一種功率放大器的功率控制電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本申請涉及手機通信技術領域，尤其涉及一種功率放大器的功率控制電路。
【背景技術】
[0002]在GSM(GlobalSystem for Mobile Communicat1n，全球移動通信系統)系統中，為了降低干擾，需要在保證電平強度和信號質量的前提下，對基站收發信臺BTS和移動臺MS的功率放大器的功率進行控制。此外，對功率控制也可以延長手機的待機時間，并且在通話質量變差的情況下，能夠適當提高手機的發射功率，從而保障通話質量。
[0003]目前，對功率放大器的功率控制主要通過電流控制來實現。具體如圖1所示，圖1為現有技術中通過電流控制功率放大器功率的電路圖。通過三極管Q4與三極管Q3鏡像來采集放大級的電流，利用采集到的電流再經PMOS管Ml和M2鏡像后，利用電阻R4轉化為電壓信號，該電壓信號與Vramp共同作用后再控制放大級的偏置實現對功率放大器的功率控制。
[0004]然而，由于該實現方式存在控制環路大，在M1/M2鏡像單元會產生兩個比較大的極點，M3的漏極也會存在一個很大極點，多個較大極點會導致整個環路穩定系數差，在電路設計過程中穩定性補償難度大，環路帶寬很難做寬，使得穩定時間長，而這使得在Vramp剛開始爬坡的前一段時間內由于功率控制環路還沒穩定，這時輸出功率隨Vramp的關系很弱，進而影響手機功率切換時的開關譜性能。
【實用新型內容】
[0005]有鑒于此，本申請提供了一種功率放大器的功率控制電路，以克服現有技術中功率控制電路極點數量多導致環路穩定性差，環路帶寬窄，穩定時間長，進而影響手機功率切換時的開關譜性能的問題。
[0006]為了實現上述目的，本申請提供了以下技術方案:
[0007]—種功率放大器的功率控制電路，包括:
[0008]輸入端接收基帶控制電壓Vramp，輸出端與第二運算放大器A2的第二輸入端相連，以及通過第三電阻R3與第四N型MOS管MN4的漏極相連的緩沖電路；
[0009]所述第四N型MOS管MN4的漏極同時連接并聯的電感LI和第二電容C2，通過所述第二電容C2接地，通過所述電感LI與匹配網絡的輸入端相連；
[0010]所述第四N型MOS管MN4的柵極與所述第二運算放大器A2的輸出端相連，所述第四N型MOS管MN4的源極與驅動電路的第二輸入端相連；
[0011]所述驅動電路的第一輸入端接收射頻信號，輸出端分別與第一放大管Ml的輸入端和第二放大管M2的輸入端相連；
[0012]所述第一放大管Ml的接地端與所述第二放大管M2的接地端相連并接地；
[0013]所述第一放大管Ml的輸出端通過第二電阻R2和第一電阻Rl與所述第四N型MOS管MN4的漏極相連，所述第二電阻R2并聯一個接地的第一電容Cl，所述第二電阻R2與所述第一電阻Rl的連接端與所述第二放大器A2的第一輸入端連接；
[0014]所述第二放大管M2的輸出端通過第三N型MOS管MN3與所述匹配網絡的輸入端相連；
[0015]所述匹配網絡的輸出端輸出射頻信號。
[0016]優選的，所述緩沖電路包括:第一運算放大器Al、第四電阻R4、系統函數電路H(s)以及P型MOS管MP，其中，
[0017]所述第一運算放大器Al的第一輸入端作為所述緩沖電路的輸入端，第二輸入端通過所述第四電阻R4接地，輸出端與所述P型MOS管MP的柵極相連；
[0018]所述P型MOS管MP的漏極通過所述系統函數電路H(S)與所述第一運算放大器Al的第二輸入端相連，所述P型MOS管MP的源極作為所述緩沖電路的輸出端。
[0019]優選的，所述第一放大管Ml為第一N型MOS管MNl，所述第二放大管M2為第二N型MOS管 MN2，
[0020]所述第一N型MOS管MNl的柵極作為所述第一放大管Ml的輸入端，源極作為所述第一放大管的接地端，漏極作為所述第一放大管Ml的輸出端；
[0021]所述第二N型MOS管MN2的柵極作為所述第二放大管Ml的輸入端，源極作為所述第二放大管M2的接地端，漏極作為所述第二放大管M2的輸出端。
[0022]優選的，所述第一放大管Ml為第一N型三極管Ql，所述第二放大管M2為第二N型三極管Q2時，
[0023]所述第一N型三極管Ql的基極作為所述第一放大管Ml的輸入端，發射極作為所述第一放大管Ml的接地端，集電極作為所述第一放大管Ml的輸出端；
[0024]所述第二N型三極管Q2的基極作為所述第二放大管M2的輸入端，發射極作為所述第二放大管M2的接地端，集電極作為所述第二放大管M2的輸出端。
[0025]優選的，所述驅動電路包括:前置驅動器和第一驅動器，其中，
[0026]所述前置驅動器的輸入端作為所述驅動電路的第一輸入端；
[0027]所述第一驅動器的第一輸入端與所述前置驅動器的輸出端相連，第二輸入端作為所述驅動電路的第二輸入端，輸出端作為所述驅動電路的輸出端。
[0028]優選的，所述驅動電路包括:第二驅動器和偏置電路，其中，
[0029]所述第二驅動器的輸入端作為所述驅動電路的第一輸入端，輸出端通過第三電容與所述偏置電路的輸出端相連后作為所述驅動電路的輸出端；
[0030]所述偏置電路的輸入端作為所述驅動電路的第二輸入端。
[0031]由以上技術方案可知，本申請提供的一種功率放大器的功率控制電路中號通過緩沖電路后再與第二運算放大器相連，從而使得Vramp信號在控制環路外，進而降低對控制環路的影響，提升了環路穩定性，并且，不再使用現有技術中的PMOS鏡像單元，而是將采集到的電流信號經電阻轉換為電壓信號后，直接輸入到第二運算放大器的輸入端，從多個方面減少了環路極點的個數，極點數目減少易于實現環路穩定性補償，環路帶寬也相應容易做大，減少了環路的穩定時間，避免影響手機功率切換時的開關譜性能。并且，第二運算放大器輸出接NMOS管，有助于提高環路的電源抑制比。
【附圖說明】
[0032]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例和現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1為現有技術中通過電流控制功率放大器功率的電路圖；
[0034]圖2為本申請實施例一提供的一種功率放大器的功率控制電路的原理圖；
[0035]圖3為本申請實施例二提供的一種功率放大器的功率控制電路的原理圖；
[0036]圖4為本申請實施例三提供的一種功率放大器的功率控制電路的原理圖；
[0037]圖5為本申請實施例四提供的一種功率放大器的功率控制電路的原理圖。
【具體實施方式】
[0038]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0039]為克服現有技術中功率控制電路極點數量多導致環路穩定性差，穩定時間長，進而影響手機功率切換時的開關譜性能的問題，本申請提供了一種功率放大器的功率控制電路，具體方案如下所述:
[0040]實施例一
[0041]本申請實施例一提供了一種功率放大器的功率控制電路，如圖2所示，圖2為本申請實施例一提供的一種功率放大器的功率控制電路的原理圖。該控制電路包括:
[0042]緩沖電路，緩沖電路的輸入端接收基帶控制信號Vramp，輸出端與第二運算放大器A2的第二輸入端相連，以及通過第三電阻R3與第四N型MOS管MN4的漏極相連；
[0043]第四N型MOS管MN4的漏極同時連接并聯的電感LI和第二電容C2，通過第二電容C2接地，通過電感LI與匹配網絡的輸入端相連；
[0044]第四N型MOS管MN4的柵極與第二運算放大器A2的輸出端相連，第四N型MOS管MN4的源極與驅動電路的第二輸入端相連；
[0045]驅動電路的第一輸入端接收射頻信號，輸出端分別與第一放大管Ml的輸入端和第二放大管M2的輸入端相連；
[0046]第一放大管Ml的接地端與第二放大管M2的接地端相連并接地；
[0047]第一放大管Ml的輸出端通過第二電阻R2和第一電阻Rl與第四N型MOS管麗4的漏極相連，第二電阻R2并聯一個接地的第一電容Cl，第二電阻R2與第一電阻Rl的連接端與第二放大器A2的第一輸入端連接；
[0048]第二放大管M2的輸出端通過第三N型MOS管MN3與匹配網絡的輸入端相連；
[0049]匹配網絡的輸出端輸出射頻信號。
[0050]在本申請中，如圖2中虛