擴散型等化器依次穿過壓縮型等化器、振膜組件、磁路系統并伸入到高音缸體底部；所述音圈包括音圈骨架及繞于音圈骨架內外兩側的音圈線，所述音圈線的表面涂有黑度值為0.85～1的耐高溫絕緣漆。

進一步地，所述振膜呈環形設置，振膜的單側橫截面呈V形設置，所述音圈固定于振膜的V形頂點位置，振膜于音圈內外兩側均形成有振動區域。

進一步地，所述高音缸體的材質為壓鑄鋁材料，高音缸體的中部設有一上下貫穿高音缸體的腔體，所述腔體形成一號角。

進一步地，所述高音缸體的腔體內部設有用于消減駐波的吸音材料，所述吸音材料為吸音棉。

進一步地，所述的磁杯、磁鐵、華司均為一環狀結構，所述的磁鐵、華司的直徑相等，且均小于磁杯的直徑，所述的華司、磁鐵與磁杯之間形成磁間隙。

進一步地，若干所述散熱筋柱的貼近磁杯的側面圍合成一與所述磁杯外表面相匹配的形狀結構，所述環形凹槽的內環與磁杯的內環形狀相匹配。

進一步地，所述壓縮型等化器中部設有一圓孔，圍繞所述圓孔設有多個氣室通道，氣室通道包括朝向振膜的聲波入口，所述聲波入口呈螺旋線分布，各聲波入口與圓孔中心的距離不等。

進一步地，所述壓縮型等化器由第一主體和第二主體組合而成，所述聲波入口設于第一主體上，所述氣室通道還包括一聲波出口，所述聲波出口朝向所述擴散型等化器設置。

進一步地，每一所述氣室通道的聲波出口處均設有延伸部，所述延伸部朝所述擴散型等化器方向延伸；且所述延伸部呈自外向內逐漸變小的尖狀設置。

進一步地，所述的磁鐵的材質為N38H型號的釹鐵硼強磁鐵。

綜上所述，本發明的壓縮式驅動裝置中音圈穿至磁間隙內、及磁性系統裝設于散熱筋柱及環形凸槽內側壁間的設計，進一步提高了音圈的散熱能力，從而避免了音圈發熱造成揚聲器損壞或失效，同時可降低工作后磁鐵升高的溫度，有利于氣流的流動散熱。此外，所述V形振膜的設計，使得音圈的內側及外側區域均設置有振動區域，從而減少了分割振動，提高在大聲壓級狀態下的語言保真度，避免語言失真的問題。

附圖說明

圖1為本發明中音壓縮式驅動裝置的結構示意圖。

圖2為圖1所示的中音壓縮式驅動裝置的分解示意圖。

圖3為圖1所示的中音壓縮式驅動裝置的剖面示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的技術方案能更清晰地表示出來，下面結合附圖對本發明作進一步說明。

如圖1至圖3所示，為本發明提供的一種中音壓縮式驅動裝置，其包括由下至上依次設置的高音缸體10、磁路系統20、振膜組件、壓縮型等化器60、擴散型等化器70及襯蓋80。所述磁路系統20裝設于高音缸體10內，所述振膜組件設置于高音缸體10上端的開口處，振膜組件包括若干保持片30、振膜40及音圈50，所述保持片30裝設于振膜40上下兩側面上，所述音圈50上端固定至振膜40上，下端穿設于磁路系統20內，所述壓縮型等化器60設于保持片30上方并與之相連，所述擴散型等化器70設置于襯蓋80下表面上，該擴散型等化器80依次穿過壓縮型等化器60、振膜組件、磁路系統20并伸入到高音缸體10底部。

所述高音缸體10由金屬材料制備而成，具體地，所述高音缸體10由壓鑄鋁制備而成。可以理解地，在其它實施例中，所述高音缸體10也可以為其它合適的材料制備而成。高音缸體10上表面設有環形凹槽11，高音缸體10的中部設有一中空的腔體12，所述腔體12上下貫穿高音缸體10并形成一號角。所述腔體12內還增設有用來消減駐波的吸音材料，本實施例中，所述吸音材料為吸音棉。本實施例中吸音材料的設置，使得驅動裝置內部構建了良好的聲學環境，避免駐波干擾原有聲音的傳播。

所述高音缸體10的環形凹槽11的外側側壁上均勻分布有若干散熱筋柱13，所述磁路系統20裝設于散熱筋柱13與環形凹槽11的內側側壁之間。所述磁路系統20包括磁杯21、容置于磁杯21中的磁鐵22、以及設置于磁鐵22上且容置于磁杯20中的華司23，所述磁杯21、磁鐵22、華司23均為環狀結構。所述磁鐵22、華司23的直徑相等，且均小于磁杯21的直徑，所述華司23、磁鐵22與磁杯21之間形成一磁間隙。本實施例中，所述磁鐵22為釹鐵硼制備的強磁鐵，其優選的型號為N38H，所述N38H磁鐵具有穩定的強力磁場。可以理解地，在其它實施例中，所述磁鐵22也可以為其它型號的強磁鐵。

所述音圈50包括音圈骨架及音圈線，所述音圈線的表面涂有高黑度耐高溫絕緣漆，以提高音圈線輻射熱能的能力。本實施例中，所述高黑度耐高溫絕緣漆的黑度值為0.85～1。所述音圈線繞于音圈骨架的內外兩側，形成內、外線圈結構，使音圈50的內外表面均可向磁路系統20有效的輻射熱能，從而具有優越的散熱性能。所述音圈50底端穿設于所述磁間隙內，音圈50產生的熱量能很快的通過內外線圈的熱輻射傳遞至磁杯21上，所述磁杯21外表面與散熱筋柱13相接觸，使得磁杯21上的熱量能很快的傳遞至散熱筋柱13，再自高音缸體10擴散出去。因此，即便是大功率、大聲壓級的驅動裝置所產生的熱量也能很快的散熱。若干所述散熱筋柱13的內側面圍合成與所述磁杯21相匹配的形狀結構，散熱筋柱13一定程度上對磁路系統20進行限位，使磁路系統20能牢固的嵌于高音缸體10內，可緩沖任意方向的沖擊、跌落，具有很好的耐振動、耐沖擊的性能。

本實施例中，所述振膜40呈環形設置，振膜40的單側橫截面呈V形設置。所述振膜的材質采用PEEK材料，該種材料具有優良的彎曲模量，使振膜40具有最佳的振動摸量，從而一定程度了保證了驅動裝置的高靈敏性。安裝時，所述音圈50連接于振膜的V形頂點上，除音圈50所圈定的振膜區域外，部分振膜位于音圈50的外側，使得音圈50的兩側均有振動區域，使得整個振膜形成環狀，從而使得，在相同質量情況下，接近音圈50的有效振動輻射聲波的面積大大增加，從而實現了較小的功率即可驅動振膜40并得到相同的聲波量，特別是在高頻段，諧振頻率得到了提高，而分割振動在減少，由于減少了質量，瞬態響應曲線的前后沿也趨于陡峭，提高了在大聲壓級狀態下的語言保真度，從而可避免語言失真的問題。

所述壓縮型等化器60包括一等化器本體，所述等化器本體中部設有一圓孔，圍繞所述圓孔成型有多個氣室通道，所述氣室通道包括朝向振膜40的聲波入口63，所述氣室通道的聲波入口63呈螺旋線分布，各氣室通道的聲波入口63與本體中心的距離。所述等化器本體由兩個環形的第一主體61和第二主體62組合而成，其中所述第一主體61上呈螺旋狀設置多個聲波入口63、多個底面64、以及與聲波入口63對應的多組第一側面65，兩第一側壁65與底面64之間即構成通道。所述第二主體62上則設置有頂面以及與第一主體61上的第一側面65對應平齊的多組第二側面66，即組合后第一側面65與第二側面66構成每個氣室通道的側面，聲波出口由第一主體61的底面64、第一側面66及第二主體62的頂面構成。

所述壓縮型等化器60在工作中與振膜40相匹配，振動發音時，壓縮型等化器60上螺旋狀分布的聲波入口63的氣室聲波通道，構成了幾何帶通濾波管。即，聲波在通過每一通道時，有些頻率段增強有些頻段被衰減。每一所述氣體通道的聲波出口處設有延伸部67，且延伸部67呈尖狀，形成擴散型等化器的結構；使得聲場均勻，從而獲得了良好的頻響曲線和高的靈敏度。

綜上所述，本發明的壓縮式驅動裝置中音圈50穿至磁間隙內、及磁性系統20裝設于散熱筋柱13及環形凸槽11內側壁間的設計，進一步提高了音圈50的散熱能力，從而避免了音圈50發熱造成揚聲器損壞或失效，同時可降低工作后磁鐵升高的溫度，有利于氣流的流動散熱。此外，所述V形振膜40的設計，使得音圈50的內側及外側區域均設置有振動區域，從而減少了分割振動，提高在大聲壓級狀態下的語言保真度，避免語言失真的問題。

以上所述實施例僅表達了本發明的一種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。