橫向耦合多模單片濾波器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明的特定方面涉及橫向耦合多模單片濾波器。
【背景技術】
[0002]高頻通信系統使用例如2GHz或更大的高頻帶來執行高速且大容量通信。作為用于高頻器件的濾波器，已經知道使用具有高聲速的壓電膜的橫向耦合多模單片濾波器。橫向耦合多模單片濾波器具有被設計為具有跨越壓電膜形成的地電極和信號電極的結構。信號電極包括如在例如日本專利申請公開號2009-188484和2009-188599中公開的施加有信號的兩個或更多個電極。
[0003]然而，信號電極的縱橫比在濾波器的輸入阻抗和輸出阻抗被調節時可能增加。信號電極的縱橫比的增加導致應力集中于壓電膜并且可能導致破裂等。另選地，聲波可能在信號電極的橫向方向上泄露。
【發明內容】
[0004]根據本發明的一個方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括:襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；以及多個信號電極，所述多個信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且彼此并聯布置，所述第二表面與所述第一表面相反，所述多個信號電極中的每一個包括第一電極指和第二電極指，其中，所述第一電極指和所述第二電極指具有不同的電位；所述多個信號電極中的相鄰信號電極彼此相距一定距離，所述距離大于所述第一電極指和所述第二電極指的節距。
[0005]根據本發明的另一方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括:襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；以及信號電極，該信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且包括第一電極指和第二電極指，所述第二表面與所述第一表面相反，所述第二電極指具有與所述第一電極指的電位不同的電位，其中，所述壓電膜在所述第一電極指和所述第二電極指的布置方向上在所述信號電極的外側的至少一部分被去除。
[0006]根據本發明的另一方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括:襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；信號電極，該信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且包括第一電極指和第二電極指，所述第二表面與所述第一表面相反，所述第二電極指具有與所述第一電極指的電位不同的電位；以及介電膜，該介電膜在所述第一電極指和所述第二電極指的布置方向上形成在在所述信號電極的外側的所述壓電膜中并且與所述壓電膜不同。
[0007]根據本發明的另一方面，提供了一種橫向耦合多模單片濾波器，該橫向耦合多模單片濾波器包括:襯底；壓電膜，該壓電膜形成在所述襯底上；地電極，該地電極形成在所述壓電膜的第一表面上；信號電極，該信號電極形成在所述壓電膜的第二表面上并且包括第一電極指和第二電極指，所述第二表面與所述第一表面相反，所述第二電極指具有與所述第一電極指的電位不同的電位；以及反相電極，該反相電極在所述第一電極指和所述第二電極指的布置方向上在所述信號電極的外側包括第三電極指和第四電極指，所述第三電極指具有與所述第一電極指的電位相同的電位，所述第四電極指具有與所述第二電極指的電位相同的電位，其中，彼此相鄰的所述第一電極指和所述第三電極指具有相同的電位，或者彼此相鄰的所述第二電極指和所述第四電極指具有相同的電位。
【附圖說明】
[0008]圖1A是根據第一比較例的濾波器的平面圖，并且圖1B是沿著圖1A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0009]圖2A和圖2B是例示了壓電膜相對于位置的位移的圖，并且圖2C是頻率對衰減的圖；
[0010]圖3A是根據第二比較例的濾波器的平面圖，并且圖3B是沿著圖3A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0011 ] 圖4A至圖4C是例示了壓電膜相對于位置的位移的圖，并且圖4D是頻率對衰減的圖；
[0012]圖5A是根據第三比較例的濾波器的平面圖，并且圖5B是沿著圖5A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0013]圖6A是根據第四比較例的濾波器的平面圖，并且圖6B是沿著圖6A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0014]圖7A是根據第三比較例的另選的濾波器的平面圖，并且圖7B是沿著圖7A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0015]圖8A是根據第一實施方式的濾波器的平面圖，并且圖SB是沿著圖8A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0016]圖9A是根據第一實施方式的第一變化的濾波器的平面圖，并且圖9B是沿著圖9A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0017]圖1OA是根據第一實施方式的第二變化的濾波器的平面圖，并且圖1OB是沿著圖1OA中的線A-A截取的橫截面圖；
[0018]圖1lA是根據第一實施方式的第三變化的濾波器的平面圖，并且圖1lB是沿著圖1lA中的線A-A截取的橫截面圖；
[0019]圖12A是根據第一實施方式的第四變化的濾波器的平面圖，并且圖12B是沿著圖12A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0020]圖13A是根據第二實施方式的濾波器的平面圖，并且圖13B是沿著圖13A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0021]圖14A是根據第二實施方式的第一變化的濾波器的平面圖，并且圖14B是沿著圖14A中的線A-A截取的橫截面圖；
[0022]圖15A是根據第二實施方式的第二變化的濾波器的平面圖，并且圖15B是沿著圖15A中的線A-A截取的橫截面圖；以及
[0023]圖16A和圖16B分別是根據第三實施方式和第三實施方式的第一變化的濾波器的橫截面圖。
【具體實施方式】
[0024]首先將給出根據比較例的橫向耦合多模單片濾波器的描述。圖1A是根據第一比較例的濾波器的平面圖，并且圖1B是沿著圖1A中的線A-A截取的橫截面圖。圖1A清楚地例示了壓電膜14。圖1B是示意性地例示了沿著圖1A中的線A-A截取的橫截面的橫截面圖，并且圖1A和圖1B在細節上可以稍微不同。這適用于下文的附圖。如圖1A和圖1B所例示的，濾波器110包括形成在襯底10上的壓電膜14。地電極12形成在壓電膜14的第一表面(圖1B中的下表面)上。信號電極18形成在壓電膜14的第二表面(圖1B中的上表面)上，第二表面與第一表面相反。地電極12被提供有地電位。信號電極18包括電極指16a和電極指16b。電極指16a和電極指16b具有不同的電位。空隙30形成在襯底10與地電極12之間。
[0025]圖2A和圖2B是例示了壓電膜相對于位置的位移的圖，并且圖2C是頻率對衰減的圖。在圖2A和圖2B中，位置表示在圖1A中的A-A方向上的位置，并且位移表示壓電膜14中的由于聲波而導致的位移。在圖2C中，衰減表示在電極指16a與電極指16b之間發送的高頻信號的衰減。如圖2A和圖2B所例示的，在壓電膜14中，對電極指16a和電極指16b施加高頻信號激發壓電對稱的對稱模式SO和壓電反對稱的反對稱模式A0。如