半集總微波帶通濾波電路及濾波器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及濾波技術領域，具體涉及一種半集總微波帶通濾波電路及濾波器。
【背景技術】
[0002]近年來，國內外開展了一些列關于濾波電路的研究，通過對傳統濾波電路的不斷改進和變換，在濾波器的性能和實現形式方面取得很多研究成果。廣泛應用于功率放大器前端和雷達天線饋電部分，為解決系統帶外噪聲提供了有效解決方案。
[0003]隨著工作頻率不斷提高，通過低通原型濾波器綜合變換出來的帶通濾波器，電容電感值不斷變小，分布參數影響逐漸明顯。傳統的濾波電路和實現形式在高頻/射頻波段受到了很大的限制。本實用新型針對以上問題，采用在帶通濾波器端口匹配高低通包絡，將電容電感值變換到合理的范圍，利用半集總元器件降低分布參數對電路的影響，成功將LC濾波器的應用頻率延伸微波頻段。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型克服了現有技術的不足，提供一種能夠將LC濾波器的工作頻率延伸至微波頻段的半集總微波帶通濾波電路及濾波器。
[0005]考慮到現有技術的上述問題，根據本實用新型公開的一個方面，本實用新型采用以下技術方案:
[0006]—種半集總微波帶通濾波電路，它包括第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第i^一電容Cll、第一電感L1、第二電感L2、第四電感L4、第五電感L5、第六電感L6、第七電感L7、第九電感L9，所述第一電容Cl的一端與輸入端連接，所述第一電容Cl的另一端接地，所述第一電感LI的一端與輸入端連接，所述第一電感LI的另一端與所述第二電容C2、第三電容C3連接，所述第二電容C2接地，所述第三電容C3再與所述第二電感L2—端連接，所述第二電感L2另一端接地，所述第四電容C4與所述第二電感L2并聯，所述第五電容C5和第四電感L4并聯后設置在所述第二電感L2—端與所述第五電感L5—端之間，所述第五電感L5另一端接地，所述第六電容C6與所述第五電感L5并聯，所述第六電感L6與所述第七電容C7并聯后設置在所述第五電感L5—端與所述第七電感L7—端之間，所述第七電感L7另一端接地，所述第八電容C8與所述第七電感L7并聯，所述第九電容C9 一端與所述第七電感L7—端連接，所述第九電容C9另一端與所述第九電感L9 一端連接，所述第九電感L9另一端與輸出端連接，所述第十電容ClO—端與所述第九電感L9 一端連接，所述第十電容ClO另一端接地，所述第十一電容Cll 一端與所述第九電感L9另一端連接，所述第十一電容Cll另一端接地。
[0007]為了更好地實現本實用新型，進一步的技術方案是:
[0008]根據本實用新型的一個實施方案，所述第二電感L2上并聯一個第三電感L3。
[0009]根據本實用新型的另一個實施方案，所述第七電感L7上并聯一個第八電感L8。
[0010]本實用新型還可以是:
[0011 ] —種半集總微波帶通濾波器，它包括外殼，所述外殼上設置第一介質基板、第二介質基板、第三介質基板、第四介質基板、第五介質基板、第六介質基板、第七介質基板;所述第一介質基板與輸入引線連接，所述第一介質基板上連接第一多層瓷介片式電容，所述第一多層瓷介片式電容并與所述外殼連接;所述第二介質基板上連接第二多層瓷介片式電容，所述第二多層瓷介片式電容并與所述外殼連接，所述第一介質基板與所述第二介質基板通過第一空心電感連接，所述第二介質基板上設置第三多層瓷介片式電容，所述第三多層瓷介片式電容通過導線與所述第三介質基板連接，所述第三介質基板分別通過第四多層瓷介片式電容和第二空心電感與第四介質基板連接，所述第四多層瓷介片式電容和第二空心電感并聯，所述第三介質基板還通過第三空心電感與外殼連接;所述第四介質基板通過第五多層瓷介片式電容和第四空心電感與所述第五介質基板連接，所述第四介質基板還通過第五空心電感與外殼連接;所述第五介質基板通過第六空心電感與所述外殼連接，以及所述第五介質基板通過導線與設置于第六介質基板上的第六多層瓷介片式電容連接;所述第六介質基板還通過第七多層瓷介片式電容與外殼連接，所述第六介質基板與第七介質基板之間設置第七空心電感，所述第七介質基板通過第八多層瓷介片式電容與所述外殼連接，所述第七介質基板與輸出引線連接。
[0012]根據本實用新型的另一個實施方案，所述外殼采用鍍金可伐合金。
[0013]根據本實用新型的另一個實施方案，所述輸入引線和輸出引線分別與所述外殼采用玻封絕緣子固定，且所述輸入引線和輸出引線分別與所述外殼之間絕緣。
[0014]根據本實用新型的另一個實施方案，所述第一介質基板、第二介質基板、第三介質基板、第四介質基板、第五介質基板、第六介質基板、第七介質基板分別通過錫焊固定于外殼上，其背面與所述外殼完全接觸。
[0015]根據本實用新型的另一個實施方案，所述第一空心電感、或第二空心電感、或第三空心電感、或第四空心電感、或第五空心電感、或第六空心電感或第七空心電感采用0.35mm漆包線且兩端引腳去漆長度不超過1.5mm并浸錫。
[0016]根據本實用新型的另一個實施方案，所述第一多層瓷介片式電容、第二多層瓷介片式電容、第三多層瓷介片式電容、第四多層瓷介片式電容、第五多層瓷介片式電容、第六多層瓷介片式電容、第七多層瓷介片式電容和第八多層瓷介片式電容均采用0805封裝。
[0017]根據本實用新型的另一個實施方案，所述第一空心電感、或第二空心電感、或第三空心電感、或第四空心電感、或第五空心電感、或第六空心電感、或第七空心電感采用室溫固化的硫化硅膠固定。
[0018]與現有技術相比，本實用新型的有益效果之一是:
[0019]本實用新型的一種半集總微波帶通濾波電路及濾波器，能夠將LC濾波器的工作頻率延伸至微波頻段，且具有低插損、高矩形度和高阻帶抑制的優點。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚的說明本申請文件實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術的描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅是對本申請文件中一些實施例的參考，對于本領域技術人員來講，在不付出創造性勞動的情況下，還可以根據這些附圖得到其它的附圖。
[0021 ]圖1示出了根據本實用新型一個實施例的半集總微波帶通濾波電路結構示意圖。
[0022]圖2示出了根據本實用新型一個實施例的半集總微波帶通濾波器結構示意圖。
[0023]圖3示出了根據本實用新型一個實施例的由實驗數據繪制的示意圖。
[0024]其中，附圖中的附圖標記所對應的名稱為:
[0025]I 一第一介質基板，2—第二介質基板，3—第三介質基板，4 一第四介質基板，5—第五介質基板，6—第六介質基板，7—第七介質基板，8—第一多層瓷介片式電容，9一第二多層瓷介片式電容，10 —外殼，11 一第三多層瓷介片式電容，12—第四多層瓷介片式電容，13—第一空心電感，14 一第三空心電感，15—第五多層瓷介片式電容，16—第四空心電感，17—第五空心電感，18—第六多層瓷介片式電容，19 一第六空心電感，20—第七空心電感，21—第八多層瓷介片式電容，22—第二空心電感，23—第七多層瓷介片式電容。
【具體實施方式】
[0026]下面結合實施例對本實用新型作進一步地詳細說明，但本實用新型的實施方式不限于此。
[0027]如圖1所示，圖1示出了根據本實用新型一個實施例的半集總微波帶通濾波電路結構示意圖，一種半集總微波帶通濾波電路，該電路由橢圓函數濾波電路(虛線內部分)和高低通匹配包絡組成(虛線外部分)，具體包括第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4、第五電容C5、第六電容C6、第七電容C7、第八電容C8、第九電容C9、第十電容C10、第十一電容C11、第一電感L1、第二電感L2、第四電感L4、第五電感L5、第六電感L6、第七電感L7、第九電感L9，所述第一電容Cl的一端與輸入端連接，所述第一電容Cl的另一端接地，所述第一電感LI的一端與輸入端連接，所述第一電感LI的另一端與所述第二電容C2、第三電容C3連接，所述第二電容C2接地，所述第三電容C3再與所述第二電感L2—端連接，所述第二電感L2另一端接地，所述第四電容C4與所述第二電感L2并聯，所述第五電容C5和第四電感L4并聯后設置在所述第二電感L2—端與所述第五電感L5—端之間，所述第五電感L5另一端接地，所述第六電容C6與所述第五電感L5并聯，所述第六電感L6與所述第七電容C7并聯后設置在所述第五電感L5—端與所述第七電感L7—端之間，所述第七電感L7另一端接地，所述第八電容C8與所述第七電感L7并聯，所述第九電容C9 一端與所述第七電感L7—端連接，所述第九電容C9另一端與所述第九電感L9 一端連接，所述第九電感L9另一端與輸出端連接，所述第十電容ClO—端與所述第九電感L9 一端連接，所述第十電容ClO另一端接地，所述第十一電容Cll 一端與所述第九電感L9另一端連接，所述第十一電容Cll另一端接地。
[0028]進一步地，所述第二電感L2上還可并聯一個第三電感L3;所述第七電感L7上還可并聯一個第八電感L8。
[0029]如圖2所示，圖2示出了根據本實用新型一個實施例的半集總微波帶通濾波器結構示意圖，一種半集總微波帶通濾波器，它包括外殼10，所述外殼10上設置第一介質基板1、第二介質基板2、第三介質基板3、第四介質基板4、第五介質基板5、第六介質基板6、第七介質基板7;所述第一介質基板I與輸入引線連接，所述第一介質基板I上連接第一多層瓷介片式電容8，所述第一多層瓷介片式電容8并與所述外殼10連接;所述第二介質基板2上連接第二多層瓷介片式電容9，所述第二多層瓷介片式電容9并與所述外殼10連接，所述第一介質基板I與所述第二介質基板2通過第一空心電感13連接，所述第二介質基板2上設置第三多層瓷介片式電容11，所述第三多層瓷介片式電容11通過導線與所述第三介質基板3連接，所述第三介質基板3分別通過第四多層瓷介片式電容12和第二空心電感22與第四介質基板4連接，所述第四多層瓷介片式電容12和第二空心電感22并聯，所述第三介質基板3還通過第三空心電感14與外殼10連接;所述第四介質基板4通過第五多層瓷介片式電容15和第四空心電感16與所述第五介質基板5連接，所述第四介質基板4還通過第五空心電感17與外殼10連接;所述第五介質基板5通過第六空心電感19與所述外殼10連接，以及所述第五介質基板5通過導線與設置于第六介質基板6上的第六多層瓷介片式電容18連接;所述第六介質基板6