一種基于芯片mc1496的混頻電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于射頻通信技術領域，具體涉及一種基于芯片MC1496的混頻電路。
【背景技術】
[0002]混頻器是射頻電路中常用的器件之一，目前常用的有有源混頻、無源混頻等幾種方式。有源混頻由于需要消耗額外功率且能提供增益常常用在各類消費電子產品中，無源混頻主要采用混頻二極管完成。常用的有單二極管混頻、二極管平衡混頻等幾種形式。有源混頻常采用單晶體管混頻，此時成本低廉但性能指標嚴重受限，如隔離度指標、諧波抑制指標、電路隔離度指標、動態范圍指標等。現有技術中，還缺乏電路結構簡單、實現方便、隔離度高、能夠有效抑制諧波、電路隔離度高、高動態范圍的混頻電路。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，提供一種基于芯片MC1496的混頻電路，其電路結構簡單，設計合理，實現方便，隔離度高、動態范圍高，能夠有效抑制諧波，應用范圍廣，便于推廣使用。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案是:一種基于芯片MC1496的混頻電路，其特征在于:包括芯片MC1496，所述芯片MC1496的第I引腳和第4引腳上接有射頻輸入電路，所述芯片MC1496的第8引腳和第10引腳上接有本振輸入電路，所述芯片MC1496的第5引腳上接有偏置電壓產生電路，所述芯片MC1496的第6引腳和第12引腳上接有中頻輸出電路；所述芯片MC1496的第2引腳與第3引腳之間接有電阻R216，所述芯片MC1496的第14引腳與-5V電源的-5V電壓輸出端相接，且通過非極性電容C213接地；所述偏置電壓產生電路3包括芯片LM385M3-2.5和三極管Ql，所述芯片LM385M3-2.5的第2引腳和第3引腳均通過電阻R270與-5V電源的-5V電壓輸出端相接，且通過電容C270接地，所述三極管Ql的基極和集電極均與所述芯片LM385M3-2.5的第I引腳相接，且通過電阻R271與+5V電源的+5V電壓輸出端相接，所述三極管Ql的發射極接地，所述芯片MC1496的第5引腳通過電阻R272與所述三極管Ql的集電極相接。
[0005]上述的一種基于芯片MC1496的混頻電路，其特征在于:所述射頻輸入電路包括具有兩個引腳的射頻輸入接口 Pl和型號為T1-6T的射頻變壓器Tl，所述射頻變壓器Tl的初級線圈的一端與射頻輸入接口 Pl的第I引腳相接，且通過電容C216接地，所述射頻變壓器Tl的初級線圈的另一端接地；所述射頻變壓器Tl的次級線圈的一端通過電阻R214與所述芯片MC1496的第I引腳相接，所述射頻變壓器Tl的次級線圈的另一端通過電阻R215與所述芯片MC1496的第4引腳相接，所述射頻變壓器Tl的次級線圈的兩端之間并聯有電阻R213和電容C217，所述射頻變壓器Tl的次級線圈的中間抽頭通過電容C212接地。
[0006]上述的一種基于芯片MC1496的混頻電路，其特征在于:所述本振輸入電路包括具有兩個引腳的本振輸入接口 P2和型號為T1-6T的射頻變壓器T2，所述射頻變壓器T2的初級線圈的一端與本振輸入接口 P2的第I引腳相接，所述射頻變壓器T2的初級線圈的另一端接地；所述射頻變壓器T2的次級線圈的一端通過電阻R211與所述芯片MC1496的第8引腳相接，所述射頻變壓器Τ2的次級線圈的另一端通過電阻R212與所述芯片MC1496的第10引腳相接，所述射頻變壓器Tl的次級線圈的兩端之間接有電阻R210。
[0007]上述的一種基于芯片MC1496的混頻電路，其特征在于:所述中頻輸出電路包括具有兩個引腳的中頻輸出接口 Ρ3和型號為Τ1-6Τ的射頻變壓器Τ3，所述射頻變壓器Τ3的初級線圈的一端與中頻輸出接口 Ρ3的第I引腳相接，所述射頻變壓器Τ3的初級線圈的另一端接地；所述射頻變壓器Τ3的次級線圈的一端通過串聯的電容C240和電容C215接地，所述電容C240和電容C215的連接端與所述芯片MC1496的第12引腳相接，且通過電阻R230與+5V電源的+5V電壓輸出端相接；所述射頻變壓器Τ3的次級線圈的另一端通過串聯的電容C241和電容C214接地，所述電容C241和電容C214的連接端與所述芯片MC1496的第6引腳相接，且通過電阻R240與+5V電源的+5V電壓輸出端相接。
[0008]本實用新型與現有技術相比具有以下優點:
[0009]1、本實用新型的電路結構簡單，設計合理，實現方便。
[0010]2、本實用新型基于On Semiconductor公司生產的芯片MC1496來實現混頻電路，測試結果表明其隔離度能夠達到120dB以上，同時，中頻濾波器1Hz左右時候，其動態范圍能夠達到120dB以上，隔離度高、動態范圍高。
[0011]3、本實用新型能夠有效抑制諧波。
[0012]4、本實用新型的最大射頻輸入電平可達+lOdBm，在線性度要求優于0.02dB的情況下，其最大射頻輸入電平仍為+4dBm，滿足多種精密測試系統的使用需求，應用范圍廣，便于推廣使用。
[0013]綜上所述，本實用新型電路結構簡單，設計合理，實現方便，隔離度高、動態范圍高，能夠有效抑制諧波，應用范圍廣，便于推廣使用。
[0014]下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術方案做進一步的詳細描述。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型的電路原理圖。
[0016]附圖標記說明:
[0017]I一射頻輸入電路；2—本振輸入電路；3—偏置電壓產生電路；4一中頻輸出電路。
【具體實施方式】
[0018]如圖1所示，本實用新型包括芯片MC1496，所述芯片MC1496的第I引腳和第4引腳上接有射頻輸入電路I，所述芯片MC1496的第8引腳和第10引腳上接有本振輸入電路2，所述芯片MC1496的第5引腳上接有偏置電壓產生電路3，所述芯片MC1496的第6引腳和第12引腳上接有中頻輸出電路4 ;所述芯片MC1496的第2引腳與第3引腳之間接有電阻R216，所述芯片MC1496的第14引腳與-5V電源的-5V電壓輸出端相接，且通過非極性電容C213接地；所述偏置電壓產生電路3包括芯片LM385M3-2.5和三極管Ql，所述芯片LM385M3-2.5的第2引腳和第3引腳均通過電阻R270與-5V電源的-5V電壓輸出端相接，且通過電容C270接地，所述三極管Ql的基極和集電極均與所述芯片LM385M3-2.5的第I引腳相接，且通過電阻R271與+5V電源的+5V電壓輸出端相接，所述三極管Ql的發射極接地，所述芯片MC1496的第5引腳通過電阻R272與所述三極管Ql的集電極相接。
[0019]如圖1所示，本實施例中，所述射頻輸入電路I包括具有兩個引腳的射頻輸入接口Pl和型號為T1-6T的射頻變壓器Tl，所述射頻變壓器Tl的初級線圈的一端與射頻輸入接口 Pl的第I引腳相接，且通過電容C216接地，所述射頻變壓器Tl的初級線圈的另一端接地；所述射頻變壓器Tl的次級線圈的一端通過電阻R214與所述芯片MC1496的第I引腳相接，所述射頻變壓器Tl的次級線圈的另一端通過電阻R215與所述芯片MC1496的第