用于終端相對功率校準時的功率檢測方法及系統與流程

本發明涉及移動通信技術領域，特別涉及一種用于終端相對功率校準時的功率檢測方法及系統。

背景技術：
TD-SCDMA(簡稱TD)終端發展到現在，用戶規模在迅速擴大，各大廠商的出貨量出現爆發式的增長。3GPP和行業標準對TD終端的發射功率有嚴格的規定，因此，產線上必須要對每一臺終端進行發射功率的校準。其中，一種校準是相對功率校準，是為了讓終端的功率控制呈現良好的步進間隔特性，即良好的相對功率控制精度，從而較好地滿足規范規定的閉環功控1dB的要求。比如網絡下發指令要求終端功率變化1dB時，終端的實際功率變化應該在0.5～1.5dB范圍內，不能出現過大的誤差。3GPP對閉環功控精度有明確的要求，如表1所示：表1現有技術中，在進行相對功率校準時，首先進行功率測試。具體的，終端發出APC(AutomaticPowerControl，自動功率控制)控制字，APC控制字配置射頻芯片內部的VGA(可變增益放大器)的增益，以輸出相應的功率值，接著通過檢測設備(例如綜測儀、頻譜儀等)檢測該APC控制字下實際得到的功率。例如，射頻芯片內部配置有三個VGA(分別為VGA3、VGA2、VGA1)，其中，VGA3每一檔增益變化是20dB，VGA2每一檔增益變化是5dB，VGA1每一檔增益變化是0.1dB。終端發出的APC控制字的功率為-50dBm，射頻芯片通過VGA配置-50dBm的功率，再利用檢測設備檢測該APC控制字下實際得到的功率。由于終端在小功率下，發出來的TD信號的信噪比不高，噪聲一般呈現高斯白噪(AWGN)的特性。實驗證明，這會導致終端發出的功率在進行測量的短時間內(例如TD一個時隙的長度)有一定的不確定性。并且現在不少終端采用的是單級增益的TD功放，增益一般在30dB左右，為了在天線口得到-50dBm左右的小功率，射頻發射機輸出的功率會很低，僅-80dBm左右，此時信噪比經常在8～12dB左右。實驗數據表明，當信噪比為8dB時，對同一個APC控制字測量多次，測量到的最大和最小值相差可達0.3dB之多，測量結果大致會在-49.85～-50.15dBm之間波動。再者，如果檢測設備自身的噪底較差，也會影響校準時的功率測試結果。如綜測儀在TD的1.28MHz信道帶寬內的噪底是-60dBm時，終端發出的兩個APC控制字的功率是-49dBm，-50dBm，那么測到的功率值是信號本身和綜測儀的噪底之和，分別是：-48.668dBm，-49.586dBm。從測量結果上看，兩者的相對功率就變成了0.918dB，而實際上卻是1dB，這里引入了不小的誤差。當利用上述檢測到的功率值進行相對功率校準時，由于得到的功率值的不準確，由此進行的相對功率校準也便不準確了。因此，在進行終端相對功率校準時，如何進行功率檢測，獲得準確的功率值已成了一個亟待解決的問題。

技術實現要素：
本發明的目的在于提供一種用于終端相對功率校準時的功率檢測方法及系統，以解決現有技術中獲取的功率值不準確，從而導致相對功率校準不準確的問題。為解決上述技術問題，本發明提供一種用于終端相對功率校準時的功率檢測方法，包括：對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理；利用檢測設備檢測提高后的兩個功率值，得到被檢測的兩個功率值的差值。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法中，進行功率值提高處理的兩個原始功率值均小于或等于-10dBm。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法中，進行功率值提高處理中的功率值提高幅度為10dB～40dB。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法中，利用同樣的VGA對兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法中，利用一個VGA對兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法中，綜測儀或頻譜儀。本發明還提供一種用于終端相對功率校準時的功率檢測系統，包括：第一處理設備，用以對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理；第二處理設備，用以利用檢測設備檢測提高后的兩個功率值，得到被檢測的兩個功率值的差值。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統中，進行功率值提高處理的兩個原始功率值均小于或等于-10dBm。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統中，進行功率值提高處理中的功率值提高幅度為10dB～40dB。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統中，利用同樣的VGA對兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統中，利用一個VGA對兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理。可選的，在所述的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統中，所述檢測設備包括：綜測儀或頻譜儀。在本發明提供的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法及系統中，對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理，由于進行了功率值提高，使得信號的信噪比得到了提高，由此檢測到的功率值誤差也將變小了。同時，考慮到這是進行相對功率校準，需要的是功率值的差值，在對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理的情況下，功率值的差值將不變，從而以該功率值的差值所進行的相對功率校準的可靠性也能得到保證。附圖說明圖1是本發明實施例的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法的流程示意圖；圖2是本發明實施例的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統的模塊示意圖。具體實施方式以下結合附圖和具體實施例對本發明提供的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法及系統作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。本發明的核心思想在于，在進行相對功率校準時，對于功率的檢測，并不關注對于每個功率的檢測的準確度，而是關注對于兩個功率的差值檢測的準確度。由于進行相對功率校準時，校準的依據是功率差值，只要能夠保證功率差值的準確性，相對功率校準的準確性也便能夠得到保證。在此，突破了常規思維中盡量獲取每一個功率的準確測量值的模式。請參考圖1，其為本發明實施例的用于終端相對功率校準時的功率檢測方法的流程示意圖。如圖1所示，所示功率檢測方法包括：S10：對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理；S11：檢測設備檢測提高后的兩個功率值，得到被檢測的兩個功率值的差值。相應的，本實施例還提供了一種用于終端相對功率校準時的功率檢測系統。如圖2所示，其為本發明實施例的用于終端相對功率校準時的功率檢測系統的模塊示意圖。所示功率檢測系統包括：第一處理設備20，用以對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理；第二處理設備21，用以利用檢測設備檢測提高后的兩個功率值，得到被檢測的兩個功率值的差值。由于對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行了功率值提高，使得信號的信噪比得到了提高，由此檢測到的功率值誤差也將變小了。同時，考慮到這是進行相對功率校準，需要的是功率值的差值，在對需要執行相對功率校準的兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理的情況下，功率值的差值將不變，從而以該功率值的差值所進行的相對功率校準的可靠性也能得到保證。考慮到終端在小功率下，發出來的TD信號的信噪比不高，噪聲一般呈現高斯白噪(AWGN)的特性，導致終端發出的功率在進行測量的短時間內(例如TD一個時隙的長度)有一定的不確定性。優選的，進行功率值提高處理的兩個原始功率值均小于等于-10dBm。進一步的，進行功率值提高處理中的功率值提高幅度為10dB～40dB。在本實施例中，所述檢測設備包括：綜測儀或頻譜儀。例如，需要執行相對功率校準的兩個原始功率值為-49dBm及-50dBm，利用第一處理設備20執行步驟S10之后，分別提高到-29dBm及-30dBm，即進行了20dB的功率值提高處理。此時兩者的功率值經過多次測量得到的波動范圍分別是：-28.98～-29.02dBm，-29.98～-30.02dBm。波動大小從原先的約0.3dB(參見背景技術中對于-50dBm所進行的測量)降低到了0.04dB，效果非常明顯。此外，對于差值準確度的改善度也非常明顯。如綜測儀在TD的1.28MHz信道帶寬內的噪底是-60dBm時，終端發出的兩個APC控制字的功率是-49dBm，-50dBm，那么測到的功率值是信號本身和綜測儀的噪底之和，分別是：-48.668dBm，-49.586dBm。兩者的相對功率就變成了0.918dB，這里引入了0.082dB的誤差。而通過臨時提增益20dB后，兩個APC控制字的功率是-29dBm，-30dBm，那么測到的功率值還是信號本身和綜測儀的噪底之和，分別是：-28.997dBm，-29.996dBm。兩者的相對功率就變成了0.999dB，誤差迅速降到了0.001dB，效果非常顯著。當利用更接近真實值的0.9999dB進行相對功率校準時，相比于利用誤差更大的0.918dB進行相對功率校準將更加準確，從而以該功率值的差值所進行的相對功率校準的可靠性也能得到保證。需說明的是，利用功率值的差值進行相對功率校準為現有技術，本申請不再贅述。本申請所關注的是得到一個進行相對功率校準的準確的依據。在本實施例中，利用同樣的VGA對兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理。優選的，利用一個VGA對兩個原始功率值進行同樣的功率值提高處理。例如，需要對兩個原始功率值提高增益20dB，則均使用一個VGA3(以背景技術中所提高的每一檔變化20dB的VGA3為例)進行一檔的調整。當然，也可以利用例如每一檔變化10dB的VGA通過兩檔的變化進行調整。本申請在此不作限定。上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，并非對本發明范圍的任何限定，本發明領域的普通技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。