的階梯式增加。即，由于電流控制電路14執行恒定電流調節操作，與每個LED組的發光相對應的電流維持恒定的水平。當發光LED組的數目增加時，響應于LED組數目的增加，電流通路上的電流水平增加。
[0074]在整流電壓上升至如上所述的上限水平之后，整流電壓開始下降。
[0075]當整流電壓降至低于發光電壓V4時，燈10的LED組LED4被關閉。
[0076]當LED組LED4被關閉時，燈10利用LED組LED3、LED2以及LEDl維持發光狀態。因此，電流通路通過與LED組LED3相連接的開關電路33形成。
[0077]然后，當整流電壓順序降至低于發光電壓V3、V2和Vl時，燈10的LED組LED3、LED2以及LEDI順序地關閉。
[0078]由于燈10的LED組LED3、LED2和LEDl順序地關閉，電流控制電路14變換并提供通過開關電路33、32以及31形成的選擇性電流通路。進一步地，響應于LED組LEDl至LED4關閉狀態，電流通路上的電流水平也以階梯式減少。
[0079]在本發明的實施例中，LED組可在正常環境下順序地打開/關閉，并且由于功率系統環境或者不穩定的功率特性，LED可利用比設計值更高的電壓發光。下文中，該電壓稱為過電壓。
[0080]每個LED組可由比相應發光電壓更高的過電壓驅動。對應所述過電壓的整流電壓包括等于或者大于比發光電壓更高的預設值的過剩電壓。
[0081]在本發明的實施例中，假設整流電壓紋波的有效值設計為220V。在此情形下，處于過電壓狀態的整流電壓波形的最大值可上升至超過250V。
[0082 ] 因此，當處于過電壓狀態的整流電壓逐漸上升時，LED組LEDI至LED4根據整流電壓的水平而順序地發光。
[0083]即使當LED組LED4最后發光，處于過電壓狀態的整流電壓可上升超過設置為驅動LED組LED4設置值，即220V。
[0084]應用至LED組LED4的整流電壓的變化可通過檢測電阻Rg檢測并作為穩壓二極管ZD的反向偏壓傳輸。
[0085]穩壓二極管ZD的擊穿電壓可在3V至50V的范圍內設置，并且穩壓二極管ZD保證晶體管Qz的正常打開狀態，直到通過檢測電阻Rg傳輸的電壓達到穩壓二極管ZD的擊穿電壓。
[0086]當應用至LED組LED4的整流電壓進入過電壓狀態從而傳輸至穩壓二極管ZD的電壓超出穩壓二極管ZD的擊穿電壓，檢測電壓進入恒定電壓周期，其中恒定電壓通過穩壓二極管ZD的恒定電壓操作而被維持，并且晶體管Qz的柵極電壓不再增加。此時，圖2的LED組LED4的輸出電壓V41可由晶體管Qz控制，并且應用至開關電路34的電壓可通過V42表示。電壓V41是LED組LED4的輸出電壓，并對應于通過從整流電壓中減去LED組LEDl至LED4的發光電壓之和而獲得的值。
[0087]也就是說，盡管LED組LED4的輸出電壓V41增加，穩壓二極管ZD應用限制為恒定水平的檢測電壓至晶體管Qz的柵極。結果，維持恒定水平的檢測電壓被應用至晶體管Qz的柵極，并且增加了源極-漏極電壓。
[0088]更加具體地，當通過穩壓二極管ZD限制的檢測電壓被應用至晶體管Qz的柵極時，晶體管Qz的電流不再增加，而是恒定地維持。因此，與包含在圖2的LED組LED4的輸出電壓V41中的過剩電壓的增加相對應的電壓應用在晶體管Qz的源極和漏極之間。結果，晶體管Qz吸收過剩電壓。由于過剩電壓在晶體管Qz的源極和漏極之間被吸收，應用至開關電路34的電壓V42的水平被控制。因此，能夠防止過電壓被應用至形成用于最后發光的LED組LED4的電流通路的電流控制電路14的開關電路34。
[0089]當應用至最后發光的LED組LED4的整流電壓上升至等于或者大于預設值的過電壓時，過剩電壓緩沖電路16緩沖過剩電壓以保證電流控制電路14的正常運行。
[0090]因此，能夠防止處于過電壓狀態的整流電壓所導致的過剩電壓被應用至包含電流控制電路14的IC芯片，并且包含在處于過電壓狀態的整流電壓中的過剩電壓可在IC芯片外被吸收和緩沖。
[0091]考慮到過剩電壓所產生的熱量，晶體管Qz可包括功率場效應管(FET)，即便產生熱量，所述功率場效應管(FET)仍能夠執行穩定的操作。
[0092 ]在另一實施例中，LED照明裝置可包括如圖3所示的過剩電壓緩沖電路16a和16b。
[0093]過剩電壓緩沖電路16a和16b配置為與響應于最高發光電壓而發光的LED組LED4以及響應于第二最高發光電壓而發光的LED組LED3相對應。當比發光電壓更高的過剩電壓出現時，過剩電壓緩沖電路16a和16b通過電壓控制而緩沖過剩電壓。用于通過過剩電壓緩沖電路16a和16b的過剩電壓緩沖操作的電壓控制可包括電壓吸收。
[0094]過剩電壓緩沖電路16a和16b可提供在包含電流控制電路14的IC芯片之外。過剩電壓緩沖電路16a可配置為串聯至響應于最高發光電壓而最后發光的LED組LED4的電流通路，以及過剩電壓緩沖電路16b可配置為串聯至響應于第二最高發光電壓而發光的LED組LED3的電流通路。
[0095]圖3示出了應用至LED組LED3和LED4的過剩電壓緩沖電路。然而，本發明并非僅限于此，考慮到整流電壓的水平以及包含電流控制電路14的IC芯片的發熱，過剩電壓緩沖電路還能夠應用至LED組LEDl和LED2。
[0096]根據上述配置，當應用過電壓時，過剩電壓緩沖電路16a和16b控制包含在LED組LED3和LED4的輸出電壓中的過剩電壓，限制從LED組LED3和LED4流至電流控制電路14的電流，以及吸收過剩電壓。
[0097]也就是說，如參照圖1和圖2所描述的，過剩電壓緩沖電路16a可配置為串聯至LED組LED4的電流通路，并且緩沖包含在與處于過電壓狀態的整流電壓相對應的LED組LED4的輸出電壓中的過剩電壓，從而防止過電流流至電流控制電路14。
[0098]進一步地，參照圖3所描述的，過剩電壓緩沖電路16b可配置為串聯至LED組LED3的電流通路，并且在開關電路33的打開狀態被維持以形成電流通路的同時緩沖包含在LED組LED3的輸出電壓中的過剩電壓，從而防止過電流流至電流控制電路14。
[0099 ]由于過剩電壓緩沖電路16a和16b的過剩電壓緩沖電路16a按照如圖1和圖2的實施例相同的方式配置并操作，在此不再贅述。包含在過剩電壓緩沖電路16a中的穩壓二極管、晶體管、以及檢測電阻通過ZDl、Qzl、以及Rgl表示，以與圖1和圖2中的那些區分開。
[0100]與過剩電壓緩沖電路16a類似，過剩電壓緩沖電路16b可包括過剩電壓檢測單元以及開關單元。所述過剩電壓檢測單元響應于整流電壓的變化可提供具有恒定電壓周期的檢測電壓，以及在LED組LED3和電流控制電路14之間執行電流控制的同時，所述開關單元根據檢測電壓可吸收過剩電壓。
[0101]包含在過剩電壓緩沖電路16b中的開關單元可包括根據檢測電壓而控制電流的功率場效應管(以下，簡稱為晶體管Qz2)。
[0102]過剩電壓檢測單元可包括與LED組LED3并行連接的檢測電阻Rg2和穩壓二極管ZD2。檢測電壓指示應用于檢測電阻Rg2和穩壓二極管ZD2之間節點的電壓，并被應用于用作開關單元的晶體管Qz2的柵極。在開關電路33的打開狀態被維持以形成電流通路的同時，穩壓二極管ZD2用作恒定電壓源，其通過將應用于過剩電壓緩沖電路16b的開關單元柵極的電壓限制為預定值從而穩定柵極的電壓。
[0103]因此，在開關電路33的打開狀態被維持以形成電流通路的同時，當通過檢測電阻Rg2而被應用至穩壓二極管ZD2的電壓等于或者小于通過穩壓二極管ZD2限制的電壓時，檢測電壓跟隨整流電壓的變化。因此，在開關電路33的打開狀態被維持以形成電流通路的同時，當通過檢測電阻Rg2而被應用至穩壓二極管ZD2的電壓大于通過穩壓二極管ZD2限制的電壓時，檢測電壓通